【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构及版图。
技术介绍
1、碳化硅沟槽型mosfet器件具有输入阻抗高，驱动电流小，开关速度快，高温特性好等优点被广泛应用于电力电子领域。
2、随着碳化硅沟槽型功率器件技术的发展，如何提高器件元胞的沟道密度成为了一个首要解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，用以经由提高元胞的沟道密度。
2、根据本专利技术的一方面，一种碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，包括：衬底，设置于所述衬底上的第一外延层，所述衬底与所述第一外延层具有第一掺杂类型；第二外延层，设置于所述第一外延层上，所述第二外延层具有第二掺杂类型，所述第二外延层中设置有至少一个导电通道，所述导电通道具有第一掺杂类型；第三外延层设置于所述第二外延层上，包括第一区域和第二区域，所述第三外延层具有第一掺杂类型；第一沟槽，所述第一沟槽的深度从所述第三外延层的上表面延伸至其内部，位于所述第一区域内；第二沟槽，所述第二沟槽的深度从所述第三外延层的上表面延伸至其内部，位于所述第一区域内；第一阱区，位于所述第三外延层内的第一区域中，并设置于所述第一沟槽及所述第二沟槽之间，所述第一阱区具有第二掺杂类型；体接触区，所述体接触区位于所述第三外延层中，环设于所述元胞结构，具有第二掺杂类型；第二阱区，位于所述第三外延层内的第二区域中，并设置于所述第一或第二沟槽与体接触区之间；掺杂区，设置于所述第三外
3、根据本专利技术的另一方面，一种碳化硅沟槽栅mosfet的元胞版图，包括：第一沟槽，沿第一方向延伸；第二沟槽，沿所述第一方向延伸与所述第一沟槽平行设置，所述第一沟槽与所述第二沟槽在第二方向上具有一间距；源区，设置于所述第一沟槽及所述第二沟槽侧壁；体接触区，环设于所述元胞外围，包围所述第一沟槽、所述第二沟槽及所述源区；掺杂区，为条状结构沿所述第二方向延伸，与所述第一沟槽及所述第二沟槽垂直，其中，所述掺杂区设置于所述元胞在第一方向上的正中央。
4、根据本专利技术的另一方面，一种碳化硅沟槽栅mosfet的元胞版图，包括：第一沟槽，沿第一方向延伸；第二沟槽，沿所述第一方向延伸与所述第一沟槽平行设置，所述第一沟槽与所述第二沟槽在第二方向上具有一间距；源区，设置于所述第一沟槽及所述第二沟槽侧壁；体接触区，环设于所述元胞外围，包围所述第一沟槽、所述第二沟槽及所述源区；掺杂区，为条状结构沿所述第一方向延伸，与所述第一沟槽及所述第二沟槽平行，其中，所述掺杂区设置于所述第一沟槽及所述第二沟槽之间。
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1.一种碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述第二外延层与所述第一沟槽及所述第二沟槽之间具有一间距。
3.根据权利要求2所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述第二外延层与所述第一沟槽及所述第二沟槽之间的所述间距相等。
4.根据权利要求2所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述第二外延层与所述第一沟槽及所述第二沟槽之间的所述间距不相等。
5.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中分别设置导电通道于所述第一沟槽或所述第二沟槽的正下方。
6.根据权利要求1或5所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述导电通道的宽度为0.2微米至所对应沟槽的宽度加0.2微米的范围内。
7.根据权利要求5所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述沟槽与所述导电通道之间的距离约为0.1-0.5微米。
8.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，所述第三外延层与所述导电通道的掺杂
9.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述导电通道的上表面高于所述第二外延层的上表面，所述导电通道的下表面低于所述第二外延层的下表面。
10.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述第一沟槽及所述第二沟槽的长度沿第一方向延伸，所述掺杂区为条状结构沿第二方向延伸，其中所述第一方向垂直所述第二方向。
11.根据权利要求10所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，所述掺杂区于第一方向设置于所述元胞中间位置。
12.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中所述第一沟槽及所述第二沟槽的长度沿第一方向延伸，所述掺杂区为条状结构沿第一方向延伸，设置于所述第一沟槽所述第二沟槽之间的所述体接触区中。
13.根据权利要求12所述的碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞结构，其中在第二方向上，所述掺杂区与所述第一沟槽之间的距离和所述掺杂区与所述第二沟槽之间的距离相等。
14.一种碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞版图，包括：
15.一种碳化硅沟槽栅MOSFET的元胞版图，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，包括：
2.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，其中所述第二外延层与所述第一沟槽及所述第二沟槽之间具有一间距。
3.根据权利要求2所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，其中所述第二外延层与所述第一沟槽及所述第二沟槽之间的所述间距相等。
4.根据权利要求2所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，其中所述第二外延层与所述第一沟槽及所述第二沟槽之间的所述间距不相等。
5.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，其中分别设置导电通道于所述第一沟槽或所述第二沟槽的正下方。
6.根据权利要求1或5所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，其中所述导电通道的宽度为0.2微米至所对应沟槽的宽度加0.2微米的范围内。
7.根据权利要求5所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，其中所述沟槽与所述导电通道之间的距离约为0.1-0.5微米。
8.根据权利要求1所述的碳化硅沟槽栅mosfet的元胞结构，所述第三外延层与所述导电通道的掺杂浓度介于所述衬底与所述第一外延层之间，所述第三外延层的掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐弘毅，王加坤，
申请(专利权)人：杭州芯迈半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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