本技术公开的属于晶圆加工技术领域，具体为集成电路晶圆吸附装置，包括安装架，安装架上安装有圆台状多个承载台，每个承载台的顶部以承载台的圆心为中心环绕开设有排气槽，承载台的底部设置有连通排气槽的真空管，真空管的另一端接入真空泵，真空管上设置...

本技术公开黏晶工艺封装装置，包括底板和压板，本技术通过将垫块材质整体使用铸铁类，垫块顶部开设有数个真空吸附区，每两个真空吸附区之间设置有引脚承载区，真空吸附区包括数个真空吸附单元，可同时吸附数个产品单元，真空吸附单元顶部设为下沉式设计，...

本技术公开一种集成电路激光打标工艺装置，包括打标机光头本体、套管以及清洁机构，套管套接在所述打标激光头体外部；清洁机构位于所述套管内，所述清洁机构包括向所述套管内壁进行吹气的吹气组件以及从所述套管外壁进行吸气的吸气组件；所述吹气组件以及...

本技术公开了一种集成电路通用测试电路装置，涉及OS测试技术领域。该集成电路通用测试电路装置，包括：PCB板，所述PCB板为长条状；设置在PCB板表面一侧的Pin引脚，所述Pin引脚设置有若干个，且Pin引脚呈两行平行排列，相邻所述Pin...

本技术公开了集成电路工艺装置，涉及晶圆电镀挂具技术领域。该集成电路工艺装置，包括：底座，所述底座的表面下侧开设有圆环开槽，所述底座的背面可拆卸连接有上盖，所述上盖为圆形状，且上盖连接在圆环开槽处，所述底座的外壁上侧设置有挂具端子；内嵌入...

本发明涉及金电镀层技术领域，具体是一种新型集成电路工艺，具体包括如下步骤：通过脉冲实验，确定出显著因子；根据反应曲面法和显著因子，对脉冲电镀参数进行优化；根据优化后的脉冲电镀参数，通过多段式脉冲电镀，缩短电镀时间。本发明的新型集成电路工...

集成电路制造方法以及集成电路装置。所述半导体制造方法包括：通过溅射或溅镀方式在半导体晶圆上设置导电层，其中所述半导体晶圆包括连接垫，所述导电层电性连接至所述连接垫；在所述导电层上涂布光阻层；对所述光阻层进行图案化处理，经图案化处理的所述...

本技术实施例是关于集成电路封装产品作业装置。一示例性的作业装置可包含：载板，以及设置在载板上的凹槽和通孔。该载板的上表面用于承载集成电路封装产品料条。若干凹槽在载板上纵横交错排列，若干通孔则位于凹槽中的至少一者中。相较于现有技术，本技术...

依据本申请的一实施例，提出一种半导体工艺装置

本申请涉及半导体装置制造领域，并具体涉及一种集成电路接合工艺及集成电路结构

一种集成电路封装产品以及集成电路封装方法。所述集成电路封装产品包括底盘、镀银层、集成电路芯片以及若干凸起件。所述底盘包括第一区域和第二区域。所述镀银层涂布于所述第一区域之上。所述集成电路芯片设置于所述第二区域之上。所述镀银层环绕所述集成...

一种半导体传输装置。所述半导体传输装置包括载台、传输单元和制动单元。所述传输单元包括推杆部以及和所述推杆部连接的手持部。所述推杆部在所述载台之上垂直延伸。所述手持部在所述载台之下水平延伸。所述制动单元包括压件和阻挡件。所述压件连接至所述...

一种集成电路封装材料回收系统。所述集成电路封装材料回收系统包括：接料模块、测量模块、回收模块以及传输模块。所述接料模块包括接收集成电路材料的夹持装置。所述测量模块测量所述集成电路材料的重量。所述回收模块包括放置所述集成电路材料的回收部件...

一种集成电路工艺系统。所述集成电路工艺系统包括喷气装置。所述喷气装置设置于工艺系统作业台面的上方。所述喷气装置包括喷气管道。所述喷气管道经配置以对集成电路料条提供气流。气流。气流。

一种集成电路封装产品。所述集成电路封装产品包括：载板、连接层以及盖件。所述连接层形成于所述载板之上。所述盖件形成于所述连接层之上。所述盖件与所述载板所包围的空间经配置以容纳集成电路晶片。所述连接层包括贯穿所述连接层并连通所述空间的通道。...

一种集成电路测试修正装置。所述集成电路测试修正装置包括引脚修正区。所述引脚修正区包括承载块和下压块。所述承载块和所述下压块合围的空间经配置以容纳集成电路产品。所述下压块经配置以向所述集成电路产品的引脚施加压力以调整所述集成电路产品的引脚...

本发明实施例是关于一种用于集成电路封装产品作业的装置。一示例性的装置可包含：料盒载台、推送部件、导引设备以及控制系统。料盒载台包括源料盒工位、目标料盒工位、源料盒检测器以及目标料盒检测器。导引设备位于源料盒工位和目标料盒工位之间且设置为...

一种半导体工艺方法。所述半导体工艺方法包括S1根据半导体产品的曝光区块设定光罩的第一位置；S2当所述光罩的尺寸与所述曝光区块的尺寸不符时，移动设定的所述第一位置使所述第一位置与所述曝光区块的一顶点重合；S3依据所述光罩的尺寸设定第二位置...

本申请提出一种集成电路恒温单元。所述集成电路恒温单元经配置以维持供液管中的液体的温度。本申请还提出一种集成电路工艺系统。所述集成电路工艺系统包括加热单元、控制单元、喷淋单元以及上述的集成电路恒温单元。所述加热单元经配置以加热显影液。所述...

本申请提出一种侦测装置。所述侦测装置经配置以侦测离子气流的速度，并根据所述离子气流的速度判断离子风扇的状态。本申请另外提出一种集成电路风扇装置。所述集成电路风扇装置包括离子风扇以及前述侦测装置。所述离子风扇经配置以提供离子气流。经配置以...