等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，其将从至少两个高频电源分别向上部电极和/或下部电极供给与等离子体相关的高频电力，可靠地检测反射波的变动，将异常放电发生防患于未然。阈值设定部(123)在来自第二高频电源部(75)的高频的供给稳定后，在时刻(T3)在第一高频电源部(65)和第二高频电源部(75)中，将遮断用阈值的电平均切换为相对低的电平。该遮断用阈值的相对低的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中，均从相同的时间继续。在时刻(T4)，由第一高频电源部开始第一次的电力供给的增加时，阈值设定部重新设定遮断用阈值，分别提升至相对高的电平。该相对高的电平在第一高频电源部和第二高频电源部中从相同的时间继续。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法本案是申请日为2014年01月17日、申请号为201410022526.X、专利技术名称为“等离子体处理装置和等离子体处理装置的操作方法”的分案申请
本专利技术设计利用高频电力使处理气体等离子体化，利用该等离子体对被处理体实施蚀刻等的处理的等离子体处理装置及其操作方法。
技术介绍
在以半导体器件、液晶显示装置为代表的FPD(平板显示器)等的制造工序中，能够利用对半导体晶片、玻璃基板之类的被处理体实施蚀刻处理的等离子体蚀刻装置、实施成膜处理的等离子体CVD装置等的等离子体处理装置等。例如已知有在对平行平板型的电极供给高频电力、利用形成于该电极之间的电容耦合等离子体进行被处理体的蚀刻的蚀刻装置中，上下相对地设置的电极的一方侧与等离子体形成用(以下称为源极用)的高频电源连接。在这种蚀刻装置起动时，从高频电源对电极供给高频电力，由此在平行平板型的电极间形成有等离子体。此时，在短时间供给有大电力时，例如不能够获得设置于高频电源与电极之间的匹配电路的匹配，产生从电极侧至高频电源的反射波。该反射波成为形成稳定的等离子体时的障碍，也成为异常放电的前兆。所以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收纳被处理体的处理容器；输出与在所述处理容器内生成的等离子体相关的高频的多个高频电源；对至所述多个高频电源的反射波分别进行检测的多个反射波检测部；对所述多个高频电源的输出进行控制的电力控制部；遮断控制部，其在所述多个高频电源的任意个中的反射波的检测值超过对各高频电源预先设定的遮断用阈值的情况下，遮断全部所述多个高频电源的高频的供给；和阈值设定部，在所述多个高频电源的任意个中，在开始供给高频的时刻或者使输出变化的时刻将所述遮断用阈值全部设定为相对高的电平，对于所述多个高频电源的全部，在高频的供给稳定后将所述遮断用阈值的全部切换为相对低的电平；作为所述多...

【技术特征摘要】
2013.01.17 JP 2013-0060741.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收纳被处理体的处理容器；输出与在所述处理容器内生成的等离子体相关的高频的多个高频电源；对至所述多个高频电源的反射波分别进行检测的多个反射波检测部；对所述多个高频电源的输出进行控制的电力控制部；遮断控制部，其在所述多个高频电源的任意个中的反射波的检测值超过对各高频电源预先设定的遮断用阈值的情况下，遮断全部所述多个高频电源的高频的供给；和阈值设定部，在所述多个高频电源的任意个中，在开始供给高频的时刻或者使输出变化的时刻将所述遮断用阈值全部设定为相对高的电平，对于所述多个高频电源的全部，在高频的供给稳定后将所述遮断用阈值的全部切换为相对低的电平；作为所述多个高频电源，至少具有第一高频电源和输出与所述第一高频电源频率不同的高频的第二高频电源，作为所述多个反射波检测部，具有检测至所述第一高频电源的反射波的第一反射波检测部和检测至所述第二高频电源的反射波的第二反射波检测部，所述遮断控制部，在所述第一高频电源的反射波的检测值或在所述第二高频电源的反射波的检测值的任意一方超过分别对所述第一高频电源的反射波的检测值和所述第二高频电源的反射波的检测值预先设定的遮断用阈值的情况下，遮断所述第一高频电源和所述第二高频电源双方的高频的供给，所述遮断用阈值在所述第一高频电源和所述第二高频电源中分别独立设定，所述阈值设定部，在所述第一高频电源或所述第二高频电源的任意一方中，在开始高频的供给的时刻或者使输出变化的时刻将所述遮断用阈值均设定为相对高的电平，对于来自所述第一高频电源和所述第二高频电源的高频的全部，反射波的检测值分别成为预先设定的启动用阈值以下后，在使来自所述第一高频电源和所述第二高频电源的任意一个高频的高频的输出增加为止的期间，将所述遮断用阈值的电平切换为所述相对低的电平，由此，所述遮断用阈值的所述相对高的电平和所述相对低的电平的切换，在所述第一高频电源、所述第二高频电源中相互关联地在相同时刻进行。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：在启动所述等离子体的过程中，所述电力控制部进行分别使来自所述第一高频电源的高频的输出和来自所述第二高频电源的高频的输出阶段性地增加的软启动控制。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：在所述软启动控制中，所述电力控制部使来自所述第一高频电源和所述第二高频电源的高频的输出交替地增加。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电力控制部进行控制，使得在基于所述第一反射波检测部的反射波的检测值和基于所述第二反射波检测部的反射波的检测值分别成为所述启动用阈值以下后，使来自所述第一高频电源的高频的输出增加。5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述电力控制部进行控制，使得在基于所述第一反射波检测部的反射波的检测值和基于所述第二反射波检测部的反射波的检测值分别成为所述启动用阈值以下后，使来自所述第二高频电源的高频的输出增加。6.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处...

【专利技术属性】
技术研发人员：古屋敦城，东条利洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP