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本申请公开了一种沟槽型MOSFET及其制造方法，沟槽型MOSFET包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上；第一掺杂类型的电流扩展层，位于所述外延层中；栅极沟槽，从所述电流扩展层的表面向其内部延伸；栅极导体，位于所述栅...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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