基片处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种在具有从晶片的运送容器取出晶片的EFEM(Equipment Front End Module)和用于处理晶片的处理模块的基片处理设备中，能够抑制设备成本高涨并且能够提高吞吐量的技术。将配置3层具有2个处理模块(5A、5B)和负载锁定模块(4)处理单元(U)而成的组，沿从EFEM(101)看时向里侧延伸的Y引导件(21)在前后且隔着该Y引导件(21)在左右设置4组。EFEM(101)一侧的交接机构(12)与处理单元(U)一侧的基片运送机构(43)的基片的交接由基片载置部(3)进行，该基片载置部(3)能够使多个晶片(W)沿Y引导件(21)可移动且可升降地以货架布置方式载置。

Substrate processing equipment

The present invention provides a technology capable of suppressing high equipment cost and improving throughput in an EFEM (Equipment Front End Module) with a wafer removed from a wafer transport container and a substrate processing device for processing a wafer processing module. A group consisting of two processing modules (5A, 5B) and a load locking module (4) processing unit (U) will be configured in three layers. Four groups of Y bootstraps (21) extending inward from EFEM (101) will be set up around the front and back and separated from the Y bootstrap (21). The transfer of the substrate between the interface mechanism (12) on the EFEM (101) side and the substrate transport mechanism (43) on the processing unit (U) side is carried out by the substrate carrier (3), which enables multiple wafers (W) to move along the Y guide (21) and to be loaded in a shelf arrangement.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基片处理设备
本专利技术涉及一种包括从基片的运送容器取出基片的EFEM(EquipmentFrontEndModule，设备前端模块)和处理基片的处理模块的基片处理设备。
技术介绍
在半导体制造过程中，对半导体晶片(下面，称为“晶片”)进行成膜、蚀刻、灰化、退火等真空处理。为了以较高的吞吐量进行真空处理，已知一种被称为多腔室系统等的真空处理系统，其中EFEM经由负载锁定室与多边形的真空运送室连接，该真空运送室的一边与真空处理模块连接。另一方面，最近，由于半导体器件的多样化有时在真空处理中需要较长的时间，例如在形成三维的存储器例如NAND电路的情况下，为了交替地多次层叠氧化层、氮化层，一次成膜处理需要较长的时间。因此，为了提高吞吐量，期望一种能够增加处理腔室的数量的系统的结构。在专利文献1中记载了一种系统，其包括：用于从晶片载体引出晶片的设备前端模块(EFEM)；使晶片沿细长路径移动的线性机械臂(linerrobot)；和在线性机械臂的两侧各设置有2个的、用于进行真空处理的处理集群。处理集群包括在第一处理腔室、第二处理腔室和线性机械臂之间运送晶片的集群机械臂(clusterrobot)。另外，在专利文献1中记载了如下情况：线性机械臂能够在大气压下动作，能够由晶片往复设备(wafershuttle)构成。另外，在专利文献2和专利文献3中也记载了一种布局，其中在用于载置并运送晶片的直线状的引导路径的两侧配置有多个用于进行真空处理的设备。这些现有技术与多腔室系统相比，能够增加处理腔室的安装数量，有望有助于提高吞吐量。然而，为了应对对一个晶片的成膜处理等真空处理的时间变长，希望一种能够抑制设备成本高涨，并且进一步提高吞吐量的设备的设计。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014－68009号公报(图4、第0037段、图5、第0039段和第0042段)专利文献2：日本特开2004－349503号公报(图4)专利文献3：日本特开2003－188229号公报(图1和图2)
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术是在上述情况下而完成的，其目的在于提供一种在处理基片时，能够抑制设备成本高涨并且能够提高吞吐量的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的基片处理设备，其特征在于，包括：EFEM，其包括用于载置收纳有多个基片的运送容器的容器载置部和对载置于该容器载置部的运送容器交接基片的交接机构；沿从上述EFEM看时向里侧呈直线状延伸的移动路径可移动地设置的移动部；在俯视时临近与上述移动路径地设置的、上下地配置的多层的处理单元；和基片载置部，其构成为通过升降机构可升降地设置于上述移动部，能够以货架布置方式载置多个基片，上述处理单元具有：用于处理基片的处理模块；和用于在上述处理模块与上述基片载置部之间交接基片的基片运送机构，上述基片载置部构成为能够在由上述交接机构交接基片的位置与由上述多层的处理单元各自的基片运送机构交接基片的位置之间移动。专利技术效果本专利技术在具有EFEM和用于处理基片的处理模块的基片处理设备中，以临近从EFEM看时与向里侧延伸的移动路径的方式配置有多层具有处理模块和基片运送机构的处理单元。而且，沿上述的移动路径可移动且可升降地设置能够以货架布置方式收纳多个基片的基片载置部，由基片载置部进行EFEM侧的基片的交接机构与处理单元侧的基片运送机构之间的运送。因此，能够获得较高的吞吐量，并能够抑制与用于运送的机构有关的成本高涨。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的基片处理设备的外观图。图2是表示第一实施方式的基片处理设备的俯视图。图3是表示第一实施方式的基片处理设备的内部的立体图。图4是表示第一实施方式的基片处理设备的内部的侧视图。图5是表示第一实施方式中使用的基片载置部的分解立体图。图6是表示在第一实施方式中基片载置部内的晶片的交接的情况的说明图。图7是表示本专利技术的第二实施方式的基片处理设备中使用的基片载置部的立体图。图8是表示第二实施方式的基片处理设备的一部分的俯视图。图9是表示本专利技术的第三实施方式的基片处理设备中使用的基片载置部的立体图。图10是表示本专利技术的第四实施方式的基片处理设备中使用的基片载置部的立体图。图11是表示第四实施方式的基片处理设备的一部分的正视图。具体实施方式对本专利技术的第一实施方式的基片处理设备进行说明。如图1的外观图所示，该基片处理设备包括：EFEM101，其用于从收纳有作为基片的晶片的多个运送容器即载体C取出晶片；和与该EFEM101连接，进行晶片的处理的处理区块102。EFEM101具有作为容器载置部的装载站(loadport)11，其构成为例如在例如左右方向(X方向)载置4个作为FOUP的载体C。图2表示在决定了载体C的底部的位置的状态下进行支承的支承部10。在装载站11的里侧设置有运送室13，其配置有对载体C进行晶片的交接的交接机构12。该运送室13被设定为常压气氛例如大气气氛，在运送室13中的临近载体C的壁部，设置有用于开闭作为晶片取出口的开口部的开闭门14。交接机构12构成为：在沿在X方向延伸的引导件15(参照图2)可移动的基体(未图示)可升降、可旋转地设置有可伸缩的关节臂。载体C的前表面的盖在开闭开闭门14时一同打开，由交接机构12取出晶片。如图3和图4所示，在运送室13的相对于装载站11为背面的壁部16，形成有作为交接口的开口部17，其用于使交接机构12在保持着晶片W的状态下通过。该开口部17也可以为在不进行通过该开口部17的后述的晶片W的交接时，由用于划分EFEM101与处理区块102的气氛的未图示的开闭件关闭。在处理区块102的底部的X方向的中央部，设置有作为在Y方向延伸的移动路径即从EFEM101看时向里侧去呈直线状延伸的移动路径的Y引导件21。而且，在处理区块102设置有作为在Y引导件21进行引导并在Y方向可移动的移动部的支柱部22，在该支柱部22的EFEM101侧，设置有沿该支柱部22可升降的基片载置部3。基片载置部3进行移动的区域被设定为常压气氛例如大气气氛。作为用于使支柱部22在Y方向移动的具体的机构，能够使用如下输送带运送机构，例如在与Y引导件21的两端部对应的位置分别设置由驱动源驱动的驱动轮和从动轮并在它们之间挂设输送带，在该输送带固定支柱部22。在说明基片载置部3之前，对处理区块102的结构进行说明。在Y引导件21的左右两侧，沿Y引导件21分别配置2组将各处理单元U配置为例如3层的处理单元U的组(即3层的处理单元U)。在图3中，仅图示了从EFEM101看时在Y引导件21的左侧前后配置有2组的情况，为了方便，处理区块102中除了基片载置部3的移动区域之外的左侧部分由虚线围住。该2组的各处理单元U包括：负载锁定模块4；第一处理模块5A和第二处理模块5B，其经由该负载锁定模块4在其与基片载置部3之间交接晶片W。各处理单元U构成为相同的结构，例如由包含固定于地面的支柱等的结构体(未图示)支承。负载锁定模块4，例如一边沿Y引导件21延伸并且在相当于该一边的壁部形成有送入送出晶片W的运送口41，具有平面形状为五边形的负载锁定室42。因此，运送口41配置成临近近上述的基片载置部3的移动区域。运送口41由闸阀G1开闭。在负载锁定室42内，设置有由绕铅垂轴可旋转本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理设备，其特征在于，包括：EFEM(设备前端模块)，其包括用于载置收纳有多个基片的运送容器的容器载置部和对载置于该容器载置部的运送容器交接基片的交接机构；沿从所述EFEM看时向里侧呈直线状延伸的移动路径可移动地设置的移动部；在俯视时临近所述移动路径地设置的、上下配置的多层的处理单元；和基片载置部，其通过升降机构可升降地设置于所述移动部，能够以货架布置方式载置多个基片，所述处理单元包括：用于处理基片的处理模块；和用于在所述处理模块与所述基片载置部之间交接基片的基片运送机构，所述基片载置部能够在由所述交接机构交接基片的位置与由所述多层的处理单元各自的基片运送机构交接基片的位置之间移动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.22 JP 2016-1447641.一种基片处理设备，其特征在于，包括：EFEM(设备前端模块)，其包括用于载置收纳有多个基片的运送容器的容器载置部和对载置于该容器载置部的运送容器交接基片的交接机构；沿从所述EFEM看时向里侧呈直线状延伸的移动路径可移动地设置的移动部；在俯视时临近所述移动路径地设置的、上下配置的多层的处理单元；和基片载置部，其通过升降机构可升降地设置于所述移动部，能够以货架布置方式载置多个基片，所述处理单元包括：用于处理基片的处理模块；和用于在所述处理模块与所述基片载置部之间交接基片的基片运送机构，所述基片载置部能够在由所述交接机构交接基片的位置与由所述多层的处理单元各自的基片运送机构交接基片的位置之间移动。2.如权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于：所述多层的处理单元沿所述移动路径设置有多个。3.如权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于：所述多层的处理单元设置于所述移动路径的两侧。4.如权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于：所述基片载置部构成为：上下隔开间隔地配置多个为了分别保持多个基片的左右的周缘部而在左右设置的保持部的组，并能够绕铅垂轴旋转以使得该基片载置部的前后方向与所述交接机构和基片运送机构的各进退方向一致。5.如权利要求4所述的基片处理设备，其特征在于：所述基片载置部的旋转中心是该基片载置部的左右方向的中心，该旋转中心与该基片载置部的前后方向的中心相比位于后方侧。6.如权利要求1所述的基片处理设备，其特征在于：所述基片载置部包括以从所述交接机构的进退方向和所述基片运送机构的进退方向的...

【专利技术属性】
技术研发人员：若林真士，近藤圭祐，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP