通过RF脉冲形状进行离子能量控制制造技术

本文描述了通过RF脉冲形状进行离子能量控制，具体描述了用于离子能量的斜坡控制的方法。该方法包括接收指示使用射频(RF)脉冲信号来执行蚀刻操作的设置。RF脉冲信号包括第一状态和第二状态。第一状态相比于第二状态具有较高的功率电平。该方法还包括接收与所述RF脉冲信号相关联的脉冲斜坡。脉冲斜坡提供第一状态和第二状态之间的过渡。此外，在蚀刻操作期间，脉冲斜坡不是基本上无穷大以减少离子能量等。方法包括确定功率电平和定时以实现脉冲斜坡并发送功率电平和定时到RF产生器以产生RF脉冲信号。

【技术实现步骤摘要】
通过RF脉冲形状进行离子能量控制本申请是申请号为201510934397.6、申请日为2015年12月15日、专利技术名称为“通过RF脉冲形状进行离子能量控制”的专利技术专利申请的分案申请。
本实施方式涉及用于通过射频(RF)脉冲形状进行离子能量控制的系统和方法。
技术介绍
使用等离子体系统蚀刻晶片。晶片是由半导体材料制成的并在电子产品中使用以制造集成电路的衬底。在晶片上执行各种操作(例如，蚀刻、掺杂、离子注入、沉积、光刻图案化，等)以在晶片上形成集成电路。然后集成电路被划片和封装。当前的高深宽比(HAR)接触蚀刻技术(例如，HAR>50：1，等)使用显著低的射频(RF)信号，以产生高能量离子。然而，高离子能量导致显著的掩模损失。此外，使用低和高的功率的等离子体能量机制，脉冲等离子体由于较好的掩模选择性通常被使用以沉积聚合物和蚀刻触头。使用低功率量沉积聚合物，使用高功率量蚀刻触头。然而，例如，当2兆赫(MHz)等离子体不产生低能离子或少量低能离子等等时，在高功率脉冲期间损失大多数的掩模。在这样的背景下，产生本公开中描述的实施方式。
技术实现思路
本公开内容的实施方式提供用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于设置射频(RF)发生器的斜坡参数的方法，包括：在等离子体室内接收离子的测量的离子能量；设置射频发生器的脉冲频率，所述射频发生器产生具有所述脉冲频率的射频脉冲信号，所述脉冲频率在低功率电平和高功率电平之间切换，其中所述高功率电平被限定在上升过渡和下降过渡之间；基于所述测量的离子能量设置用于修改所述射频脉冲信号的斜坡参数，针对所述上升过渡设置所述斜坡参数，所述斜坡参数限定所述上升过渡的上升速率的缩减，其中在所述脉冲频率期间，所述上升速率的所述缩减使所述高功率电平成形以具有比所述低功率电平更短的持续时间；和供给由所述斜坡参数修改的射频脉冲信号，其中当通过所述斜坡参数修改所述射频脉冲信号时...

【技术特征摘要】
2014.12.15 US 14/570,8591.一种用于设置射频(RF)发生器的斜坡参数的方法，包括：在等离子体室内接收离子的测量的离子能量；设置射频发生器的脉冲频率，所述射频发生器产生具有所述脉冲频率的射频脉冲信号，所述脉冲频率在低功率电平和高功率电平之间切换，其中所述高功率电平被限定在上升过渡和下降过渡之间；基于所述测量的离子能量设置用于修改所述射频脉冲信号的斜坡参数，针对所述上升过渡设置所述斜坡参数，所述斜坡参数限定所述上升过渡的上升速率的缩减，其中在所述脉冲频率期间，所述上升速率的所述缩减使所述高功率电平成形以具有比所述低功率电平更短的持续时间；和供给由所述斜坡参数修改的射频脉冲信号，其中当通过所述斜坡参数修改所述射频脉冲信号时，在所述上升过渡期间发生低能离子的增加，并且在所述高功率电平期间产生高离子能量，其中所述低能离子比具有高离子能量的高能离子具有更低的能量。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过位于所述等离子体室内的离子能分布测量装置测量所述测量的离子能量。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体室经由阻抗匹配电路耦合到所述射频发生器，其中所述阻抗匹配电路被配置为使耦合到所述阻抗匹配电路的输出的负载的阻抗与耦合到所述阻抗匹配电路的输入的源的阻抗匹配。4.如权利要求1所述的方法，其中所述脉冲频率是所述射频脉冲信号的包络在所述高功率电平和所述低功率电平之间切换的频率，其中所述射频脉冲信号是正弦信号。5.根据权利要求1所述的方法，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿列克谢·马拉霍塔诺夫，陈志刚，约翰·帕特里克·霍兰德，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US