本发明专利技术提供一种半导体结构，包含第一备用单元区域，包含多个备用单元；第一导电线，耦合于第一参考电压和多个备用单元，设置为用于提供第一参考电压到第一备用单元区域的多个备用单元；以及第二导电线，耦合到多个备用单元，设置为用于提供第二参考电压到第一备用单元区域的多个单元。通过以上方案，可以有效地减少功率泄漏。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术通常涉及半导体结构，且更特别地，涉及具有备用单元区域的半导体结构用于减少泄漏功率。【
技术介绍
】标准集成电路(Integrated Circuit，1C)包含大量电子元件、单元以及电路模块用于实施由设计规格要求的某些功能。这些元件、单元以及电路模块一般构成在由多个金属层重叠的半导体衬底上，其中导电图案0部署为互连网络。和正常运行的电子部件一样，1C也具有在1C操作中不起积极作用的多余或虚拟单元。尽管备用单元可以设计为实施某些功能，但是根据1C的原始电路设计，他们不连接到正常运行的电子部件，但在1C的校正或重路由(rerouting)过程中，可以选择性地连接到正常运行的电子部件。此过程通常被称作工程改变顺序(Engineering Change Order, ECO)过程，且备用单元可以备选地被称作ECO单元。备用单元在一般1C中占据约总单元数的百分之五到百分之十。现有地，备用单元总是耦合到电源和地，即使他们不连接到1C中的其它电子部件。结果，大量功率可通过备用单元泄漏。对于使用28nm半导体工艺技术制造的1C，备用单元典型地占泄漏功率的约百分之十到百分之十五。此功率泄漏问题随着半导体过程技术中导致1C尺寸变小的进展而变得更严重。因此，在1C设计领域，存在可减少1C的泄漏功率的备用单元设计的主要的需求。【
技术实现思路
】有鉴于此，本专利技术特提供以下技术方案:本专利技术提供一种半导体结构，包含第一备用单元区域，包含多个备用单元；第一导电线，耦合于第一参考电压和多个备用单元，设置为用于提供第一参考电压到第一备用单元区域的多个备用单元；以及第二导电线，耦合到多个备用单元，设置为用于提供第二参考电压到第一备用单元区域的多个单元。通过以上方案，可以有效地减少功率泄漏。【【附图说明】】图1是图示根据本专利技术的示范性实施例的半导体结构的布局图。图2是图示根据本专利技术的又一示范性实施例的半导体结构的布局图。【【具体实施方式】】遍及整篇描述和权利要求的某些术语用于指代特定部件。如本领域的技术人员意识到的，制造商可用不同的名称指代部件。此文档不打算区别名称不同但功能相同的部件。在权利要求和下文的描述中，术语“包括”和“包含”用于开放方式，且因此应该解释为意思是“包含，但不限于”。而且，术语“耦合”意于表示间接或直接电连接。因此，如果一个装置耦合到另一装置，那个连接可以通过直接电连接，或通过经由其它装置和连接的间接电连接。图1是图示根据本专利技术的示范性实施例的半导体结构100的布局图。半导体结构100包含多个正常单元区域102和106，每个正常单元区域包含位于其中的正常单元，其中正常单元区域102和106由用点状图案填充的块所图示。正常单元在正常情况中根据设计者的计划执行特定预定功能。与分散的备用单元与正常运行的单元混合在一起用于ECO过程的现有设计不同，示范性实施例以将正常单元和备用单元排列到两个不同区域(两个长条)用于功率控制的便利为特征。细节将在以下段落中给出。除具有用于1C的正常功能的主要正常单元的正常单元区域102和106以外，半导体结构100还包含备用单元区域104，其中备用单元区域104由用斜线图案填充的块所图示。备用单元区域104的每个备用单元包含一个或多个掺杂区域，且掺杂区域由通孔接触和导电图案耦合在一起，以便备用单元可实施某些预定功能。正常单元区域102和106的正常单元共同由第一电压VSS和第二电压VDD供电，备用单元区域104的备用单元预先调整为通过将导电线110从第二电压VDD隔开而从第二电压VDD断开。尽管备用单元区域104的备用单元未从第一电压VSS断开，因为导电线108和114耦合于第一电压VSS和备用单元之间，备用单元区域104的备用单元默认无效，直到根据ECO过程的需要，通过重路由过程将导电线110连接到导电线112。图2是图示根据本专利技术的又一示范性实施例的半导体结构200的布局图。与图1中的半导体结构100相比，半导体结构200增加了备用单元区域105，以形成正常单元区域与备用单元区域交替的布局，由于图2中半导体结构200的其他部分与图1中的半导体结构100的部分对应，故采用与图1中相同的标号。且备用单元区域105的设置与备用单元104的设置相同，故在此不再赘述。准备备用单元以防止正常单元发生功能的失效。根据显示在图1中的示范性实施例，备用单元聚集到备用单元区域，备用单元区域是与正常单元区域交错的条状区域。以此方式，所有的备用单元区域能够默认无效，且由备用单元引入的关联的泄漏功率因此明显减少。当根据设计要求需要执行ECO过程时，交错布局方案通过重路由过程使能快速并简单修复正常单元的功能的错误的可能性。其结果是，所公开的具有单独多余/正常单元区域的半导体结构是有益的，因为其可以减少泄漏功率以及促进ECO过程。本领域技术人员将轻易地看出在保留本专利技术的教导时，可以对装置和方法作出许多修改和替换。因此，以上揭露应该解释为仅仅由所附的权利要求的范围和界限来限制。【主权项】1.一种半导体结构，其特征在于，包含: 第一备用单元区域，包含多个备用单元； 第一导电线，耦合于第一参考电压和所述多个备用单元，设置为用于提供所述第一参考电压到所述第一备用单元区域的所述多个备用单元；以及 第二导电线，耦合到所述多个备用单元，设置为用于提供第二参考电压到所述第一备用单元区域的所述多个单元。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述多个备用单元的每个备用单元执行预定功能，且设置为用于工程改变顺序过程。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电线选择性地耦合到所述第二参考电压。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含: 第三导电线，耦合于第三电压和所述多个备用单元之间，设置为用于提供第三参考电压到所述多个备用单元。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电线位于所述第一导电线与所述第三导电线之间，且所述第一备用单元区域位于所述第一导电线和所述第三导电线之间。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包含: 正常单元区域，包含执行预定功能的多个正常单元；以及 第二备用单元区域，包含多个备用单元； 其中所述正常单元区域的每个正常单元耦合到所述第一参考电压和所述第二参考电压，且所述第二备用单元区域的所述多个备用单元耦合到所述第一参考电压并选择性地耦合到所述第二参考电压。7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二备用单元区域的每个备用单元执行预定功能，且设置为用于工程改变顺序过程。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述正常单元区域位于所述第一备用单元区域和所述第二备用单元区域之间。9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述正常单元区域的每个正常单元还耦合到所述第三参考电压。10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第二备用单元区域的每个备用单元还耦合到所述第三参考电压。【专利摘要】本专利技术提供一种半导体结构，包含第一备用单元区域，包含多个备用单元；第一导电线，耦合于第一参考电压和多个备用单元，设置为用于提供第一参考电压到第一备用单元区域的多个备用单元；以及第二导电线，耦合到多个备用单元本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于，包含：第一备用单元区域，包含多个备用单元；第一导电线，耦合于第一参考电压和所述多个备用单元，设置为用于提供所述第一参考电压到所述第一备用单元区域的所述多个备用单元；以及第二导电线，耦合到所述多个备用单元，设置为用于提供第二参考电压到所述第一备用单元区域的所述多个单元。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：傅志新，张裕东，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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