一种三维(3‑D)集成电路(IC)，包括具有基板表面的基板。第一半导体装置具有第一电接点并且在第一平面上形成于所述表面的第一区域中，所述第一平面基本上平行于所述基板表面半导体装置。包括第二电接点的第二半导体装置在第二平面上形成于所述表面...

本文描述的是用于确定从等离子体处理系统获取的光发射光谱(OES)数据的终点的架构、平台和方法。所述OES数据例如包括吸附步骤过程、解吸步骤过程或其组合。在该示例中，所述OES数据在终点确定之前经受信号同步和瞬态信号滤波，这可以通过应用移...

本发明提供基板液处理装置。防止从内槽内的处理液表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备：内槽，其能积存处理液并具有上部开口；外槽，其设置于内槽的外侧并供处理液从内槽流入；第1盖体，其能在覆盖内槽的上部开口...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置向基板供给处理气体而获得薄膜。该成膜装置包括：旋转台，其配置于真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域上载置基板并使该基板进行公转；处理气体供给机构，其用于向所述旋转台的一面侧的气体供给区域供给所述处理...

本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻...

本发明提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，该基板处理装置和基板处理方法提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、磷酸处理液供给部、循环路径、SiO2析出防止剂供给部以及混合部。磷酸...

本发明提供一种基板处理装置。抑制微粒的产生，同时限制由处理空间的内压导致的盖体的移动。实施方式的基板处理装置是在高压环境下对基板进行处理的基板处理装置，其具备压力容器、盖体、以及锁定机构。压力容器具有开口。盖体封堵开口。锁定机构限制由压...

本文的技术提供了基于蚀刻的平面化技术。在基底上沉积初始膜。由于下层结构的区域密度不同(例如，开放区域与紧密间隔的沟槽相比)，该初始膜的沉积导致非平坦膜。执行蚀刻工艺，其使用反向滞后RIE工艺来平坦化初始膜，然后可以沉积膜材料的另一涂层，...

一实施方式的方法包括：(a)第1工序，在维持第1方向与第2方向成第1角度的状态下，通过在处理容器内产生的等离子体，对由保持结构体保持的被处理体进行蚀刻；及(b)第2工序，在实施第1工序后，在维持第1方向与第2方向成第2角度的状态下，通过...

本发明提供一种不增加成本而能够测量流过多个器件的电流的器件检查电路。盒侧检查电路(21)的供电电路(27)包括运算放大器(29)和检测电阻(30)，具有电流测量功能的电源(25)、运算放大器(29)、检测电阻(30)和DUT(26)按以...

在基板的表面形成钨膜的钨膜的成膜方法具有：在减压气氛下的处理容器内配置表面具有非晶层的基板；对处理容器内的基板进行加热；以及、向处理容器内供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，在非晶层上形成主钨膜。

本公开涉及基板处理装置、基板处理方法以及计算机存储介质。在具备在减压气氛下对基板进行处理的处理室和搬送室的基板处理装置中，减少从处理室被带入搬送室的异物、即沉积物。具备在减压气氛下对基板进行处理的COR模块和经由闸门(46b)与COR模...

本发明提供一种能够可靠地向基片的表面供给清洗液并且抑制清洗液飞散地除去处理液的基片处理方法等。在对旋转的基片(W)进行了液处理之后，当供给清洗液以除去处理液时，在排出位置移动步骤中，使清洗液喷嘴(421)和气体喷嘴(411)从基片的中央...

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置能够抑制装置的大型化并且确认基板的周缘部的状态。实施方式所涉及的基板处理装置具备搬入搬出站、交接站、处理站以及摄像单元。搬入搬出站具有将基板从盒取出并且进行搬送的第一搬送装置。交接站与搬入搬出站...

本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)...

本发明提供加热处理装置和加热处理方法。在将基板在热处理空间中加热之际，防止热处理空间内的气流的停滞的产生而使升华物的排气所需要的排气量减少。热处理空间(S)的侧面部由具有外侧闸门(260)和内侧闸门(270)的闸门构件(250)构成。供...

本发明提供一种能够控制对基板实施的处理的面内分布的基板处理方法和基板处理装置。在一实施方式的基板处理方法中，从沿着喷射器的长度方向设置的多个气孔供给处理气体，对收容于处理容器内的基板进行预定的处理，该喷射器沿着所述处理容器的内壁面在上下...

本发明提供一种对基板的研磨对象面均匀地进行研磨的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在基板处理方法中，一边将研磨刷(29)推压于以水平姿势绕铅垂轴线旋转的基板(5)的研磨对象面，一边使研磨刷沿水平方向移动，由此对研磨对象面进行研磨，...