集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置制造方法及图纸

技术编号:43301076 阅读:21 留言:0更新日期:2024-11-12 16:17
本技术涉及晶圆电镀技术领域,具体是一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,所述底座的上端设置有晶圆,所述晶圆边缘均设置有导通压环和金属导通点,所述金属导通点设置在导通压环的下端,同时所述金属导通点通过金属导通线和挂具端子进行连接,所述挂具端子设置在挂具真空探测口上附近,所述挂具真空探测口的端口上部有可连接真空探测器。本技术的阴极端利用增加导通点、阴极分割等方式,搭配阳极端使用阳极分割,于挂具端子表面进行高硬度高导电度的金属表面处理,从而避免了原本挂具端子之间由于阻抗差异,发生抢电与电走快捷的现象,同时增加了金属导通点和独立定电流控制,提高了电流分布的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶圆电镀,具体是集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置


技术介绍

1、导通和防漏是晶圆电镀wafer holder的两大功能。导通的功能关键在电流分布的均匀性,但是其前提则需建立在wafer holder完美的防漏基础之下,否则电路将会在暴露药水之内造成短路,从而丧失挂具的正常电性功能。因此密封圈将起到决定性的作用。但是业界一般对于测漏均采目视的观察方式进行解决,但是此法无法起到预防作用。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、本技术的技术方案是:一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,包括有底座,所述底座的上端用以设置晶圆,所述晶圆的边缘均设置有导通压环和金属导通点,所述金属导通点设置在导通压环的下端,同时所述金属导通点通过金属导通线和挂具端子进行连接,所述挂具端子设置在挂具真空探测口上的侧边,所述挂具真空探测口的端口上部设置有真空探测器,且所述真空探测器和挂具真空探测口之间相连接。

3、更本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,其特征在于,包括有底座(12),所述底座(12)的上端用以设置晶圆(7),所述晶圆(7)的边缘均设置有导通压环(5)和金属导通点(6),所述金属导通点(6)设置在导通压环(5)的下端,同时所述金属导通点(6)通过金属导通线(11)和挂具端子(4)进行连接,所述挂具端子(4)设置在挂具真空探测口(3)上的侧边,所述挂具真空探测口(3)的端口上部设置有真空探测器(1),且所述真空探测器(1)和挂具真空探测口(3)之间相连接。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,其特征在于,所述真空探测器(1)的检测管...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,其特征在于,包括有底座(12),所述底座(12)的上端用以设置晶圆(7),所述晶圆(7)的边缘均设置有导通压环(5)和金属导通点(6),所述金属导通点(6)设置在导通压环(5)的下端,同时所述金属导通点(6)通过金属导通线(11)和挂具端子(4)进行连接,所述挂具端子(4)设置在挂具真空探测口(3)上的侧边,所述挂具真空探测口(3)的端口上部设置有真空探测器(1),且所述真空探测器(1)和挂具真空探测口(3)之间相连接。

2.根据权利要求1所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,其特征在于,所述真空探测器(1)的检测管上安装有真空锁(2)。

3.根据权利要求1所述的一种集成电路封装工艺挂具防漏与接触导通装置,其特征在于,所述导通压环(5)、金...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭剑云黄腾庆
申请(专利权)人:日月新半导体昆山有限公司
类型:新型
国别省市:

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