衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。本发明专利技术的技术能够提高衬底的面间均匀性。衬底处理装置具备：在制品晶片支承区域的上下具有虚设晶片支承区域的衬底保持件；收容衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于喷嘴的气体供给孔并对衬底保持件实施气体供给，其中，管状的喷嘴以沿着衬底保持件而在上下方向上延伸的方式配置；和将处理室的气氛排气的排气部，在衬底处理装置中，气体供给孔构成为使得其上端位于比被虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。

Substrate Processing Unit, Manufacturing Method of Semiconductor Device and Recording Media

The invention relates to a substrate processing device, a manufacturing method of a semiconductor device and a recording medium. The technology of the invention can improve the interfacial uniformity of the substrate. The substrate processing device is provided with: a substrate holder having a fictitious wafer support area above and below the wafer support area; a processing chamber for receiving the substrate holder; a gas supply unit having a tubular nozzle and a gas supply hole arranged in the nozzle, and a gas supply for the substrate holder, in which the tubular nozzle extends in the upper and lower directions along the substrate holder. In the substrate processing device, the gas supply hole is formed so that the upper end is located at a lower position than the imaginary wafer supported at the top of the imaginary wafer support area.

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
在半导体器件(Device)的制造工序中，使用了例如一并处理多张衬底的立式的衬底处理装置。立式的衬底处理装置构成为使用沿多张衬底而在上下方向上延伸的多孔喷嘴来对各衬底供给气体(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-6551号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题然而，在以往构成的衬底处理装置中，存在在各衬底的面间处理状况变得不均匀的可能性。本专利技术提供一种能够提高衬底的面间均匀性的技术。用于解决课题的手段根据一个方案，提供一种技术：其具备：衬底保持件，其具有制品晶片支承区域、上方虚设晶片支承区域和下方虚设晶片支承区域，所述制品晶片支承区域将形成有图案的制品晶片以层叠多张的状态进行支承，所述上方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的上方侧来支承虚设晶片(dummywafer)，所述下方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的下方侧来支承所述虚设晶片；收容所述衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于所述喷嘴的气体供给孔，并对所述衬底保持件实施气体供给，其中，所述管状的喷嘴以沿着收容在所述处理室内的所述衬底保持件而在上下方向上延伸的方式配置；和将所述处理室的气氛排气的排气部，其中，所述气体供给孔构成为使得所述气体供给孔的上端位于比被所述上方虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。专利技术效果根据本专利技术涉及的技术，能够提高衬底的面间均匀性。附图说明图1：为概略地示出本专利技术的实施方式中合适使用的衬底处理装置的一个例子的纵剖面图。图2：为概略地示出本专利技术的实施方式中合适使用的处理炉的一个例子的俯视图。图3：为概略地示出本专利技术的实施方式中合适使用的喷嘴的一个例子的示意图。图4：为示出气体相对于晶片的流动的概念的一个例子的说明图。图5：为示出对晶片实施气体供给时的气体分压分布的模拟结果的一个例子的说明图。附图标记说明2…衬底处理装置、10A…供给缓冲室(阻隔空间)、10B…排气缓冲室(排气通路)、14…处理室、14a…圆筒部、14b…盖体、14c…收纳体、14d…管道体、26…晶舟(衬底保持件)、26a…制品晶片支承区域、26b…上方虚设晶片支承区域、26c…下方虚设晶片支承区域、34…气体供给机构、44a、44b…喷嘴、45a…狭缝气体(气体供给孔)、45b…气体供给孔、46a,46b…上端、47a,47b…下端、100…控制器、104…存储部、W…晶片、Wp…制品晶片、Wd…虚设晶片具体实施方式＜本专利技术的一个实施方式＞以下，参照附图，针对本专利技术的非限定性的例示的实施方式进行说明。需要说明的是，在以下所示的全部附图中，针对同一或对应的构成，标注同一或对应的附图标记，并省略重复说明。(1)衬底处理装置的构成首先，针对本专利技术的一个实施方式涉及的衬底处理装置的概略构成进行说明。在此举出例子说明的衬底处理装置是用于实施作为半导体器件(Device)的制造方法中的制造工序的一个工序的、成膜处理等衬底处理工序的装置，构成为一并处理多张衬底的立式的衬底处理装置(以下，简称为“处理装置”)2。(反应管)如图1所示，处理装置2具备圆筒形状的反应管10。反应管10由例如石英、碳化硅(SiC)等具有耐热性及耐腐蚀性的材料形成。在反应管10的内部，形成有对作为衬底的晶片W进行处理的处理室14。另一方面，在反应管10的外周设置有作为加热手段(加热机构)的加热器12，由此构成为能够对处理室14内进行加热。另外，如图2所示，在反应管10中，作为气体供给室的供给缓冲室10A和排气缓冲室10B以在面对彼此的状态下向外侧突出的方式形成。供给缓冲室10A内及排气缓冲室10B内通过隔壁10C而被划分为多个空间。在供给缓冲室10A内的各区段中分别设置有后述的喷嘴44a、44b。在供给缓冲室10A及排气缓冲室10B的内壁侧(处理室14侧)上分别形成有多个横长形状的狭缝10D。优选的是，供给缓冲室10A的侧壁及隔壁10C中的处理室14侧的端缘附近部分10E由于后述的理由而并非形成为角状而是形成为具有圆角，由此，供给缓冲室10A中的处理室14侧的出口部分构成为在俯视时以锥状扩展。需要说明的是，在反应管10中，作为温度检测器的温度检测部16沿反应管10的外壁而立设。另外，如图1所示，在反应管10的下端开口部，经由O型圈等密封部件20而连结有圆筒形的集流管18，并且支承反应管10的下端。集流管18由例如不锈钢等金属材料形成。集流管18的下端开口部通过圆盘状的盖部22而被开闭。盖部22由例如金属材料形成。在盖部22的上表面设置有O型圈等密封部件20，由此，反应管10内与外部气体被气密地密封。在盖部22上，在中央载置有隔热部24，所述隔热部24的上下范围形成有孔。隔热部24由例如石英形成。(处理室)在上述反应管10的内部形成的处理室14是用于处理作为衬底的晶片W的部件，构成为在其内部收容作为衬底保持件的晶舟26。即，处理室14是由下述部件通过例如石英、SiC等具有耐热性及耐腐蚀性的材料而一体形成的：包围晶舟26的外周侧的圆筒部14a；将上述圆筒部14a的上端封闭的平板状的盖体14b；以从圆筒部14a的侧部向外侧突出的方式形成作为阻隔空间的供给缓冲室10A、并收容喷嘴44a、44b的收纳体14c；管道体14d，其以从与收纳体14c相反的侧部向外侧突出的方式形成作为被阻隔的排气通路的排气缓冲室10B。需要说明的是，对于构成处理室14的圆筒部14a的直径而言，将其设为构成为小至无法在与圆筒部14a同轴地被保持的晶片W(特别是后述的制品晶片Wp)与圆筒部14a之间的间隙中配置喷嘴44a、44b的程度。(晶舟)收容在处理室14内的、作为衬底保持件的晶舟26是在垂直方向上以架状支承多张(例如25～150张)晶片W的部件。晶舟26由例如石英、SiC等材料形成。如图3所示，作为用于支承晶片W的区域，晶舟26具有：制品晶片支承区域26a、上方虚设晶片支承区域26b及下方虚设晶片支承区域26c。制品晶片支承区域26a为将形成有图案的制品晶片Wp以层叠多张的状态进行支承的区域。上方虚设晶片支承区域26b为在制品晶片支承区域26a的上方侧来支承未形成图案的虚设晶片Wd的区域。下方虚设晶片支承区域26c为在制品晶片支承区域26a的下方侧来支承未形成图案的虚设晶片Wd的区域。另外，如图1所示，晶舟26利用贯通盖部22及隔热部24的旋转轴28而被支承于隔热部24的上方。在盖部22的供旋转轴28贯通的部分设置有例如磁流体密封，旋转轴28连接于在盖部22的下方设置的旋转机构30。由此，晶舟26以能够在将处理室14的内部气密地密封的状态下通过旋转机构30而旋转的方式被支承。盖部22利用作为升降机构的晶舟升降机32而在上下方向上被驱动。由此，晶舟26通过晶舟升降机32而与盖部22一体地升降、从而相对于在反应管10的内部形成的处理室14而被搬入及搬出。(气体供给部)处理装置2具备将用于衬底处理的气体向处理室14内的晶舟26供给的、作为气体供给部的气体供给机构34。气体供给机构34所供给的气体根据待成膜的膜的种类而变换。这里，气体供给机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具备：衬底保持件，其具有制品晶片支承区域、上方虚设晶片支承区域和下方虚设晶片支承区域，所述制品晶片支承区域将形成有图案的制品晶片以层叠多张的状态进行支承，所述上方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的上方侧来支承虚设晶片，所述下方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的下方侧来支承所述虚设晶片；收容所述衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于所述喷嘴的气体供给孔，并对所述衬底保持件实施气体供给，其中，所述管状的喷嘴以沿着收容在所述处理室内的所述衬底保持件在上下方向上延伸的方式配置；和将所述处理室的气氛排气的排气部，其中，所述气体供给孔构成为使得所述气体供给孔的上端位于比被所述上方虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。

【技术特征摘要】
2017.09.05 JP 2017-1703401.衬底处理装置，其具备：衬底保持件，其具有制品晶片支承区域、上方虚设晶片支承区域和下方虚设晶片支承区域，所述制品晶片支承区域将形成有图案的制品晶片以层叠多张的状态进行支承，所述上方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的上方侧来支承虚设晶片，所述下方虚设晶片支承区域在所述制品晶片支承区域的下方侧来支承所述虚设晶片；收容所述衬底保持件的处理室；气体供给部，其具有管状的喷嘴和设置于所述喷嘴的气体供给孔，并对所述衬底保持件实施气体供给，其中，所述管状的喷嘴以沿着收容在所述处理室内的所述衬底保持件在上下方向上延伸的方式配置；和将所述处理室的气氛排气的排气部，其中，所述气体供给孔构成为使得所述气体供给孔的上端位于比被所述上方虚设晶片支承区域支承的最上方的虚设晶片低的位置。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给孔构成为使得所述气体供给孔的下端位于比被所述下方虚设晶片支承区域支承的最下方的虚设晶片高的位置。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给孔为从上端至下端连续的孔形状。4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述处理室是由下述部件通过具有耐热性及耐腐蚀性的材料而一体地形成的，所述部件为：包围所述衬底保持件的外周侧的圆筒部；将所述圆筒部的上端封闭的平板状的盖体；以从所述圆筒部的侧部向外侧突出的方式形成阻隔空间从而收容所述喷嘴的收纳体；和管道体，其以从与所述侧部相反的侧部向外侧突出的方式形成被阻隔的排气通路，其中，所述圆筒部的直径构成为小至无法在与所述圆筒部同轴地被保持的所述制品晶片与所述圆筒部之间的间隙配置所述喷嘴的程度。5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给孔为从上端至下端断续地设置有多个孔的结构。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述处理室是由下述部件通过具有耐热性及耐腐蚀性的材料而一体地形成的，所述部件为：包围所述衬底保持件的外周侧的圆筒部；将所述圆筒部的上端封闭的平板状的盖体；以从所述圆筒部的侧部向外侧突出的方式形成阻隔空间从而收容所述喷嘴的收纳体；和管道体，其以从与所述侧部相反的侧部向外侧突出的方式形成被阻隔的排气通路，其中，所述圆筒部的直径构成为小至无法在与所述圆筒部同轴地被保持的所述制品晶片与所述圆筒部之间的间隙配置所述喷嘴的程度。7.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述处理室是由下述部件通过具有耐热性及耐腐蚀性的材料而一体地形成的，所述部件为：包围所述衬底保持件的外周侧的圆筒部；将所述圆筒部的上端封闭的平板状的盖体；以从所述圆筒部的侧部向外侧突出的方式形成阻隔空间从而收容所述喷嘴的收纳体；和管道体，其以从与所述侧部相反的侧部向外侧突出的方式形成被阻隔的排气通路，其中，所述圆筒部的直径构成为小至无法在与所述圆筒部同轴地被保持的所述制品晶片与所述圆筒部之间的间隙配置所述喷嘴的程度。8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给孔为从上端至下端连续的孔形状。9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述处理室是由下述部件通过具有耐热性及耐腐蚀性的材料而一体地形成的，所述部件为：包围所述衬底保持件的外周侧的圆筒部；将所述圆筒部的上端封闭的平板状的盖体；以从所述圆筒部的侧部向外侧突出的方式形成阻隔空间从而收容所述喷嘴的收纳体；和管道体，其以从与所述侧部相反的侧部向外侧突出的方式形成被阻隔的排气通路，其中，所述圆筒部的直径构成为小至无法在与所述圆筒部同轴地被保...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田秀成，佐佐木隆史，三村英俊，冈嶋优作，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP