等离子体处理设备和利用其制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了一种等离子体处理设备和一种用于利用其制造半导体装置的方法。所述等离子体处理设备包括：卡盘台，其被构造为在其上支承晶圆；电介质环，其被构造为围绕卡盘台的外围，电介质环包括顺电材料；以及介电常数控制器，其被构造为控制电介质环的介电常数。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理设备和利用其制造半导体装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0075074的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。
根据一个或多个示例性实施例的设备和方法涉及一种等离子体处理设备和一种利用其制造半导体装置的方法。
技术介绍
最近的半导体处理越来越要求针对高深宽比接触(HARC)处理控制等离子体。在现有技术中，采用了通过降低偏置频率和增大射频(RF)功率来增大蚀刻速率以最大化离子能量的方法。然而，随着深宽比增大，降低频率和增大RF功率的效果由于负载效应的增大而减小。为了解决这一问题，通过RF脉冲促进充电松弛，以提高负载效应，从而提高蚀刻速率并改进外形。在这种方法中，由于RF功率增大导致偏置电压增大，从而使充电效果增大，这会具有局限性。
技术实现思路
一个或多个示例性实施例的各方面提供了一种具有改进的操作性能的等离子体处理设备。一个或多个示例性实施例的各方面还提供了一种用于利用具有改进的操作性能的等离子体处理设备制造半导体装置的方法。然而，本公开的各方面不限于本文阐述的这些。通过参照下面提供的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理设备，包括：卡盘台，其被构造为在其上支承晶圆；电介质环，其被构造为围绕所述卡盘台的外围，所述电介质环包括顺电材料；以及介电常数控制器，其被构造为控制所述电介质环的介电常数。

【技术特征摘要】
2017.06.14 KR 10-2017-00750741.一种等离子体处理设备，包括：卡盘台，其被构造为在其上支承晶圆；电介质环，其被构造为围绕所述卡盘台的外围，所述电介质环包括顺电材料；以及介电常数控制器，其被构造为控制所述电介质环的介电常数。2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述介电常数控制器被构造为：通过将直流电压施加至所述电介质环以及调整所施加的直流电压的幅值来控制所述电介质环的介电常数。3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述介电常数控制器被构造为：通过将交流电压施加至所述电介质环以及调整所施加的交流电压的频率来控制所述电介质环的介电常数。4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述介电常数控制器被构造为：通过将热施加至所述电介质环以调整所述电介质环的温度来控制所述电介质环的介电常数。5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，还包括气体送进器，其被构造为将气体注入至所述卡盘台上。6.根据权利要求5所述的等离子体处理设备，其中，所述气体送进器和所述卡盘台中的一个接地，并且所述气体送进器和所述卡盘台中的另一个连接至射频电源。7.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述电介质环包括具有由所述介电常数控制器控制的介电常数的内电介质环和被构造为包围所述内电介质环的外电介质环。8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其中：所述内电介质环包括所述顺电材料；并且所述外电介质环包括氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PETE)和聚醚醚酮(PEEK)中的至少一个。9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述顺电材料是钛酸钡(BaTiO3)、铁酸铋(BiFeO3)和钛酸锶钡(BST)中的至少一个。10.根据权利要求9所述的等离子体处理设备，其中，所述电介质环的温度等于或大于...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈承辅，姜南俊，罗世权，禹济宪，林承奎，任志洙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR