半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置以及记录介质制造方法及图纸

技术编号：41209321 阅读：2 留言：0更新日期：2024-05-09 23:31

本发明专利技术能够在抑制基底膜的氧化的同时，提高在基底膜上形成的含金属膜的特性。具有如下工序：(a)对形成有含金属膜的基板供给含有金属元素的含金属气体；(b)对基板供给还原气体；(c)对基板供给含有氧原子的含氧气体和还原气体；(d)将包含(a)和(b)的循环反复进行第1次数；以及(e)在(d)之后，将包含(a)和(c)的循环反复进行第2次数。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置以及记录介质。

技术介绍

1、作为半导体装置(device)的制造工序的一工序，有进行在收敛于处理室内的基板上形成膜的成膜处理(例如，参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2006/134930号

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、但是，在基底膜上形成含金属元素的含金属膜时，有时基底膜氧化，含金属膜中包含杂质。

3、本公开目的在于提供一种能够抑制基底膜氧化的同时，提高在基底膜上所形成含金属膜特性的技术。

4、用于解决课题的手段

5、根据本公开的一方式，提供具有如下工序的技术：(a)对形成有含金属膜的基板，供给含有金属元素的含金属气体；(b)对上述基板供给还原气体；(c)对上述基板供给含有氧原子的含氧气体与上述还原气体；(d)将包含(a)与(b)的循环反复进行第1次数；以及(e)在(d)之后，将包含(a)与(c)的循环反复进行第2次数。

6、专利技术效果

7、根据本公开，能够在抑制基底膜遭氧化的同时，提高基底膜上形成的含金属膜的特性。

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该制造方法具有如下工序：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

8.根据权利要求1至5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

9.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

12.根据权利要求1至11中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

13.

14.根据权利要求1至13中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

15.根据权利要求1至14中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

16.根据权利要求1至15中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

17.根据权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

18.根据权利要求16或17所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

19.根据权利要求16至18中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

20.根据权利要求16至19中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

21.根据权利要求1至20中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

22.根据权利要求21所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

23.根据权利要求1至22中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

24.根据权利要求1至23中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

25.根据权利要求24所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

26.根据权利要求25所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

27.根据权利要求26所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

28.根据权利要求1至27中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

29.一种基板处理方法，其特征在于，具有如下工序：

30.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

31.一种计算机可读记录介质，其特征在于，记录有通过计算机使基板处理装置执行如下步骤的程序：

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】