【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种沟槽型mosfet及其制造方法。
技术介绍
1、传统平面碳化硅(sic)mosfet(metal oxide semiconductor field effecttransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)由于jfet效应，导通电阻通常较大。沟槽mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)具有输入阻抗高，驱动电流小，开关速度快，高温特性好等优点被广泛应用于电力电子领域。
2、在沟槽mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)中，如何进一步提升器件的导通特性依然是缩小器件的关键。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种沟槽型mosfet及其制造方法，通过在栅极沟槽的侧方引入纵向沟道区，在栅极沟槽的底部引入横向沟道区，能够进一步提升器件的导通特性，且纵横双沟道在有限的元胞内实现多个导通区域，最大限度利用半导体材料，节省了器件面积。
2、根据本专利技术的一方面，提供一种沟槽型mosfet，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上；第一掺杂类型的电流扩展层，位于所述外延层中；栅极沟槽，从所述电流扩展层的表面向其内部延伸；栅极导体，位于所述栅极沟槽内，经由栅介质层与所述栅极沟槽的侧壁隔离；第二掺
3、根据本专利技术的另一方面，提供一种沟槽型mosfet，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上；第一掺杂类型的电流扩展层，位于所述外延层中；栅极沟槽，从所述电流扩展层的表面向其内部延伸；栅极导体，位于所述栅极沟槽内，经由栅介质层与所述栅极沟槽的侧壁隔离；源极沟槽，所述栅极沟槽位于所述源极沟槽两侧，且相对所述源极沟槽对称；源极导体，位于所述源极沟槽内，所述源极导体经由源介质层与所述源极沟槽的侧壁隔离；第二掺杂类型的第一体区，所述第一体区包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅极沟槽下方且与所述栅极沟槽的底部邻接；所述第二部分与所述第一部分邻接；第一掺杂类型的第一源区，位于所述第一体区内；第二掺杂类型的第一接触区，位于所述第一体区内，且与所述第一源区邻接；第二掺杂类型的第二体区，所述第二体区位于所述栅极沟槽和所述源极沟槽之间，且分别与所述栅极沟槽的侧壁和所述源极沟槽的侧壁邻接，所述源极导体、所述第二体区与所述源极导体之间的源介质层形成沟道二极管；第一掺杂类型的第二源区，位于所述第二体区内；第二掺杂类型的第二接触区，位于所述第二体区内，且与所述第二源区邻接；层间介质层，覆盖所述栅极导体以及所述栅介质层的表面；源极电极，所述源极电极与所述第二源区、所述第二接触区、所述源极导体接触，且经由导电通道与所述第一源区和所述第一接触区接触；漏极电极，位于所述衬底远离所述外延层的表面，与所述衬底接触；所述第一部分远离所述第二部分的一端侧壁与所述栅极沟槽一侧的侧壁齐平；所述沟槽型mosfet还包括位于所述第一体区内的埋层，所述埋层具有第一掺杂类型。
4、根据本专利技术的另一方面，提供一种沟槽型mosfet的制造方法，包括：在第一掺杂类型的衬底上依次形成第一掺杂类型的外延层和第一掺杂类型的电流扩展层；形成从所述电流扩展层的表面向其内部延伸的第一沟槽和源极沟槽，所述第一沟槽的一部分为栅极沟槽，所述栅极沟槽位于所述源极沟槽两侧，且相对所述源极沟槽对称；形成第二掺杂类型的第一体区和第二体区，所述第一体区位于所述第一沟槽下方，与所述第一沟槽的底部邻接，所述第二体区在所述第一沟槽的一侧与所述第一沟槽邻接，所述第一体区包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述栅极沟槽下方且与所述栅极沟槽的底部邻接；所述第二部分与所述第一部分邻接，所述第一部分远离所述第二部分的一端侧壁与所述栅极沟槽一侧的侧壁齐平，所述第二体区位于所述栅极沟槽和所述源极沟槽之间，且分别与所述栅极沟槽的侧壁和所述源极沟槽的侧壁邻接，所述源极导体、所述第二体区与所述源极导体之间的源介质层形成沟道二极管；形成第一掺杂类型的第一源区、第二源区以及埋层，所述第一源区位于所述第一体区内，所述第二源区位于所述第二体区内；形成第二掺杂类型的第一接触区和第二接触区，所述第一接触区位于所述位于所述第一体区内，且与所述第一源区邻接，所述第二接触区位于所述第二体区内，且与所述第二源区邻接；在所述栅极沟槽内形成栅介质层和栅极导体，所述栅极导体经由所述栅介质层与所述栅极沟槽的侧壁隔离；在所述源极沟槽内形成源极介质层和源极导体，所述源极导体经由源介质层与所述源极沟槽的侧壁隔离；形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述栅极导体以及所述栅介质层的表面；形成源极电极，所述源极电极与所述第二源区、所述第二接触区、所述源极导体接触，且经由导电通道与所述第一源区和所述第一接触区接触；以及形成漏极电极，所述漏极电极位于所述衬底远离所述外延层的表面，与所述衬底接触。
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1.一种沟槽型MOSFET，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其中，所述第一源区的一部分位于所述第一部分内，一部分位于所述第二部分内。
3.根据权利要求1所述的沟槽型MOSFET，其中，所述第一部分远离所述第二部分的一端侧壁不超过所述栅极导体的一侧侧壁；
4.一种沟槽型MOSFET，包括：
5.根据权利要求4所述的沟槽型MOSFET，其中，所述埋层的一侧侧壁与所述第一部分远离所述第二部分的一端侧壁齐平，或者
6.根据权利要求4所述的沟槽型MOSFET，其中，还包括第二掺杂类型的掺杂区，所述掺杂区位于所述源极沟槽下方，与所述源极沟槽的底部以及所述源极沟槽内部的源极导体邻接。
7.一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述埋层的一侧侧壁与所述第一沟槽的一侧侧壁齐平，或者
10.根据权利要求7所述的方法，其中，还包括：形成掺杂区；所述掺杂区位于所述源极沟槽下方，与所述源极沟槽的
...【技术特征摘要】
1.一种沟槽型mosfet，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet，其中，所述第一源区的一部分位于所述第一部分内，一部分位于所述第二部分内。
3.根据权利要求1所述的沟槽型mosfet，其中，所述第一部分远离所述第二部分的一端侧壁不超过所述栅极导体的一侧侧壁；
4.一种沟槽型mosfet，包括：
5.根据权利要求4所述的沟槽型mosfet，其中，所述埋层的一侧侧壁与所述第一部分远离所述第二部分的一端侧壁齐平，或者
6.根据权利要求4所述的沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳钢，王加坤，
申请(专利权)人：杭州芯迈半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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