基片处理装置、基片处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在使用处理液(例如DIW)处理基片后使基片干燥的方法。该方法包括：对基片(W)供给挥发性比处理液高的第一干燥液(例如IPA)形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心(O)至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R1)逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一边使干燥区域(DC)呈同心圆状不断扩大，一边使基片干燥的干燥步骤。该干燥步骤包括一边将第一干燥液供给到基片一边将第二干燥液供给到基片的步骤，此时的基片的旋转中心至第二干燥液的供给位置(P2)的距离(R1)，大于基片的旋转中心至第一干燥液的供给位置(P1)的距离(R2)。由此，能够使干燥界面的干燥条件最佳化并防止液膜在基片表面上崩坏。

Substrate Processing Device, Substrate Processing Method and Storage Media

The invention provides a method for drying a substrate after treating it with a treatment solution (such as DIW). The method includes: after the first drying liquid (such as IPA) with higher volatility than the treatment liquid is supplied to the substrate (W), the liquid film is formed, and the substrate is rotated while the supply position of the first drying liquid is moved by increasing the distance (R1) from the rotating center (O) of the substrate to the supply position (P1) of the first drying liquid, so that the drying area (DC) is continuously enlarged in a concentric circle while the drying area (DC) is enlarged. The drying step of drying the substrate. The drying step includes supplying the first drying liquid to the substrate while supplying the second drying liquid to the substrate. At this time, the distance between the rotating center of the substrate and the supplying position of the second drying liquid (P2) (R1) is greater than the distance between the rotating center of the substrate and the supplying position of the first drying liquid (P1) (R2). Thus, the drying conditions of the drying interface can be optimized and the liquid film can be prevented from collapsing on the substrate surface.

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理方法和存储介质
本专利技术涉及对半导体晶片等的基片使用处理液进行处理后使其干燥的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，包括从喷嘴对半导体晶片等的基片的表面供给药液来对基片实施湿蚀刻、药液清洗等的液处理的步骤。在供给药液后，对基片供给清洗液例如DIW(纯水)，之后使基片干燥。在专利文献1中记载有：对由DIW润湿的基片的表面的中心部供给作为高挥发性且低表面张力的液体的IPA，之后，使IPA的供给位置从基片的中心部向周缘部移动，由此，一边使干燥界面(是指IPA干燥并消失的干燥区域与存在IPA的液膜的非干燥区域的界面)逐渐向基片的周缘部扩展，一边使基片的表面干燥。通过这样的方法进行干燥，能够防止发生干燥步骤中的颗粒的产生、图案的崩塌等的不良问题。另外，在专利文献1中还记载有：在供给IPA的同时向基片表面的干燥区域供给氮气。以氮气吹向比干燥界面稍微靠半径方向内侧的位置的方式，使氮气的供给位置从基片的中心部向周缘部移动。通过这样地供给氮气，能够促进干燥并使干燥均匀化。但是，在近年来的高集成化和高纵横比化不断发展的半导体装置的制造中，即使采用上述的方式，也会发生图案崩塌。作为用于避免图案崩塌的干燥方法，具有升华干燥、超临界干燥等，但是这些干燥方法的成本较高。另外，在近年来，对于IPA残渣等的缺陷的标准变得更加严格，通过上述方法有可能无法满足标准。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-036180号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术提供一种能够使干燥界面的干燥条件最佳化并且防止基片表面上的液膜崩坏的基片的干燥技术。用于解决问题的技术方案根据本专利技术的一个实施方式，提供一种基片处理方法，其包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的上述基片供给挥发性比上述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以上述基片上的从上述基片的旋转中心至上述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使上述第一干燥液的上述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使上述基片干燥，上述干燥步骤包括一边将上述第一干燥液供给到上述基片，一边将挥发性比上述处理液高的第二干燥液供给到上述基片的步骤，此时的上述基片上的从上述基片的旋转中心至上述第二干燥液的供给位置的距离，大于从上述基片的旋转中心至上述第一干燥液的供给位置的距离。根据本专利技术的另一实施方式，提供一种基片处理装置，其包括：用于将基片水平保持的基片保持部；用于使上述基片保持部绕铅垂轴旋转的旋转机构；对保持于上述基片保持部的基片的表面供给处理液的处理液喷嘴；供给用于使上述基片干燥的第一干燥液的第一干燥液喷嘴；供给用于使上述基片干燥的第二干燥液的第二干燥液喷嘴；对上述处理液喷嘴供给上述处理液的处理液供给机构；对上述第一干燥液喷嘴供给上述第一干燥液的第一干燥液供给机构；对上述第二干燥液喷嘴供给上述第二干燥液的第二干燥液供给机构；使上述处理液喷嘴、上述第一干燥液喷嘴和上述第二干燥液喷嘴在水平方向移动的喷嘴移动机构；和控制部，其控制上述处理液供给机构、上述第一干燥液供给机构、上述第二干燥液供给机构和上述喷嘴移动机构，来实施上述的基片处理方法。根据本专利技术的又一实施方式，提供一种存储介质，其记录有程序，在该程序由用于控制基片处理装置的动作的计算机执行时，上述计算机控制上述基片处理装置来实施上述的基片处理方法。专利技术的效果根据上述实施方式，通过从第二干燥液喷嘴供给干燥液，能够防止干燥液的液膜在基片的周缘部崩坏。因此，能够仅需考虑干燥界面附近的干燥液状态的最佳化来确定来自第一干燥液喷嘴的干燥液的供给条件。附图说明图1是表示本专利技术的一实施方式的基片处理系统的概略结构的平面图。图2是表示上述基片处理系统中包含的处理单元的概略结构的纵截面图。图3是图2所示的处理单元的内部的平面图。图4是用于说明干燥步骤的概略图。图5是用于说明晶片表面的干燥界面附近的状态的概略图。附图标记说明W基片(晶片)4控制装置31基片保持部(保持部)33旋转机构(驱动部)42处理液喷嘴(清洗液喷嘴)43第一干燥液喷嘴44第二干燥液喷嘴45气体喷嘴72处理液供给机构(清洗液供给机构)73第一干燥液供给机构74第二干燥液供给机构75气体供给机构46～48、46A～48A喷嘴移动机构(喷嘴臂、升降旋转机构)P1第一干燥液的供给位置(着液点)P2第二干燥液的供给位置(着液点)O基片的旋转中心R1从O至P1的距离R2从O至P2的距离DC干燥区域(中央干燥区域)。具体实施方式以下参照附图说明本专利技术的实施方式。图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴和Z轴，令Z轴正向为铅垂方向的朝上方向。如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。载体载置部11用于载置将多个基片即本实施方式的半导体晶片(以下晶片W)以水平状态收纳的多个载体C。输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部设置有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够进行在水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的输送。处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在输送部15的两侧排列设置。输送部15在内部设置有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够进行在水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片W进行规定的基片处理。另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如是计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19存储有用于控制在基片处理系统1中实施的各种处理的程序。控制部18读取并执行存储在存储部19的程序，从而控制基片处理系统1的动作。此外，该程序可以是记录在可由计算机读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁盘(MO)、存储卡等。在这样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置到交接部14。载置到交接部14的晶片W被处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，输送到处理单元16。输送到处理单元16的晶片W在处理单元16中被处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，载置到交接部14。然后，载置于交接部14的处理过的晶片W通过基片输送装置13返回载体载置部11的载体C。如图2所示，处理单元16包括腔室20、基片保持机构30、处理流体供给部40和回收罩50。腔室20收纳基片保持机构30、处理流体供给部40和回收罩50。在腔室20的顶部设置有FFU(FanFilterUnit：风机过滤机组)21。FFU21在腔室20内形成下降流。基片保持机构30包括保持部31、支柱部32和驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的所述基片供给挥发性比所述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使所述第一干燥液的所述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使所述基片干燥，所述干燥步骤包括一边将所述第一干燥液供给到所述基片，一边将挥发性比所述处理液高的第二干燥液供给到所述基片的步骤，此时的所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第二干燥液的供给位置的距离，大于从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离。

【技术特征摘要】
2017.07.04 JP 2017-1314731.一种基片处理方法，其特征在于，包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的所述基片供给挥发性比所述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使所述第一干燥液的所述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使所述基片干燥，所述干燥步骤包括一边将所述第一干燥液供给到所述基片，一边将挥发性比所述处理液高的第二干燥液供给到所述基片的步骤，此时的所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第二干燥液的供给位置的距离，大于从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离。2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一干燥液与所述第二干燥液是具有相同成分的液体。3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一干燥液和所述第二干燥液是异丙醇(IPA)。4.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一干燥液与所述第二干燥液是具有不同成分的液体。5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时的所述第一干燥液的温度比所述第二干燥液的温度高。6.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：一边将所述第一干燥液供给到所述基片一边将所述第二干燥液供给到所述基片时的所述第二干燥液的流量比所述第一干燥液的流量大。7.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：所述第一干燥液的流量随着所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离的增大而增大。8.如权利要求1至4中任一项所述的基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：丸本洋，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP