本发明的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述...

提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理...

本发明提供一种气缸。气缸(10)包括缸体(21)、活塞杆(24)、活塞(25)和控制部(11)。活塞杆(24)的一端配置在缸体(21)内，另一端从缸体(21)突出。活塞(25)设置在活塞杆(24)的一端，通过在缸体(21)内的移动而使活...

本发明的蚀刻方法，通过对被处理体进行等离子体处理，相对于由氮化硅形成的第2区域(R2)，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第1区域(R1)，其中，被处理体具有划成凹部的第2区域(R2)、填埋该凹部的第1区域(R1)、和设置在第1区域(R1)上的...

包括：利用在处理容器内生成的处理气体的等离子体，在多个含硅区域(R1、R2、R3)中的任一个以上的表面形成蚀刻辅助层(ML)的第1步骤；和对蚀刻辅助层(ML)施加能量的第2步骤，能量是能够除去蚀刻辅助层(ML)的能量以上的能量，比位于蚀...

本发明提供一种能够抑制在基板的背面发生的放电的静电卡盘的制造方法和静电卡盘。在该静电卡盘的制造方法中，该静电卡盘通过向第一电极层施加电压来吸附基板，所述静电卡盘的制造方法包括以下步骤：在基台上的第一树脂层上形成所述第一电极层的步骤；以及...

本发明提供一种能够在旋转台的旋转过程中可靠地检测基板的翘曲的基板翘曲检测装置及方法和基板处理装置及方法。基板翘曲检测装置对在旋转台上沿周向设置的凹陷状的基板载置区域上载置的基板在旋转台的旋转过程中的翘曲进行检测，所述基板翘曲检测装置具有...

本发明的目的在于提供一种能够监视旋转台旋转过程中的基板的翘曲、能够预测基板的脱离的基板翘曲监视装置、基板处理装置以及基板翘曲监视方法。基板翘曲监视装置对在旋转台上沿周向设置的基板载置区域上载置的基板在旋转台旋转过程中的翘曲进行监视，基板...

本发明提供一种在使用处理液(例如DIW)处理基片后使基片干燥的方法。该方法包括：对基片(W)供给挥发性比处理液高的第一干燥液(例如IPA)形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1...

本发明提供一种即使在对二氧化硅系残渣物进行蚀刻后进行蚀刻残渣去除也不易产生对残留的SiO2膜的损伤的蚀刻方法和残渣去除方法。用于对形成于SiO2膜的含有碱成分的二氧化硅系残渣物进行蚀刻的蚀刻方法具有：第一阶段，向具有形成有二氧化硅系残渣...

本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供...

本发明提供一种在对多个被处理基板同时进行等离子体处理时，能够抑制施加于载置被处理基板的电极部的高频电力对于周围部件的影响的等离子体处理装置。等离子体处理装置利用等离子体形成部将供给到处理空间的处理气体等离子体化，被施加高频电力的第一电极...

本发明提供一种能够实现高速匹配动作的匹配器。一实施方式的匹配器具备串联部、并联部及一个以上的可变直流电源。串联部包含具有可变电容的第1二极管，且设置于高频输入端与高频输出端之间。并联部包含具有可变电容的第2二极管，且设置于输入端与输出端...

本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物...

本发明提供一种实施方式的方法(MT)，在处理对象的晶片(W)的被处理层(J1)的蚀刻前，在将被处理层(J1)的主面(J11)划分为多个区域(ER)的基础上，通过步骤(SB2)按多个区域(ER)的每一区域计算出被处理层(J1)上所设置的掩...

一种处理设备包括：具有基底保持件的处理室；被配置成于处理室内输送第一源气体的第一气体输送系统；被配置成于处理室内输送第二源气体的第二气体输送系统；能量活化系统；和处理电路。处理电路被配置成控制用于输送第一源气体的第一处理参数；控制用于输...

本文的技术使得能够集成堆叠材料和多种颜色的材料并且不需要腐蚀性气体来进行蚀刻。该技术能够实现用于自对准图案缩小的多线层，其中所有层或颜色或材料可以限于含硅材料和有机材料。这样的技术能够利用用于自对准阻挡的完全非腐蚀性蚀刻相容堆叠实现5n...

本文中的技术包括用于对基板上的温度分布进行精细控制的系统和方法，这些技术可以用于提供均匀的空间温度分布或偏压的空间温度分布，以改善基板的等离子体处理和/或校正给定基板的特征，实施方式包括带有温度控制的等离子体处理系统，本文中的温度控制系...

本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对...

本发明的目的在于提供一种不使构造复杂化、就能够防止气体的扩散、进行高效的基板处理的基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。一种基板保持件，其具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该...