【技术实现步骤摘要】
本公开文本涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
1、以往，作为衬底处理装置的一例，如专利文献1～7这样，已知有制造半导体器件的半导体制造装置。作为半导体制造装置的一例，已知有立式装置。作为立式装置的衬底处理装置，已知有下述装置：在反应管内，设置有将作为衬底的晶片保持为多层的作为衬底保持部件的晶舟，并且以多个衬底被保持的状态在反应管内的处理室中对衬底进行处理。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-167400号公报
5、专利文献2：日本特开2011-249407号公报
6、专利文献3：日本特开2021-52092号公报
7、专利文献4：日本特开2014-236129号公报
8、专利文献5：日本特开2019-165210号公报
9、专利文献6：日本特开2021-150410号公报
10、专利文献7：日本特开2022-52622号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、然而，现有技术中，关于配置于处理室的端部的晶片，存在无法充分地控制通过处理而形成于晶片上的膜的厚度的面内均匀性的情况。
3、本公开文本提供在多个制品晶片(product wafer)中能够局部地使端部的制品晶片的面内均匀性提高的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其
6、(a)处理室，其供多个衬底以沿着上下方向排列的状态被收纳，所述处理室在内部具备制品区域和设置于制品区域的上侧及下侧中的至少一者的虚设区域，在侧方具有主排气部；
7、(b)第1喷射部，其在上下方向上延伸存在、与前述主排气部相对地配置在前述处理室的内侧、并朝向收纳于前述制品区域和前述虚设区域的前述衬底供给第1原料；
8、(c)第2喷射部和第3喷射部中的至少一者，所述第2喷射部设置在与收纳于前述处理室的内侧的前述衬底的中心相比更靠前述第1原料的流动的上游侧，与收纳于前述制品区域的前述衬底相比朝向收纳于前述虚设区域的前述衬底更多地供给稀释前述第1原料的辅助气体，所述第3喷射部设置于与所收纳的前述衬底的中心相比更靠前述第1原料的流动的下游侧、并朝向收纳于前述制品区域的前述衬底和收纳于前述虚设区域的前述衬底供给非活性气体；和
9、(d)第4喷射部，其仅向前述虚设区域供给非活性气体。
10、专利技术的效果
11、根据本公开文本，能够在多个制品晶片中局部地使端部的制品晶片的面内均匀性提高。
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1.衬底处理装置，其具有：
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，设置有所述第2喷射部和所述第3喷射部这两者，
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备第5喷射部，所述第5喷射部配置于与所收纳的所述衬底的中心相比更靠所述第1原料的流动的上游侧，具有仅向收纳于作为下侧的所述虚设区域的下虚设区域的所述衬底供给辅助气体的喷射孔，
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其还具有：
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，一对所述第3喷射部分别设置于将所述主排气部与所收纳的所述衬底的中心连结的假想铅垂面的两侧。
6.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第7喷射部在从所述第1喷射部供给所述第1原料时、或从所述第6喷射部供给所述第2原料时供给辅助气体。
7.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，
8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第4喷射部在所述第1原料的流动的下游侧配置于将所述主排气部与所收纳的所述衬底的中心连结的假想铅垂面的外侧，朝向与所收纳的所述衬底的中心相比更靠外侧、且是位于所
9.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述第1喷射部中的与作为下侧的所述虚设区域的下虚设区域相比更靠下侧，设置有阻碍上下方向的气体的流动的分隔板。
10.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
11.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，
12.如权利要求1所述的衬底处理装置，其具备所述第3喷射部，
13.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第4喷射部具有：
14.如权利要求1所述的衬底处理装置，其具备所述第3喷射部，
15.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第1喷射部具有沿着与所收纳的所述衬底的面大致平行的方向排列的1个以上的喷射孔。
16.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第1喷射部是多个直线状的圆管沿着所述处理室的圆周方向排列的喷嘴阵列。
17.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第1喷射部与所述第6喷射部以从两侧夹着所述第7喷射部的方式配置，
18.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，收纳于所述制品区域的衬底中的位于所述虚设区域一侧的端部的衬底的面内均匀性为0.2％以下。
19.半导体器件的制造方法，其包括：
20.计算机可读取的记录介质，其记录有使处理器执行下述处理的衬底处理程序：
...【技术特征摘要】
1.衬底处理装置，其具有：
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，设置有所述第2喷射部和所述第3喷射部这两者，
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备第5喷射部，所述第5喷射部配置于与所收纳的所述衬底的中心相比更靠所述第1原料的流动的上游侧，具有仅向收纳于作为下侧的所述虚设区域的下虚设区域的所述衬底供给辅助气体的喷射孔，
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其还具有：
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，一对所述第3喷射部分别设置于将所述主排气部与所收纳的所述衬底的中心连结的假想铅垂面的两侧。
6.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，所述第7喷射部在从所述第1喷射部供给所述第1原料时、或从所述第6喷射部供给所述第2原料时供给辅助气体。
7.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，
8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第4喷射部在所述第1原料的流动的下游侧配置于将所述主排气部与所收纳的所述衬底的中心连结的假想铅垂面的外侧，朝向与所收纳的所述衬底的中心相比更靠外侧、且是位于所收纳的所述衬底中的所述第4喷射部所配置的一侧的周缘与所述衬底的中心之间的上游侧的区域喷射非活性气体。
9.如权利要求1所述的衬底处理装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：槣原美香，平野敦士，佐佐木隆史，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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