处理被加工物的方法技术

本发明专利技术提供在调整掩模的开口宽度的基础上，对于等离子体蚀刻提供更牢固的掩模的方法。在一个实施方式的方法中，在被加工物上形成钨膜。被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模。钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域。接着，以保留第1区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻。在钨膜的形成中，对被加工物提供含有钨的前体气体。并且，为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体。

Processing methods of processed products

The invention provides a method for providing a stronger mask for plasma etching on the basis of adjusting the opening width of the mask. In the method of one embodiment, tungsten film is formed on the processed object. The processed object includes a basement membrane and a mask mounted on the basement membrane. The tungsten film includes the first area extending along the side wall of the mask divided into openings and the second area extending on the base film. Then, plasma etching of tungsten films is performed in a manner that preserves the first region. In the formation of tungsten film, the precursor gas containing tungsten is supplied to the processed product. Moreover, in order to supply the active species of hydrogen to the precursors on the processed products, hydrogen plasma is produced.

【技术实现步骤摘要】
处理被加工物的方法
本专利技术的实施方式涉及对被加工物进行处理的方法。
技术介绍
在电子器件的制造中，为了将掩模的图案转印到基底膜而进行等离子体蚀刻。作为掩模通常使用抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模通过光刻技术形成。所以，形成在被蚀刻层的图案的边界尺寸，依赖于通过光刻技术形成的抗蚀剂掩模的分辨极限。伴随着近年来的电子器件的高集成化，要求形成比抗蚀剂掩模的分辨极限小的尺寸的图案。因此，提案有通过在抗蚀剂掩模上沉积氧化硅膜，调整由该抗蚀剂掩模划分出的开口宽度的技术。该技术记载在专利文献1中。关于记载在专利文献1中的技术，利用原子层沉积法(ALD法)在抗蚀剂掩模上形成硅氧化膜。具体而言，对具有抗蚀剂掩模的被加工物交替地供给氨基硅烷气体与活性化了的活性氧。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-82560号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题在一个实施方式中，提供处理被加工物的方法。被加工物具有基底膜和掩模。掩模设置在基底膜上。掩模提供开口。该方法包括：(i)在被加工物上形成钨膜的步骤，其中，钨膜包括沿着划分出开口的掩模的侧壁面延伸的第1区域和在基底膜上延伸的第2区域；(ii)以保留第1区域除去第2区域的方式执行钨膜的等离子体蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤包括：(iii)为了在被加工物上沉积含有钨的前体，而向被加工物供给含有钨的前体气体的步骤；(iv)为了对被加工物上的前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。在一个实施方式中，通过执行前体的沉积和基于氢的活性种进行的前体中的杂质的除去，在掩模和基底膜的表面上形成钨膜。然后，以保留第1区域的方式蚀刻钨膜。由此，调整掩模的开口宽度。并且，由于钨制的第1区域沿着掩模的侧壁面设置，对于基底膜的等离子体蚀刻能够提供更牢固的掩模。但是，基于不使用等离子体的原子层沉积法的钨膜的形成中，为了发生用于前体中的杂质的除去的反应，被加工物的温度通常被设定为250℃以上的温度。另一方面，在一个实施方式的方法中，利用来自氢气的等离子体的氢的活性种除去前体中的杂质而形成钨膜，因此，形成钨膜的步骤的执行中的被加工物的温度被设定为较低的温度。在一个实施方式的形成钨膜的步骤中执行多次循环，该多次循环中的每个循环包括供给前体气体的步骤和生成氢气的等离子体的步骤。在一个实施方式中，前体气体可以为卤化钨气体。在一个实施方式中，前体气体可以为六氟化钨气体。在一个实施方式中，方法还包括：取得被加工物的多个区域的各自的掩模的开口宽度的测定值的步骤；计算出多个区域的各自的开口宽度的测定值与基准值之间的正的差值的步骤；在形成钨膜的步骤中，调整被加工物的多个区域的各自的温度的步骤，从而在被加工物的多个区域的各自中形成具有与差值对应的膜厚的钨膜。形成钨膜的步骤是在调整了被加工物的多个区域各自的温度的状态下执行的。在一个实施方式中，被加工物包括：含硅膜；设置在该含硅膜上的有机膜；设置在该有机膜上的含硅的防反射膜；和设置在该防反射膜上的抗蚀剂掩模。含硅膜包括由硅形成的第1膜和设置在该第1膜上的第2膜，该第2膜由氧化硅形成。在一个实施方式中，基底膜为防反射膜，设置在基底膜上的掩模是抗蚀剂掩模。在该实施方式中，方法还包括：在执行了钨膜的等离子体蚀刻的步骤之后，执行防反射膜的等离子体蚀刻的步骤；执行有机膜的等离子体蚀刻的步骤，该步骤由有机膜形成有机掩模；执行第2膜的等离子体蚀刻的步骤；除去有机掩模的步骤；和执行第1膜的等离子体蚀刻的步骤。在一个实施方式中，基底膜为第1膜，掩模是由第2膜形成的掩模。在该实施方式中，方法还包括：执行防反射膜的等离子体蚀刻的步骤；执行有机膜的等离子体蚀刻的步骤，该步骤由有机膜形成有机掩模；执行第2膜的等离子体蚀刻的步骤；除去有机掩模的步骤；执行第1膜的等离子体蚀刻的步骤。形成钨膜的步骤和执行钨膜的等离子体蚀刻的步骤，在除去有机掩模的步骤与执行第1膜的等离子体蚀刻的步骤之间执行。专利技术效果如以上所说明，能够调整掩模的开口宽度并且能够提供相对于等离子体蚀刻更牢固的掩模附图说明图1是表示一个实施方式的处理被加工物的方法的流程图。图2是能够适用图1所示的方法的一个例子的被加工物的一部分放大截面图。图3是概略地表示在图1所示的方法的执行中能够使用的等离子体处理装置的图。图4的(a)、图4的(b)、图4的(c)和图4的(d)是表示方法MT的执行中能够得到的被加工物的一部分放大截面图，图4的(e)是方法MT的执行之后的状态的被加工物的一部分放大截面图。图5是表示图1所示的步骤STR的一个实施方式的流程图。图6是关于钨膜的形成处理的时序图。图7的(a)是表示钨膜的形成之后的状态的被加工物的一部分放大截面图，图7的(b)是表示钨膜的蚀刻之后的状态的被加工物的一部分放大截面图。图8是表示图5所示的步骤ST11中能够执行的另一处理的流程图。图9是表示图8所示的处理中包含的步骤ST35的流程图。图10是概略地表示图1所示的方法中执行图8所示的处理的情况下能够利用的处理系统的图。图11是例示被加工物的多个区域的一部分的图。图12是表示实验的结果的图表。附图标记说明1…处理系统；OC…光学观察装置；10…等离子体处理装置；12…腔室主体；12s…内部空间；14…工作台；18…下部电极；20…静电吸盘；HT…温度调整部；30…上部电极；50…排气装置；62…第1高频电源；64…第2高频电源；Cnt…控制部；W…被加工物；SF…含硅膜；F1…第1膜；F2…第2膜；OF…有机膜；OFM…有机掩模；BF…防反射膜；RM…抗蚀剂掩模；WF…钨膜；R1…第1区域；R2…第2区域；MK、MK1、MK2、MK3、MK4…掩模；UF…基底膜。具体实施方式以下，参照附图对各种实施方式进行详细的说明。此外，在该附图中，对于相同或者相应的部分标注相同的附图标记。图1是表示一个实施方式的对被加工物进行处理的方法的流程图。图1所示的方法MT包括对掩模的开口宽度进行调整的步骤STR。步骤STR是为了调整步骤ST2、步骤ST3、步骤ST4和步骤ST6中的至少一个步骤的用于等离子体蚀刻的掩模的开口宽度而执行的。图2是表示能够适用图1所示的方法的一个例子的被加工物的局部放大截面图。图2所示的被加工物W能够具有大致圆盘形状。在一个实施方式中，被加工物W具有含硅膜SF、有机膜OF、防反射膜BF和抗蚀剂掩模RM。含硅膜SF设置在基底层BL上。含硅膜SF在一个实施方式中包括第1膜F1和第2膜F2。第1膜F1设置在基底层BL上，第2膜F2设置在第1膜F1上。第1膜F1和第2膜F2含有硅，并且彼此由不同的材料形成。第1膜F1例如由硅形成。第1膜F1可以为多晶硅膜或者非晶硅膜。第2膜F2例如由氧化硅形成。有机膜OF设置在含硅膜SF上。防反射膜BF设置在有机膜OF上。防反射膜BF含有硅。抗蚀剂掩模RM设置在防反射膜BF上。抗蚀剂掩模RM具有要通过等离子体蚀刻转印到防反射膜BF的图案。即，抗蚀剂掩模RM提供开口ORM。开口ORM是槽或者孔，使防反射膜BF的表面局部地露出。抗蚀剂掩模RM能够通过基于光刻技术的抗蚀剂膜的图案化而形成。如图1所示，方法MT包括步骤ST1～步骤ST6和步骤STR。在步骤ST1～步骤ST6和步骤STR的执行中，使用了一个以上的等离子体处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种处理被加工物的方法，其特征在于：所述被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模，该掩模提供开口，所述方法包括：在所述被加工物上形成钨膜的步骤，该钨膜包括沿着划分出所述开口的所述掩模的侧壁面延伸的第1区域和在所述基底膜上延伸的第2区域；和以保留所述第1区域除去所述第2区域的方式执行所述钨膜的等离子体蚀刻的步骤，所述形成钨膜的步骤包括：为了在所述被加工物上沉积含钨的前体，而向所述被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向所述被加工物上的所述前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。

【技术特征摘要】
2017.09.12 JP 2017-1749571.一种处理被加工物的方法，其特征在于：所述被加工物包括基底膜和设置在该基底膜上的掩模，该掩模提供开口，所述方法包括：在所述被加工物上形成钨膜的步骤，该钨膜包括沿着划分出所述开口的所述掩模的侧壁面延伸的第1区域和在所述基底膜上延伸的第2区域；和以保留所述第1区域除去所述第2区域的方式执行所述钨膜的等离子体蚀刻的步骤，所述形成钨膜的步骤包括：为了在所述被加工物上沉积含钨的前体，而向所述被加工物供给含钨的前体气体的步骤；和为了向所述被加工物上的所述前体供给氢的活性种，而生成氢气的等离子体的步骤。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述形成钨膜的步骤中执行多次循环，该多次循环中的每一个循环包括所述供给前体气体的步骤和所述生成氢气的等离子体的步骤。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述前体气体为卤化钨气体。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述前体气体为六氟化钨气体。5.如权利要求1～4中任一项所述的方法，其特征在于：所述被加工物包括含硅膜、设置在该含硅膜上的有机膜、设置在该有机膜上的含硅的防反射膜、和设置在该防反射膜上的抗蚀剂掩模，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：长友优，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP