等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术在将多个基板排列载置于下部电极来进行等离子体处理时，抑制下部电极的异常放电的发生。在将多个例如2个基板(G)排列载置的下部电极(4)中，在沿基板的四边顺时针或逆时针环绕的环绕路线上看时，将构成环部(6)的带状部件(61～67)配置成后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触。在以与设置于作为2个基板之间的边界区域(44)的带状部件(纵向部件)的后端面接触的方式在横向上配置在一直线上的2个带状部件(横向部件)(63、67)的端面彼此之间，形成有用于吸收横向部件的因热导致的延伸的间隙。由于下部电极不从间隙露出，所以即使等离子体进入间隙，也能够抑制异常放电的发生。

Plasma processing unit

When a plurality of substrates are arranged and loaded on the lower electrodes for plasma treatment, the abnormal discharge of the lower electrodes is suppressed. In a plurality of lower electrodes (4), such as two substrates (G), arranged and mounted, the front end of the front end of the ribbon component (61-67) constituting the ring (6) is arranged in contact with the rear end of the front ribbon component when viewed along a clockwise or counter-clockwise encircling route along the four sides of the substrate. In the way of contacting the rear end face of the strip component (longitudinal component) which is set in the boundary area (44) between the two substrates, the two end faces of the strip component (transverse component) (63, 67) which are arranged in a straight line are transversely arranged with each other, forming an extended gap due to heat for absorbing the transverse component. Because the lower electrodes are not exposed from the gap, the abnormal discharge can be suppressed even if the plasma enters the gap.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及在至少上部的侧面遍及整周被由绝缘部件构成的环部包围的下部电极上载置四边形的基板，利用等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)的制造中，具有对作为被处理基板的玻璃基板供给等离子体化后的处理气体，进行蚀刻处理、成膜处理等等离子体处理的工序。例如，等离子体处理在设置在形成真空气氛的处理容器内的载置台上载置有基板的状态下实施。载置台例如形成为方筒形状，在其外周部设置有用于使等离子体均匀性高地分布在基板上的被称为聚焦环等的绝缘性的环部件。该环部件是方形的环状体，例如将形成方形的一边的部件多个组合而形成。这些部件由于具有热膨胀的性质，所以因热膨胀而部件彼此按压，有可能导致环部件的变形和破损。另外，当部件彼此之间形成间隙时，等离子体会进入该间隙，成为异常放电和形成于载置台表面的喷涂膜被侵蚀的腐蚀的原因。专利文献1中提案有如下技术：由4个构成部件构成方形的屏蔽部件，以一个构成部件的一端侧的端面与相邻的另一构成部件的侧面抵接，并且跟相邻的上述另一构成部件不同的又一构成部件的一端侧的端面与另一端侧的侧面抵接的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其在下部电极上载置四边形的基板，利用等离子体对基板进行处理，其中，所述下部电极至少上部的侧面遍及整周地被由绝缘部件构成的环部包围，所述等离子体处理装置的特征在于：所述下部电极构成为，多个基板隔开间隔并排排列地载置于该下部电极上且在每个环部载置各基板，彼此相邻的所述环部的一个环部由如下的带状部件构成：在沿基板的四边顺时针环绕的环绕路线上看时，如果将所述环绕的方向定义为前方，则该带状部件以后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触的方式形成四边，彼此相邻的所述环部的另一个环部由如下的带状部件构成：在沿基板的四边逆时针环绕的环绕路线上看时，如果将所述环绕的...

【技术特征摘要】
2017.06.22 JP 2017-1224911.一种等离子体处理装置，其在下部电极上载置四边形的基板，利用等离子体对基板进行处理，其中，所述下部电极至少上部的侧面遍及整周地被由绝缘部件构成的环部包围，所述等离子体处理装置的特征在于：所述下部电极构成为，多个基板隔开间隔并排排列地载置于该下部电极上且在每个环部载置各基板，彼此相邻的所述环部的一个环部由如下的带状部件构成：在沿基板的四边顺时针环绕的环绕路线上看时，如果将所述环绕的方向定义为前方，则该带状部件以后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触的方式形成四边，彼此相邻的所述环部的另一个环部由如下的带状部件构成：在沿基板的四边逆时针环绕的环绕路线上看时，如果将所述环绕的方向定义为前方，则该带状部件以后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触的方式形成四边，构成所述环部的各带状部件，在其后部侧设置有用于限制长度方向的移动的被限制部，在将与彼此相邻的基板对应的下部电极彼此之间的边界区域延伸的方向定义为纵向，将设置于所述边界区域的带状部件定义为纵向部件，将在横向延伸的带状部件定义为横向部件时，设置于所述边界区域的纵向部件被所述彼此相邻的环部的各个环绕路线共用，在各自的前端部的侧面与所述纵向部件的后端面接触的、属于所述一个环部的横向部件与属于所述另一个环部的横向部件之间，形成有用于吸收横向部件的因热导致的延伸的间隙。2.一种等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：南雅人，佐佐木芳彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP