基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种不使构造复杂化、就能够防止气体的扩散、进行高效的基板处理的基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。一种基板保持件，其具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，所述顶板和所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分形成得比所述底板和所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分小。

Base plate holder and a baseboard processing device using the baseboard holder

The object of the present invention is to provide a substrate holder which can prevent gas diffusion without complicating the structure and carry out efficient substrate treatment, and a substrate processing device using the substrate holder. A base plate retainer is provided with: a top plate; a bottom plate; and a plurality of supports, which are arranged in a way that the end is connected with the outer edge of the top plate and the outer edge of the bottom plate. The base plate retainer can maintain the base plate into a multi-layer. In the base plate retainer, the top plate and the part of the support connected with the top plate are formed at the outermost part than the bottom. The outermost portion of the portion of the plate and the support connected with the base plate is small.

【技术实现步骤摘要】
基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置
本专利技术涉及基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。
技术介绍
以往以来，公知有一种处理装置，该处理装置具有：保持件，其将被处理基板搭载保持成多层；以及处理容器，其收纳保持件并供给预定的处理气体，对被处理基板实施预定的热处理，在保持件内按照每个被处理基板形成有由隔壁板分隔开的处理空间(参照例如专利文献1)。在该专利文献1所记载的处理装置中，处理容器是由上端都被封闭、并且一体化的内管部和外管部构成的双层管构造。另外，在内管部内收纳有保持件，在内管部的内表面形成有收纳用于导入处理气体的气体导入管的收纳槽部，通过尽可能缩小内管部的内周面与保持件的外周面之间的间隙，防止气体从各处理空间向相邻的其他处理空间扩散，谋求独立的处理空间的确保。由此，能够对许多张被处理基板的表面进行均匀的成膜。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007-109711号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述的专利文献1所记载的结构中，按照保持成多层的每个被处理基板设置隔壁板，因此，存在如下问题：保持件的构造复杂化，并且一次能够搭载的被处理基板的张数比没有设置隔壁板的情况少，生产率降低。因此，本专利技术的目的在于提供一种不使构造复杂化就能够防止气体的扩散、进行高效的基板处理的基板保持件和使用了该基板保持件的基板处理装置。用于解决问题的方案为了达成上述目的，本专利技术的一形态的基板保持件具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，基于所述顶板和所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径形成得比基于所述底板和所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径小。专利技术的效果根据本专利技术，能够防止所供给的气体的扩散，进行高效的基板处理。附图说明图1是本实施方式的基板处理装置的一个例子的概略结构图。图2是用于说明本专利技术的第1实施方式的晶圆舟皿与现有技术的晶圆舟皿之间的不同点的图。图3是表示使用以往的晶圆舟皿并对处理容器的内管进行了缩径的情况的示意图。图4是表示使用第1实施方式的晶圆舟皿并对处理容器的内管进行了缩径的情况的示意图。图5是用于以接近实际的产品的结构说明以图3进行了说明的干涉产生状态的图。图6是用于以接近实际的产品的结构说明以图4进行了说明的干涉避免状态的图。图7是用于说明支柱的加强构造的图。图8是表示第1实施方式的晶圆舟皿的薄壁部的削减量的一个例子的图。图9是表示本专利技术的第2实施方式的晶圆舟皿的一个例子的图。图10是第2实施方式的晶圆舟皿的基板保持用支柱的剖视图。图11是表示在第2实施方式中不降低强度的基板保持用支柱的结构的图。图12是表示第3实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。图13是表示本专利技术的第4实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。图14是表示本专利技术的第5实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。图15是表示本专利技术的第6实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。图16是表示本专利技术的第7实施方式的晶圆舟皿的一个例子的结构的图。图17是使用了第2实施方式的晶圆舟皿的基板处理装置的俯视图。附图标记说明10、处理容器；11、内管；12、外管；20、歧管；30、喷射器；50、盖体；60、保温筒；70、加热器；80、控制部；90、190、290、390、490、590、690、晶圆舟皿；91、191、顶板；91a、92a、191a、192a、圆形部；91b、92b、191b、192b、突出部；92、192、底板；93、94、193、293、393、493、593、693、支柱；695、分支部。具体实施方式以下，参照附图，进行用于实施本专利技术的形态的说明。[基板处理装置的整体结构]首先，一边参照图1一边对本实施方式的基板处理装置100进行说明。在图1中示出本实施方式的基板处理装置100的一个例子的概略结构图。本实施方式的基板处理装置100整体上具有纵长的沿着铅垂方向延伸的形状。基板处理装置100具有纵长且沿着铅垂方向延伸的处理容器10。处理容器10由例如石英形成。处理容器10具有例如圆筒体的内管(内筒)11和呈同心地载置到内管11的外侧的有顶的外管(外筒)12的双层管构造。处理容器10的下端部被由不锈钢等形成的歧管20气密地保持。歧管20也可以是固定于未图示的基座的结构。歧管20具有：喷射器30，其向处理容器10内导入处理气体、非活性气体(例如N2气体)等吹扫气体；以及气体排气部40，其对处理容器10内进行排气。此外，在图1中，示出了设置有1个喷射器30的结构，但本实施方式并不限定于这点。也可以是依赖于所使用的气体种类的数量等而具有多个喷射器30的结构。作为处理气体的种类，并没有特别限定，本领域技术人员能够根据要成膜的膜的种类等适当选择。在例如在半导体晶圆等基板形成氧化硅(SiO2)膜的情况下，作为处理气体的一个例子，可列举出二氯甲硅烷(SiH2Cl2)和一氧化二氮(N2O)。用于导入前述的各种气体的配管31与喷射器30连接。此外，在配管31设置有用于对气体流量分别进行调整的、未图示的质量流量控制器等流量调整部、未图示的阀等。另外，在气体排气部40连接有由具有能够对处理容器10内进行减压控制的真空泵43、开度可变阀42等的真空排气路径构成的配管41。在歧管20的下端部形成有炉口21，在该炉口21设置有由例如不锈钢等形成的圆盘状的盖体50。该盖体50构成为，被设置成能够利用升降机构51进行升降，使炉口21能够气密地密封。在盖体50上设置有例如石英制的保温筒60。另外，在保温筒60之上载置有例如石英制的晶圆舟皿90，该晶圆舟皿90将例如25张～175张左右的晶圆W以水平状态且以预定的间隔保持成多层。即、晶圆舟皿90作为保持晶圆W的基板保持件发挥功能。通过使用升降机构51而使盖体50上升，晶圆舟皿90被向处理容器10内输入，在处理后，通过使盖体50下降，晶圆舟皿90被从处理容器10内输出。晶圆舟皿90具有槽构造，该槽构造沿着长度方向具有多个槽(支承槽)，晶圆W分别以水平状态且沿着上下隔开间隔地装载于槽。载置于晶圆舟皿90的晶圆组构成1个批次，以批次为单位实施各种基板处理。此外，后述晶圆舟皿90的结构的详细情况。在处理容器10的外侧设置有能够将处理容器10加热成预定的温度的加热器70。加热器70具有例如圆筒形状。另外，如图1所示，本实施方式的基板处理装置100具有控制部80。控制部80对基板处理装置100的整体进行控制。更详细而言，控制部80按照制程对基板处理装置100内的各种设备的动作进行控制，以便在制程所示的各种处理条件下进行基板处理。另外，控制部80通过对来自设置到热处理装置100内的各种传感器的信号进行接收，把握晶圆W的位置等而进行执行工艺的序列控制。而且，也可以是，控制部80通过对由设置到基板处理装置100内的各种检测器检测的物理的测定值等进行接收，来把握基板处理的状态，进行为了恰当地进行基板处理所需要的反馈控制等。因而，对于控制部80，既可以构成为具备CPU(CentralProcessingUnit、中央处理单元)、ROM(只读存储器，ReadOnl本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板保持件，其具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，基于所述顶板以及所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径形成得比基于所述底板以及所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径小。

【技术特征摘要】
2017.06.19 JP 2017-1194351.一种基板保持件，其具有：顶板；底板；以及多根支柱，其以端部与该顶板的外缘部和该底板的外缘部连结的方式设置，该基板保持件能够将基板保持成多层，在该基板保持件中，基于所述顶板以及所述支柱的与所述顶板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径形成得比基于所述底板以及所述支柱的与所述底板连结的部分中的位于最外侧的部分的回转半径小。2.根据权利要求1所述的基板保持件，其中，所述支柱以外形与所述顶板的外形和所述底板的外形一致的方式与所述顶板的主面的外周端和所述底板的主面的外周端连结。3.根据权利要求2所述的基板保持件，其中，所述顶板和所述底板具有圆形部分和从该圆形部分向径向外侧突出而伸出来的支柱设置部。4.根据权利要求3所述的基板保持件，其中，与所述顶板连接的所述支柱的顶部的所述径向上的壁厚比与所述底板连接的所述支柱的基部的所述径向上的壁厚薄，所述顶板的外形形成得比所述底板的外形小所述顶部的所述壁厚与所述基部的所述壁厚之差的量。5.根据权利要求4所述的基板保持件，其中，所述支柱在所述顶部附近的预定上部区域中具有壁厚在所述径向上变薄而成的薄壁部。6.根据权利要求5所述的基板保持件，其中，所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚越薄的形状。7.根据权利要求6所述的基板保持件，其中，所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚逐渐变薄的锥形形状。8.根据权利要求6所述的基板保持件，其中，所述薄壁部具有越接近所述顶部、所述径向上的壁厚阶段性地变薄的台阶形状。9.根据权利要求5～8中任一项所述的基板保持件，其中，所述预定上部区域形成于所述基板保持件的全长的1/10以下的区域。10.根据权利要求5～9中任一项所述的基板保持件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：大冈雄一，吉冈伸高，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP