【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。
技术介绍
1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行对在表面设置有沟槽、孔等凹部的衬底供给原料，在凹部内形成膜的工序(例如，参见国际公开第2019/003662号)。
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本专利技术的目的在于，提供一种能够在设于衬底的表面的凹部内以高精度形成膜的技术。
3、用于解决课题的手段
4、根据本专利技术的一个方式，提供进行下述工序的技术，
5、(a)通过对在表面设有凹部的衬底供给第1成膜剂，从而在上述凹部内形成第1膜的工序；
6、(b)通过对上述衬底供给第2成膜剂，从而在形成于上述凹部内的上述第1膜上形成化学组成与上述第1膜不同的第2膜的工序；
7、(c)通过对上述衬底供给含氟的改质剂，从而使上述第2膜的一部分改质的工序；和
8、(d)通过对上述衬底供给含卤素的蚀刻剂，从而将上述第2膜中的经改质的部分除去的工序。
9、专利技术效果
10、根据本专利技术，能够在设于衬底的表面的凹部内以高精度形成膜。
【技术保护点】
1.衬底处理方法，其具有：
2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其还具有：(e)通过对所述衬底供给第3成膜剂，从而在将经改质的部分除去后的所述第2膜上形成第3膜的工序。
3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为氧化膜。
4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜是硅氧化膜。
5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜是硅氧化膜以外的其他膜。
6.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜是含硅及氮的膜。
7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述凹部的表面由硅氧化膜以外的其他材料构成。
8.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述凹部的表面由含硅的材料构成。
9.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂包含氟及氧。
10.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂包含氟、氮及氧。
11.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂是含氮及氧的气体与含氟气体的混合气体、含氟、氮及氧
12.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂与所述第1膜的反应性低于所述改质剂与所述第2膜的反应性。
13.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(c)中，使所述第2膜中的从所述第2膜的表面至与所述第1膜的一部分接触的部位为止的区域的一部分改质，在(d)中，使所述第1膜的一部分露出。
14.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜具有接缝或孔隙，
15.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(c)中，使所述第2膜的一部分改质为含氟及氧的层。
16.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，在(c)中，使所述第2膜的一部分改质为含硅、氟及氧的层。
17.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述蚀刻剂是包含氟、氯、碘中的至少任一者的物质。
18.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述蚀刻剂与所述第1膜的反应性低于所述蚀刻剂与所述第2膜中的经改质的部分的反应性。
19.半导体器件的制造方法，其具有：
20.衬底处理装置，其具有：
21.程序，其通过计算机使衬底处理装置执行下述步骤：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.衬底处理方法，其具有：
2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其还具有：(e)通过对所述衬底供给第3成膜剂，从而在将经改质的部分除去后的所述第2膜上形成第3膜的工序。
3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为氧化膜。
4.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜是硅氧化膜。
5.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜是硅氧化膜以外的其他膜。
6.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述第2膜是含硅及氮的膜。
7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述凹部的表面由硅氧化膜以外的其他材料构成。
8.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述凹部的表面由含硅的材料构成。
9.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂包含氟及氧。
10.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂包含氟、氮及氧。
11.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，所述改质剂是含氮及氧的气体与含氟气体的混合气体、含氟、氮及氧的气体与含氟气体的混合气体、或者含氟、氮及氧的气体。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：原田胜吉，上野亮太，桥本良知，中谷公彦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。