静电吸附方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。

Electrostatic adsorption method

The object of the present invention is to provide an electrostatic adsorption method, which comprises the following steps: first, before the treated body is placed on the loading table in the chamber used for processing the treated body, gas is introduced into the chamber, and high frequency power is applied to generate plasma or to increase the pressure in the chamber; second, after the first step. In the third step, after the second step, at least any of the processes in which the high frequency power is stopped and the plasma is extinguished and the pressure in the chamber is reduced are performed; and in the fourth step, at least any of the processes in which the high frequency power is stopped and the pressure in the chamber is reduced are performed. After the third step, the above DC voltage is stopped. Thus, the adsorption force of the electrostatic chuck can be increased without increasing the power of the DC voltage.

【技术实现步骤摘要】
静电吸附方法
本专利技术涉及一种静电吸附方法。
技术介绍
在腔室内的载置台设置有静电吸盘。静电吸盘利用由直流电源输出的直流电压产生的库仑力，将被处理体静电吸附并保持在静电吸盘上(例如参照专利文献1、2)。例如在专利文献1中提案有静电吸盘的带电的除去方法。在专利文献2中提案有在将下一晶片吸附到静电吸盘之前，在向处理室导入了氮气的状态下对静电吸盘施加负的直流电压，进行电流放电，防止晶片向静电吸盘的不良吸附的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开昭63-36138号公报专利文献2：日本特开平9-120988号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题但是，即使对在前一晶片处理时产生于静电吸盘的表面的残留电荷进行除电之后将下一晶片送入并将其吸附在静电吸盘上，也存在向晶片与静电吸盘之间供给的导热气体泄露的问题。在该情况下，需要进一步提高静电吸盘的吸附力，防止导热气体的泄露。对此，考虑通过提高对静电吸盘施加的直流电压的功率来提高吸附力。但是，要求通过不提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力来防止导热气体的泄露，避免资源的过度使用，尽可能抑制运行成本。针对上述技术问题，本专利技术的目的之一在于无需提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力。用于解决技术问题的技术方案为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。专利技术的效果根据本专利技术的一个方面，无需提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力。附图说明图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。图2是用于说明一实施方式的预充电的有无和吸附力的不同的图。图3是表示第一实施方式的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。图4是表示一实施方式的预充电时的时序图的一个例子的图。图5是用于说明一实施方式的预充电时的吸附力的状态的图。图6是表示第一实施方式的变形例的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。图7是表示第二实施方式的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。图8是表示一实施方式的预充电的效果的一个例子的图。附图标记说明1等离子体处理装置2腔室(处理容器)3载置台10静电吸盘10a吸盘电极11聚焦环12支承体12a制冷剂流路17闸阀20气体喷淋头21屏蔽环22气体导入口23气体供给源25气体供给孔26可变直流电源15气体供给源30直流电源31开关32第一高频电源33第一匹配器34第二高频电源35第二匹配器36冷机37导热气体供给源38排气装置100控制部。具体实施方式以下，参照附图说明用于实施本专利技术的实施方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。[等离子体处理装置的整体结构]首先，参照图1说明等离子体处理装置1的一个例子。本实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行平板等离子体处理装置，具有大致圆筒形的腔室(处理容器)2。腔室2的内表面被实施铝阳极化处理(阳极氧化处理)。腔室2的内部为利用等离子体来进行蚀刻处理和成膜处理等的等离子体处理的处理室。载置台3载置作为基片的一个例子的半导体晶片(以下称为“晶片”。)。载置台3例如由铝(Al)、钛(Ti)、氮化硅(SiC)等形成。载置台3也作为下部电极发挥作用。在载置台3的上侧设置有用于对晶片W进行静电吸附的静电吸盘(ESC)10。静电吸盘10为在绝缘体10b之间夹着吸盘电极10a的构造。吸盘电极10a与直流电源30连接。当通过开关31的开闭从直流电源30对吸盘电极10a施加直流电压时，通过库仑力将晶片W吸附在静电吸盘10。在静电吸盘10的外周侧以包围晶片W的外缘部的方式载置有圆环状的聚焦环11。聚焦环11例如由硅形成，在腔室2中使等离子体向晶片W的表面收束，提高等离子体处理的效率从而发挥作用。载置台3的下侧为支承体12，由此，载置台3保持在腔室2的底部。在支承体12的内部形成有制冷剂流路12a。从冷机36输出的例如冷却水、盐水等的冷却介质(以下也称为“制冷剂”。)流过制冷剂入口配管12b、制冷剂流路12a、制冷剂出口配管12c，进行循环。如上所述，通过循环的制冷剂，由金属构成的载置台3被散热并冷却。导热气体供给源37将氦气(He)等的导热气体通过导热气体供给线路16供给到静电吸盘10的表面与晶片W的背面之间。通过该结构，静电吸盘10利用制冷剂流路12a中循环的制冷剂和供给到晶片W的背面的导热气体来进行温度控制。其结果，能够将晶片W控制在规定的温度。载置台3经第一匹配器33与供给第一频率的等离子体生成用的高频功率HF的第一高频电源32连接。另外，载置台3经第二匹配器35与供给第二频率的偏置电压产生用的高频功率LF的第二高频电源34连接。第一频率例如可以为40MHz。另外，第二频率可以比第一频率低，例如13.56MHz。本实施方式中，高频功率HF可以被施加到载置台3，也可以被施加到气体喷淋头20。第一匹配器33使负载阻抗与第一高频电源32的内部(或输出)阻抗匹配。第二匹配器35使负载阻抗与第二高频电源34的内部(或输出)阻抗匹配。第一匹配器33以在腔室2内生成等离子体时第一高频电源32的内部阻抗与负载阻抗基本上一致的方式发挥作用。第二匹配器35以在腔室2内生成等离子体时第二高频电源34的内部阻抗与负载阻抗基本上一致的方式发挥作用。气体喷淋头20以隔着覆盖其外缘部的屏蔽环21地封闭腔室2的顶部的开口的方式进行安装。气体喷淋头20与可变直流电源26连接，从可变直流电源26输出负的直流电压(DC)。气体喷淋头20可以由硅形成。气体喷淋头20也作为与载置台3(下部电极)相对的相对电极(上部电极)发挥作用。在气体喷淋头20形成有导入气体的气体导入口22。在气体喷淋头20的内部设置有从气体导入口22分支的中央侧的扩散室24a和边缘侧的扩散室24b。从气体供给源23输出的气体经气体导入口22供给到扩散室24a、24b，在扩散室24a、24b扩散而从多个气体供给孔25向载置台3导入。在腔室2的底面形成有排气口18，通过与排气口18连接的排气装置38对腔室2内排气。由此，能够将腔室2内维持在规定的真空度。在腔室2的侧壁设置有闸阀17。闸阀17在将晶片W送入腔室2或从腔室2送出晶片W时开关。在等离子体处理装置1设置有控制装置整体的动作的控制装置100。控制装置100具有CPU(CentralProcessingUnit，中央处理单元)105、ROM(ReadOnlyMemory，只读存储器)110和RAM(RandomAccessMemory，随机存取存储器)115。CPU105按照存储于RAM115等的存储区域中的处理方案，实施蚀刻等的期望的等离子体处理。在处理方案中设定有对于处理条件的装置的控制信息即处理时间、压力(气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸附方法，其特征在于，包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向所述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高所述腔室内的压力的处理；第二步骤，在所述第一步骤之后，对设置在所述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在所述第二步骤之后，进行停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低所述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在所述第三步骤之后，停止施加所述直流电压。

【技术特征摘要】
2017.06.16 JP 2017-1190431.一种静电吸附方法，其特征在于，包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向所述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高所述腔室内的压力的处理；第二步骤，在所述第一步骤之后，对设置在所述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在所述第二步骤之后，进行停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低所述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在所述第三步骤之后，停止施加所述直流电压。2.如权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于：包括第五步骤，在所述第四步骤之后，将被处理体输送到所述腔室内，对所述静电吸盘施加极...

【专利技术属性】
技术研发人员：平井克典，佐佐木康晴，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP