【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体器件的体区制造方法及半导体器件制造方法。
技术介绍
1、在半导体器件中体区的注入工艺，会影响到器件沟道形成的阈值电压和器件的击穿电压等重要电性，一般由于沟道是由扩散形成，沟道的均匀性不容易控制，容易出现阈值偏移和沟道漏电等问题。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种半导体器件的体区制造方法及半导体器件制造方法，利用场氧化层进行对准注入形成体区，并使场氧化层与体区之间具有一间距，用以实现更好的均匀性，解决了沟道漏电和阈值漂移等问题。
2、根据本专利技术的一方面，一种半导体器件的体区制造方法，包括：在衬底上形成外延层，所述衬底具有第一导电类型；在所述外延层上形成场氧化层，所述场氧化层在第一方向上具有第一厚度，所述外延层具有第一导电类型；刻蚀所述场氧化层，并露出部分所述外延层；在所述外延层中形成体区，所述体区具有第二导电类型；刻蚀所述场氧化层，使所述场氧化层在第一方向上具有第二厚度，在第二方向上与所述体区之间具有一间距。
3、根据本专利技术的一方面，一种半导体器件的体区制造方法，包括：在衬底上形成外延层，所述衬底具有第一导电类型；在所述外延层上形成场氧化层，所述场氧化层在第一方向上具有第二厚度，所述外延层具有第一导电类型；在所述场氧化层上形成第一介质层；刻蚀部分所述场氧化层及部分所述第一介质层，露出部分所述外延层；形成第二介质层于所述第一介质层侧壁及所述场氧化层侧壁；在所述外延层中形成体区，所述体区具有第二导
4、根据本专利技术的一方面，一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成外延层，所述衬底具有第一导电类型；在所述外延层上形成场氧化层，所述场氧化层在第一方向上具有第一厚度，所述外延层中具有漏区，所述外延层及所述漏区具有第一导电类型；刻蚀所述场氧化层，并露出部分所述外延层；在所述外延层中形成体区，所述体区具有第二导电类型；在所述体区中形成体接触区及源区；刻蚀所述场氧化层，使所述场氧化层在第一方向上具有第二厚度，在第二方向上与所述体区之间具有一间距；在所述露出的外延上表面形成栅介质层，所述栅介质层邻接所述场氧化层；在所述栅介质层上方形成栅极，以及在所述场氧化层上方形成场板。
5、根据本专利技术的一方面，一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成外延层，所述衬底具有第一导电类型；在所述外延层上形成场氧化层，所述场氧化层在第一方向上具有第二厚度，所述外延层具有第一导电类型，所述外延层中具有漏区，所述外延层及所述漏区具有第一导电类型；在所述场氧化层上形成第一介质层；刻蚀部分所述场氧化层及部分所述第一介质层，露出部分所述外延层；形成第二介质层于所述第一介质层侧壁及所述场氧化层侧壁；在所述外延层中形成体区，所述体区具有第二导电类型；在所述体区中形成体接触区及源区，以及去除所述场氧化层上方的所述第一介质层及所述场氧化层侧壁的所述第二介质层，使得所述场氧化层在第二方向上与所述体区之间具有一间距。
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1.一种半导体器件的体区制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的体区制造方法，其中，所述的第一厚度大于所述第二厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的体区制造方法，其中，在所述外延层中形成所述体区的方法，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的体区制造方法，其中，所述刻蚀所述场氧化层，使所述场氧化层在第一方向上具有第二厚度，在第二方向上与所述体区之间具有一间距的方法中是使用各向同性刻蚀。
5.一种半导体器件的体区制造方法，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件的体区制造方法，其中，形成第二介质层于所述第一介质层侧壁及所述场氧化层侧壁的方法，包括：
7.根据权利要求5所述的半导体器件的体区制造方法，其中，在所述外延层中形成体区的方法，包括：
8.根据权利要求6所述的半导体器件的体区制造方法，其中，所述刻蚀所述第一介质层上表面及所述外延层上表面的第二介质层的方法中是使用各向异性刻蚀。
9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的体区制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的体区制造方法，其中，所述的第一厚度大于所述第二厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的体区制造方法，其中，在所述外延层中形成所述体区的方法，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的体区制造方法，其中，所述刻蚀所述场氧化层，使所述场氧化层在第一方向上具有第二厚度，在第二方向上与所述体区之间具有一间距的方法中是使用各向同性刻蚀。
5.一种半导体器件的体区制造方法，其特征在于，包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：张科，王加坤，
申请(专利权)人：杭州芯迈半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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