衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序制造方法及图纸

技术编号：41222496 阅读：3 留言：0更新日期：2024-05-09 23:41

具有下述工序：(a)在衬底上形成第1膜的工序，其中，第1膜包含C‑H键及Si‑C键、和N‑H键及Si‑N键中的至少一组；(b)在比(a)中的处理温度高的处理温度下对第1膜实施热处理，将第1膜改质为第2膜的工序；和(c)对第2膜实施等离子体处理，将第2膜改质为第3膜，并使第3膜中的Si‑C键相对C‑H键之比大于第1膜中的Si‑C键相对C‑H键之比、或者使第3膜中的Si‑N键相对N‑H键之比大于第1膜中的Si‑N键相对N‑H键之比的工序。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序。

技术介绍

1、作为半导体器件的制造工序的一个工序，有时进行在衬底上形成膜的处理(例如专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2016-066688号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本专利技术提供能够提高形成于衬底上的膜的特性的技术(例如专利文献1)。

3、用于解决课题的手段

4、根据本专利技术的一方式，提供一种具有下述工序的技术：

5、(a)在衬底上形成第1膜的工序，其中，第1膜包含c-h键及si-c键、和n-h键及si-n键中的至少一组；

6、(b)在比(a)中的处理温度高的处理温度下对所述第1膜实施热处理，将所述第1膜改质为第2膜的工序；和

7、(c)对所述第2膜实施等离子体处理，将所述第2膜改质为第3膜，并使所述第3膜中的si-c键相对c-h键之比大于所述第1膜中的si-c键相对c-h键之比、或者使所述第3膜中的si-n键相对n-h键之比大于所述第1膜中的si-n键相对n-h键之比的工序。

8、专利技术效果

9、根据本专利技术，能够提供一种能够提高形成于衬底上的膜的特性的技术。

【技术保护点】

1.衬底处理方法，其具有下述工序：

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(c)中的处理温度是比(a)中的处理温度高的温度。

3.根据权利要求2所述的衬底处理方法，其中，(c)中的处理温度是比(b)中的处理温度低的温度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在使得所述第3膜中的Si-C键的比率大于所述第1膜中的Si-C键的比率、所述第3膜中的C-H键的比率小于所述第1膜中的C-H键的比率的条件下进行(c)。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在能够切断C-H键、且在与H的键被切断了的C上键合所述第3膜中的Si的条件下进行(c)。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在能够切断C-H键、且在与H的键被切断了的C上键合所述第3膜中的Si的条件下进行(c)。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，对所述衬底供给至少包含C-H键和Si-C键的原料。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，交替地进行下述工序：

9.根据权利要求8所述的衬底处理方法，其中，所述原料为氯硅烷系气体。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜、所述第2膜及所述第3膜为含有Si、O及C的膜。

11.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜为含水分的膜，

12.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在使得所述第3膜中的Si-N键的比率大于所述第1膜中的Si-N键的比率、所述第3膜中的N-H键的比率小于所述第1膜中的N-H键的比率的条件下进行(c)。

13.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在能够保持Si-N键、且能够切断N-H键的条件下进行(c)。

14.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在能够切断N-H键、且在与H的键被切断了的N上键合所述第3膜中的Si的条件下进行(c)。

15.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜、所述第2膜及所述第3膜为含有Si、O及N的膜。

16.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在(c)中，对所述处理室内的所述衬底供给包含H、N、O及He中的至少任一种元素的气体。

17.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在450℃以上600℃以下的温度下进行(c)。

18.半导体器件的制造方法，其中，

19.衬底处理装置，其具有：

20.程序，其通过计算机使衬底处理装置在所述衬底处理装置的处理室内执行下述步骤：

...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.衬底处理方法，其具有下述工序：

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(c)中的处理温度是比(a)中的处理温度高的温度。

3.根据权利要求2所述的衬底处理方法，其中，(c)中的处理温度是比(b)中的处理温度低的温度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在使得所述第3膜中的si-c键的比率大于所述第1膜中的si-c键的比率、所述第3膜中的c-h键的比率小于所述第1膜中的c-h键的比率的条件下进行(c)。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在能够切断c-h键、且在与h的键被切断了的c上键合所述第3膜中的si的条件下进行(c)。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在能够切断c-h键、且在与h的键被切断了的c上键合所述第3膜中的si的条件下进行(c)。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，对所述衬底供给至少包含c-h键和si-c键的原料。

8.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，在(a)中，交替地进行下述工序：

9.根据权利要求8所述的衬底处理方法，其中，所述原料为氯硅烷系气体。

10.根据权利要求1～3中任一项所述的衬底处理方法，其中，所述第1膜、所述第2膜及所述第3膜为含有s...

【专利技术属性】
技术研发人员：照井祐辅，山角宥贵，桥本良知，中山雅则，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：

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