本发明提供一种不经过催化金属层的形成及其活化处理，而能够形成石墨烯结构体的方法，形成石墨烯结构体的石墨烯结构体形成方法包括：准备被处理基片的步骤；和在上述被处理基片的表面没有催化功能的状态下，通过使用含碳气体作为成膜原料气体进行远程微波...

本发明提供一种在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面上形成薄且均匀的膜厚的氧化硅膜的、形成氧化硅膜的方法和装置。在氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面形成氧化硅膜的方法具有以下工序：第一工序，设为将具有氧化硅膜和氮化硅膜露出的被处理面的被处理体...

本发明提供一种等离子体处理装置，其在进行偏置电功率的大小的切换的等离子体处理中，抑制形成在被处理基片上的倾斜。等离子体处理装置包括：基座，能够被施加在对被处理基片进行等离子体处理期间中能够切换大小的偏置电功率；静电卡盘，其设置在基座上，...

本发明涉及气体供给装置和成膜装置。提供一种能够使工艺开始时的原料气体的流量在短时间内稳定化的气体供给装置。一个实施方式的气体供给装置能够经由缓冲罐和第一高速开闭阀向处理容器内间歇地供给原料气体，所述气体供给装置具有与所述缓冲罐的次级侧连...

本发明提供一种能够恰当地进行处理液的浓度变更的基板液处理装置和存储介质。基板液处理装置(A1)具备：处理液贮存部(38)，其贮存处理液；处理液排出部(41)，其将处理液从处理液贮存部(38)排出；以及控制部(7)，其控制处理液排出部(4...

本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质，根据基片的翘曲来恰当地进行使用了处理液的基片处理。显影处理装置(30)包括：保持晶圆(W)的旋转卡盘(300)；对保持在旋转卡盘(300)上的晶圆(W)的正面供给显影液的显影液喷...

本发明提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸...

本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备：处理槽，其收容处理液和基板；气体喷嘴，其在处理槽内的下部喷出气体；气体供给部，其供给气体；气体供给线，其将气体喷嘴和气体供给...

本公开涉及供给异物更少的处理液的处理液供给装置以及基板处理系统。抗蚀液供给装置(200)经由配设了用于去除抗蚀液中的异物的过滤器(206)以及用于送出抗蚀液的泵(207)的供给路径(202)，向涂布喷嘴(142)供给抗蚀液。在作为隔管泵...

本发明提供一种在具有从晶片的运送容器取出晶片的EFEM(Equipment Front End Module)和用于处理晶片的处理模块的基片处理设备中，能够抑制设备成本高涨并且能够提高吞吐量的技术。将配置3层具有2个处理模块(5A、5B...

涂敷膜形成方法包括：对包括基片(W1)和设置于基片(W1)的表面的凸部(W2)的被处理体(W)进行加热的第一工序；加热涂敷液来得到加热液体的第二工序；和将加热液体以液滴的状态从喷嘴(N)喷洒到第一工序中加热后的被处理体(W)的表面的第三...

描述了用于多区域电极阵列中的RF功率分配的系统和方法的实施方式。系统可以包括等离子体源，该等离子体源被配置成生成等离子体场。此外，该系统可以包括RF电源，该RF电源耦合至等离子体源并且被配置成向等离子体源提供RF功率。该系统还可以包括源...

提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原...

本发明提供一种利用通过微波生成的气体等离子体在处理容器的内部对被处理体进行处理的等离子体处理装置，其包括：从微波导入部导入微波的所述处理容器的微波导入面；和多个气体排出孔，其以包围所述微波导入部的方式以规定间隔配置在从所述微波导入面和与...

本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si2H6气体和NH3气体来形成SiN膜时，针对NH3气体，进行在与Si2H6气体反应前照射紫外线的远程紫外...

本实用新型提供一种基板处理装置。本实用新型的目的在于在具备对基板进行检查的检查组件的基板处理装置中得到高的生产率。该基板处理装置具备：第一加载端口(2A、2B)和第二加载端口(2C、2D)，所述第一加载端口(2A、2B)和第二加载端口(...

本发明提供一种输送装置和基板处理装置。提供能够使输送精度提高的输送系统。一实施方式的输送装置具有：移载器，其在对被输送物的温度进行测定的测定位置与自所述测定位置分离开的待机位置之间移动；温度传感器，其以顶端从所述移载器突出的方式安装于所...

本发明提供一种基片处理装置，其具有：包含处理液喷嘴(61)的处理液供给部(60)；和使处理液喷嘴(61)在第一处理位置(P1)、比第一处理位置(P1)靠上述基片的中心侧的第二处理位置(P2)和后退位置(Q1)之间移动的处理液喷嘴驱动部(...

本发明提供一种抑制在紧接开始进行处理液的循环之后循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。实施方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。罐用于贮存处理液。循环管线用于使从罐送出的处理液返回罐。泵用于形...

本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按...