【技术实现步骤摘要】
基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法
本专利技术涉及单晶材料抛光
，尤其是涉及一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置及抛光方法。
技术介绍
半导体晶圆的制造过程包括单晶生长、磨外圆、切片、圆角、粗磨、精磨、金刚石抛光、化学机械抛光等诸多工序，其中，抛光工艺(包括金刚石抛光和化学机械抛光)的目的是去除磨削后晶片表面的划痕以及亚表面损伤，从而得到无划痕、无损伤的完美表面，进而在该表面上进行电子元器件的加工。由于抛光后的晶片的表面质量直接决定了元器件的性能，因此抛光是晶圆加工过程中非常关键的一步，另外，在集成电路的制造过程中，需要用到光刻技术让设计的电路图从掩模版上转移到晶圆上，而想要设计的图案能准确的转移，就需要让整个晶圆平面准确地位于光刻系统曝光的焦平面的景深内。而光刻系统的曝光的景深非常小，因此光刻对晶圆表面的平整度也有很高的要求。传统晶圆制造工业中要达到这种平整度，保证良好的表面粗糙度，同时又去除所有亚表面损伤，最常用的方法是化学机械抛光方法(CMP)。化学机械抛光方法的抛光过程一般为：需要抛光的晶圆被固定在抛光头上，沿着轴向旋转，并向下有...
【技术保护点】
1.一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置，其特征在于，包括矩管，所述矩管包括第一发生管、第二发生管以及第三发生管，所述第二发生管罩设于所述第一发生管外，所述第三发生管罩设于所述第二发生管外；惰性气体提供装置，所述惰性气体提供装置与所述第二发生管及所述第三发生管连通；刻蚀气体提供装置，所述刻蚀气体提供装置与所述第一气体发生管连通；电火花发生器，所述点火花发生器分别与第一发生管、第二发生管、第三发生管连通，用于在第一发生管、第二发生管、第三发生管内产生电火花；电感线圈，所述矩管的出口设于所述电感线圈内，所述电感线圈连接有射频电源，通电时，所述电感线圈内产生耦合等离子体。
【技术特征摘要】
1.一种基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置，其特征在于，包括矩管，所述矩管包括第一发生管、第二发生管以及第三发生管，所述第二发生管罩设于所述第一发生管外，所述第三发生管罩设于所述第二发生管外；惰性气体提供装置，所述惰性气体提供装置与所述第二发生管及所述第三发生管连通；刻蚀气体提供装置，所述刻蚀气体提供装置与所述第一气体发生管连通；电火花发生器，所述点火花发生器分别与第一发生管、第二发生管、第三发生管连通，用于在第一发生管、第二发生管、第三发生管内产生电火花；电感线圈，所述矩管的出口设于所述电感线圈内，所述电感线圈连接有射频电源，通电时，所述电感线圈内产生耦合等离子体。2.根据权利要求1所述的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置，其特征在于，还包括试样夹台，所述试样夹台设于所述矩管下方。3.根据权利要求2所述的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置，其特征在于，还包括移动平台，所述试样夹台固设于所述移动平台上。4.根据权利要求2所述的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置，其特征在于，所述矩管与所述试样夹台之间施加有电场，用于改变产生的等离子的运动轨迹。5.根据权利要求1-4中任一项所述的基于电感耦合等离子体的单晶材料抛光装置，其特征在于，还包括...
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