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本申请公开了一种半导体器件的体区制造方法，包括：在衬底上形成外延层，所述衬底具有第一导电类型；在所述外延层上形成场氧化层，所述场氧化层在第一方向上具有第一厚度，所述外延层具有第一导电类型；刻蚀所述场氧化层，并露出部分所述外延层；在所述外延层...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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