本发明公开了新型FOWLP工艺AOP封装体及封装方法，属于AOP封装技术领域，包括如下步骤：S1、第一次重布线；S2、电镀铜针；S3、去胶粘晶；S4、塑封；S5、塑封打磨；S6、第二次重布线。本发明通过改良AiP封装中的TMV技术，采用...

本技术涉及喷淋清洁技术领域，公开了集成电路喷淋清洁装置，包括清洗槽，所述清洗槽内安装有喷淋装置，所述喷淋装置包括进水管、双通阀、三通阀一、输送管一、水管、锥形柱、输送管二、进水口、固定柱、孔洞、三通阀二，所述进水口固定连接于进水管上。本...

本发明公开了微机电元件的先进封装结构及方法，属于微机电元件封装技术领域。所述封装方法包括如下步骤：S1、蚀刻；S2、密封；S3、合并；S4、研磨；S5、切割；S6、钝化；S7、焊前处理；S8、回流焊。本发明避免了传统封装中金属线键合因灌...

本技术涉及半导体defect检测技术领域，具体是一种集成电路装置，包括有Loadport平台，所述Loadport平台的上端设置有适配器，适配器前端和适配器尾端均设置在所述Loadport平台的上端，且同侧的所述适配器前端和适配器尾端之...

本发明公开了新型喷涂封装工艺，属于芯片喷涂封装技术领域，包括如下步骤：将制造好的裸芯片准备好，在裸芯片上均匀涂抹一层光刻胶；使用光刻机对光刻胶进行曝光，通过掩模将所需的图案投射到光刻胶上；去除未固化的光刻胶部分，形成所需的开窗图案；在开...

本发明公开了改善晶球底部的底切现象的方法，属于晶圆封装技术领域。本发明通过采用等离子体蚀刻这一干法蚀刻方式取代H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;湿式化学蚀刻，由于干法蚀刻中的离子...

本发明公开了新型防叠料测试方法，涉及芯片检测技术领域。包括步骤一：建立MSE系统，监控和管理制造过程的信息系统，步骤二：建立数据库，储芯片电性测试数据和叠料异常信息，步骤三：产品进行FT测试，验证芯片是否正常运行，测试结果上传服务器，步...

本发明公开了一种带传感器的匀胶机，属于晶圆匀胶技术领域，包括送片单元、涂布单元、热板单元、收片单元和检测传感单元，所述检测传感器包括支架、对射传感器、继电器和开关电源。本发明通过使用两个对射传感器，扩大了检测范围，提高了检测精度，有效避...

本技术涉及晶圆电镀技术领域，具体是一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置，所述底座的上端设置有晶圆，所述晶圆边缘均设置有导通压环和金属导通点，所述金属导通点设置在导通压环的下端，同时所述金属导通点通过金属导通线和挂具端子进行连接，所...

本技术涉及焊头吸嘴技术领域，具体是一种集成电路封装装置，包括有安装盘，所述安装盘的中部上端设置有吸嘴杆，所述安装盘上开设有定位槽，所述定位槽设置在吸嘴杆的侧边，同时所述吸嘴杆的内部开设有通孔，且所述吸嘴杆的上端设置有粗糙层。本技术通过设...

本发明公开了集成电路技术领域的新型集成电路FOWLP工艺方法，S1、基板准备；S2、RDL层制作；S3、铜导线框架和芯片放置；S4、封装固化；S5、焊垫制备；S6、切割和封装。本发明通过优化RDL层的制作和芯片放置流程，确保了更高的布线...

本发明公开了集成电路晶凸块重工技术领域的一种保护集成电路晶凸块重工的方法，包括如下具体步骤：S1：在晶圆表面涂布一层的正性光刻胶，用来保护IC线路；S2：通过电浆轰击去除凸块或柱体表面的光刻胶；S3：蚀刻药液去除凸块或柱体，因为IC线路...

本技术涉及先进封装技术领域，具体是一种新型封装结构，包括有IC芯片和Sub载板，所述IC芯片设置在Sub载板的上端中部，同时所述IC芯片或Sub载板上设置有沟槽，且所述沟槽设置在IC芯片的背面两侧或Sub载板的上端边缘。本技术通过结构优...

本技术涉及晶圆湿蚀刻设备技术领域，具体是一种兼顾质量与产量的湿蚀刻设备，所述内槽设置在外槽的内部，同时所述内槽的两端均设置有转轴，所述转轴的端部均贯穿外槽的侧壁，所述外槽的中部设置有汇水腔，所述汇水腔贯穿外槽，同时所述汇水腔的一端与外槽...

本发明涉及封装工艺技术领域，具体是一种新型集成电路产品，包括有芯片，所述芯片的表面设置有连接层，所述连接层的上端设置有阻焊层，所述阻焊层的上端设置有焊料层，所述焊料层为AuSn合金。本发明的焊料层采用AuSn合金设计，且AuSn合金中各...

本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体是一种新型集成电路功率器件，包括有芯片，所述芯片的背部设置有多层金属结构，所述芯片和多层金属结构均设置在金属框架的上端。本发明采用扩散焊接的方式代替了传统焊料焊接，能在较低温度下实现芯片与金属框架之...

本发明公开了混晶层形成技术领域的一种集成电路利用磊晶原理形成混晶层的方法，包括如下步骤：S1、晶粒聚结及暂停；S2、Au薄膜填补；S3、TiW层二次沉积；S4、共晶层形成；S5、电镀凸块。本发明通过在TiW层沉积过程中引入Au薄膜填补缝...

本技术涉及静电防尘载具技术领域，具体是一种集成电路装置，包括有卡孔，所述卡孔的内部中间设置有定位槽，所述定位槽的上端通过固定件固定有静电防尘罩，同时所述静电防尘罩的侧边和定位槽的内部侧边相贴合，且所述卡孔和静电防尘罩之间形成有密闭空间。...

本技术涉及料条产品技术领域，具体是新型引线键合作业装置，所述压板本体的上端中部开设有作业槽口，所述作业槽口的内部两侧均设置有锯齿部，且所述作业槽口的外部两侧均设置有减重槽口，所述减重槽口设置在压板本体的上端两侧，同时所述压板本体的侧边还...

本技术涉及晶圆电镀密封圈技术领域，具体是一种集成电路晶圆工艺装置，包括有侧封圈和底封圈，所述侧封圈设置在底封圈的上端，所述侧封圈的一端与底封圈的上端进行固定，同时所述侧封圈的另一端延伸出底封圈的上端，且设置在所述底封圈的上端侧边，所述侧...