基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基片处理装置，其具有：包含处理液喷嘴(61)的处理液供给部(60)；和使处理液喷嘴(61)在第一处理位置(P1)、比第一处理位置(P1)靠上述基片的中心侧的第二处理位置(P2)和后退位置(Q1)之间移动的处理液喷嘴驱动部(65)。在第一移动步骤中，使基片以第一转速(R1)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从后退位置(Q1)向第一处理位置(P1)移动。在第一移动步骤后的第二移动步骤中，使基片以比第一转速(R1)高的第二转速(R2)旋转，并且使处理液喷嘴(61)一边排出处理液一边从第一处理位置(P1)向第二处理位置(P2)移动。由此，能够抑制在基片的上表面产生颗粒。

Substrate Processing Device, Substrate Processing Method and Storage Media

The invention provides a substrate processing device, which comprises a processing liquid supply unit (60) comprising a processing liquid nozzle (61) and a processing liquid nozzle drive unit (65) that moves the processing liquid nozzle (61) between the first processing position (P1), the second processing position (P2) and the backward position (Q1) on the central side of the substrate compared with the first processing position (P1). In the first moving step, the substrate is rotated at the first rotating speed (R1) and the treatment liquid nozzle (61) moves from the backward position (Q1) to the first processing position (P1) while discharging the treatment liquid. In the second moving step after the first moving step, the substrate is rotated at a second rotating speed (R2) higher than the first rotating speed (R1), and the treatment liquid nozzle (61) moves from the first processing position (P1) to the second processing position (P2) while discharging the treatment liquid. As a result, the formation of particles on the upper surface of the substrate can be inhibited.

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
技术介绍
在作为基片的半导体晶片(以下称为“晶片”)等的上表面形成集成电路的层叠构造(器件)的半导体器件的制造工序中，使用氟酸等的药液，来除去形成在晶片的上表面的自然氧化膜中的在晶片周缘部形成的部分(例如参照专利文献1)。除去这样的自然氧化膜的步骤有时称为斜边清洗或者边缘清洗。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-164858号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题为了在晶片的周缘部等的有限区域中通过蚀刻来除去自然氧化膜，需要减少药液向晶片的排出量，实现自然氧化膜的蚀刻宽度的精度提高。当减少药液的排出量时，在药液刚开始排出后，排出量变得不稳定。于是，当要除去晶片周缘部的自然氧化膜时，在从喷嘴向晶片周缘部供给药液之前，在从晶片后退了的后退位置从喷嘴排出药液规定时间。之后，一边排出药液一边使喷嘴向晶片的周缘部移动，由此，在喷嘴向晶片周缘部供给药液时，使来自喷嘴的药液排出量稳定。但是，由于喷嘴一边排出药液一边通过晶片的斜边部的上方，因此，排出的药液冲撞斜边部而向周围飞散。当该飞散了的药液附着在蚀刻后残留的自然氧化膜的表面时，成为颗粒源。特别是，近年来，颗粒的检查对象小粒径化，或颗粒的检查范围在半径方向上扩大，使得颗粒的应对方法成为当务之急。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制在基片的上表面产生颗粒的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。用于解决问题的技术方案本专利技术的一实施方式提供一种基片处理装置，其包括：将基片水平保持的保持部；使上述保持部旋转的旋转驱动部；包含排出处理液的处理液喷嘴的处理液供给部；处理液喷嘴驱动部，其使上述处理液喷嘴在以下位置之间移动，即：对上述基片供给上述处理液的第一处理位置、比上述第一处理位置靠上述基片的中心侧的对上述基片供给上述处理液的第二处理位置、从上述基片后退出的后退位置；和控制部，上述控制部控制上述旋转驱动部、上述处理液喷嘴驱动部和上述处理液供给部来执行以下步骤：第一移动步骤，使上述基片以第一转速旋转，并且一边从上述处理液喷嘴排出上述处理液一边使上述处理液喷嘴从上述后退位置移动到上述第一处理位置；和第二移动步骤，在上述第一移动步骤之后，使上述基片以比上述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从上述处理液喷嘴排出上述处理液一边使上述处理液喷嘴从上述第一处理位置移动到上述第二处理位置。本专利技术的一实施方式提供一种基片处理方法，其包括：将基片水平保持的保持步骤；第一移动步骤，使上述基片以第一转速旋转，并且一边从处理液喷嘴排出处理液，一边使上述处理液喷嘴从自上述基片后退出的后退位置移动到对上述基片供给上述处理液的第一处理位置；和第二移动步骤，在上述第一移动步骤之后，使上述基片以比上述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从上述处理液喷嘴排出上述处理液，一边使上述处理液喷嘴从上述第一处理位置移动到比上述第一处理位置靠上述基片的中心侧的对上述基片供给上述处理液的第二处理位置。本专利技术的另一实施方式提供一种存储介质，其记录有程序，该程序在由用于控制基片处理装置的动作的计算机执行时，上述计算机控制上述基片处理装置来执行上述基片处理方法。专利技术效果根据本专利技术，能够抑制在基片的上表面产生颗粒。附图说明图1是表示本实施方式中的基片处理系统的概略结构的图。图2是本实施方式中的基片处理装置的概略纵截面图。图3是表示图2的各喷嘴的示意平面图。图4是用于说明来自图3的氟酸喷嘴的氟酸的排出方向的图，是图3的A-A线截面的示意纵截面图。图5是用于说明来自图3的氟酸喷嘴的氟酸的排出方向的图，是图3的B-B线截面的示意纵截面图。图6是用于说明来自图3的氟酸喷嘴的氟酸的排出方向的示意平面图。图7是用于说明本实施方式的基片处理方法中的旋转开始步骤的图。图8是用于说明图7所示的旋转开始步骤之后的氟酸的排出开始步骤的图。图9是用于说明图8所示的排出开始步骤之后的氟酸喷嘴从后退位置向第一处理位置移动的第一移动步骤的图。图10是用于说明图9所示的第一移动步骤之后的晶片的转速上升步骤的图。图11是用于说明图10所示的转速上升步骤之后的氟酸喷嘴从第一处理位置向第二处理位置移动的第二移动步骤的图。图12是用于说明图11所示的第二移动步骤之后的自然氧化膜除去步骤的图。图13是用于说明图12所示的自然氧化膜除去步骤之后的氟酸喷嘴从第二处理位置向第一处理位置移动的第三移动步骤的图。图14是用于说明图13所示的第三移动步骤之后的晶片的转速降低步骤的图。图15是用于说明图14所示的转速降低步骤之后的氟酸喷嘴从第一处理位置向后退位置移动的第四步骤的图。图16是用于说明图15所示的第四移动步骤之后的氟酸的排出结束步骤的图。附图标记说明18控制部30基片处理装置31保持部33旋转驱动部42上部环48排气部51流量调节阀60处理液供给部61处理液喷嘴65处理液喷嘴驱动部E1第一排气量E2第二排气量P1第一处理位置P2第二处理位置R1第一转速R2第二转速Q1后退位置S1内侧空间S2周缘空间W晶片。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的基片处理装置、基片处理方法和存储介质的一实施方式。此外，本说明书的附图所示的结构中，为了方便图示和理解，包含有尺寸和比例尺与实际物品不同的部分。图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。在以下中，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2和处理站3相邻设置。送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置用于将多个基片，在本实施方式中为半导体晶片(以下晶片W)以水平状态收纳的多个载体C。输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有用于保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有用于保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动和以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。处理单元16对由基片输送装置17搬送的晶片W进行规定的基片处理。另外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。存储部19存储有用于控制基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过对存储在存储部19中的程序进行读取和执行，来控制基片处理系统1的动作。此外，该程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，能够从该存储介质安装到控制装置4的存储部19。作为计算机可读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。在如上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：将基片水平保持的保持部；使所述保持部旋转的旋转驱动部；包含排出处理液的处理液喷嘴的处理液供给部；处理液喷嘴驱动部，其使所述处理液喷嘴在以下位置之间移动，即：对所述基片供给所述处理液的第一处理位置、比所述第一处理位置靠所述基片的中心侧的对所述基片供给所述处理液的第二处理位置、从所述基片后退出的后退位置；和控制部，所述控制部控制所述旋转驱动部、所述处理液喷嘴驱动部和所述处理液供给部来执行以下步骤：第一移动步骤，使所述基片以第一转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述后退位置移动到所述第一处理位置；和第二移动步骤，在所述第一移动步骤之后，使所述基片以比所述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述第一处理位置移动到所述第二处理位置。

【技术特征摘要】
2017.08.23 JP 2017-1605381.一种基片处理装置，其特征在于，包括：将基片水平保持的保持部；使所述保持部旋转的旋转驱动部；包含排出处理液的处理液喷嘴的处理液供给部；处理液喷嘴驱动部，其使所述处理液喷嘴在以下位置之间移动，即：对所述基片供给所述处理液的第一处理位置、比所述第一处理位置靠所述基片的中心侧的对所述基片供给所述处理液的第二处理位置、从所述基片后退出的后退位置；和控制部，所述控制部控制所述旋转驱动部、所述处理液喷嘴驱动部和所述处理液供给部来执行以下步骤：第一移动步骤，使所述基片以第一转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述后退位置移动到所述第一处理位置；和第二移动步骤，在所述第一移动步骤之后，使所述基片以比所述第一转速高的第二转速旋转，并且一边从所述处理液喷嘴排出所述处理液一边使所述处理液喷嘴从所述第一处理位置移动到所述第二处理位置。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部控制所述旋转驱动部和所述处理液喷嘴驱动部，使得在所述第一移动步骤与所述第二移动步骤之间执行一边使所述处理液喷嘴维持在所述第一处理位置，一边使所述基片的转速从所述第一转速上升到所述第二转速的转速上升步骤。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：环状的罩部件，其划分出形成在所述保持部所保持的所述基片的上方的内侧空间，且隔着与所述内侧空间连通的周缘空间覆盖所述基片的周缘部；和经由所述周缘空间将所述罩部件的所述内侧空间的气体排出的排气部，所述排气部具有调整从所述内侧空间排出的气体的排气量的排气量调节部，所述控制部控制所述排气部，使得在所述第一移动步骤中，将所述内侧空间的所述气体以第一排气量排出，在所述第二移动步骤中，将所述内侧空间的所述气体以比所述第一排气量少的第二排气量排出。4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部控制所述排气部，使得在所述转速上升步骤中所述内侧空间的所述气体的排气量从所述第一排气量降低至所述第二排气量。5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，还包括：环状的罩部件，其划分出形成在所述保持部所保持的所述基片的上方的内侧空间，且隔着与所述内侧空间连通的周缘空间覆盖所述基片的周缘部；和经由所述周缘空间将所述罩部件的所述内侧空间的气体排出的排气部，所述排气部具有调整从所述内侧空间排出的所述气体的排气量的排气量调节部，所述控制部控制所述排气部，使得在所述第一移动步骤中，将所述内侧空间的所述气体以第一排气量排出，在所述第二移动步骤中，将所述内侧空...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤田阳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP