本发明专利技术的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。本发明专利技术提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。由此，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。
Components for plasma treatment equipment and their spraying methods
The object of the present invention is to protect the adhesive exposed between the two components. The invention provides a spraying method for components used in a plasma processing device, which comprises the following steps: spraying powder of spraying material with particle size less than 15 um together with gas for plasma generation from the front end of the nozzle to the plasma generation section, in which the plasma generation section and the nozzle have a common axis; and using 50 kW in the plasma generation section. The step of generating plasma by gas from the above plasma and the step of using the above plasma to make the powder of the sprayed material become liquid and coat the surface of the resin layer through the mask. Thus, the adhesive exposed between the two components can be protected.
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置用部件及其喷镀方法
本专利技术涉及等离子体处理装置用部件的喷镀方法和等离子体处理装置用部件。
技术介绍
载置台在铝制的基材上具有静电吸盘，具有用能够缓和应力的粘接剂将这些部件粘接的构造(例如参照专利文献1)。但是，粘接剂的等离子体耐性低。因此，粘接剂在从基材与静电吸盘之间露出于等离子体的部分发生消耗。粘接剂的消耗使静电吸盘的寿命缩短，成为静电吸盘更换的原因之一。其结果，发生因静电吸盘的更换而导致的等离子体处理装置的维护时间的增大和成本的增加。因此，为了不消耗从基材与静电吸盘的构造体之间露出的粘接剂，考虑用等离子体耐性高的材料对粘接剂的露出部分进行涂层处理。现有技术文献专利文献1：日本特开2004-349664号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题粘接剂的露出部分的宽度例如为数100μm程度，较狭窄，因此，难以在其峡谷部以数100μm的宽度涂敷等离子体耐性高的材料。针对上述技术问题，在一个方面，本专利技术的目的在于保护从两个部件之间露出的粘接剂。用于解决技术问题的方案为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其特征在于，包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，上述等离子体生成部和上述喷嘴具有共同的轴心；在上述等离子体生成部使用50kW以下的功率从上述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用上述等离子体使喷射出的上述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。专利技术效果根据一个方面，能够保护从两个部件之间露出的粘接剂。附图说明图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。图2(a)、图2(b)是表示一实施方式的静电吸盘的结构的一个例子的图。图3是表示一实施方式的等离子体喷镀装置的整体结构的一个例子的图。图4(a)、图4(b)是将一实施方式的等离子体射流与比较例进行比较的图。图5(a)、图5(b)是表示一实施方式的喷镀膜的膜质和紧贴性的实验结果的一个例子的图。图6是表示一实施方式的喷镀膜的耐蚀性的实验结果的一个例子的图。图7(a)、图7(b)是表示一实施方式的喷镀膜的图案宽度的实验结果的一个例子的图。图8是表示一实施方式的粘接剂的种类的实验结果的一个例子的图。图9(a)、图9(b)、图9(c)是用于说明一实施方式的隔着掩模的喷镀方法的图。附图标记说明1等离子体处理装置2处理容器(腔室)3载置台10静电吸盘10a电极层10b电介质层11聚焦环12基材12a制冷剂流路17闸阀20气体喷淋头20a主体部20b顶板21屏蔽环22气体导入口23气体供给源25气体供给孔30直流电源31开关32第一高频电源33第一匹配器34第二高频电源35第二匹配器36制冷器37传热气体供给源38排气装置100控制装置121喷镀陶瓷122粘接层123、124喷镀膜125掩模150等离子体喷镀装置50供给部51喷嘴51a流路51b开口52主体部52b凹入部52d伸出部60送料部61容器62致动器101控制部40气体供给部41气体供给源47直流电源65等离子体生成部70制冷单元80载置台83废料回收机构88干燥室C腔室U等离子体生成空间。具体实施方式以下，参照附图对用于实施本专利技术的实施方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。[等离子体处理装置的整体结构]首先，参照图1说明等离子体处理装置1的一个例子。本实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行平板等离子体处理装置，具有大致圆筒形的腔室(处理容器)2。处理容器2的内面被实施耐酸铝处理(阳极氧化处理)。处理容器2的内部为用等离子体来进行蚀刻处理和成膜处理等的等离子体处理的处理室。载置台3载置作为基片的一个例子的半导体晶片(以下称为“晶片”。)。载置台3具有用于将晶片W静电吸附在基座12上的静电吸盘(ESC)10，保持于处理容器2的底部。基座12例如由铝(Al)、钛(Ti)、氮化硅(SiC)等形成。载置台3也作为下部电极发挥作用。静电吸盘10为在电介质层10b之间夹着电极层10a的构造。电极层10a与直流电源30连接。当通过开关31的开闭从直流电源30对电极层10a施加直流电压时，晶片W因库仑力而被吸附在静电吸盘10上。在静电吸盘10的外周侧以包围晶片W的外缘部的方式载置有圆环状的聚焦环11。聚焦环11例如由硅形成，具有在处理容器2中使等离子体聚集于晶片W的表面来提高等离子体处理的效率的功能。如图2(a)、图2(b)所示，基材12与静电吸盘10之间通过粘接层122粘接。返回图1，在基材12的内部形成有制冷剂流路12a。从制冷器36输出的例如冷却水、盐水等的冷却介质(以下称为“制冷剂”。)流过制冷剂入口配管12b、制冷剂流路12a、制冷剂出口配管12c进行循环。通过该制冷剂，载置台3被散热并冷却。传热气体供给源37将氦气(He)等的传热气体通过传热气体供给线路16供给到静电吸盘10的表面与晶片W的背面之间。通过该结构，静电吸盘10通过在制冷剂流路12a中循环的制冷剂和供给到晶片W的背面的传热气体来进行温度控制。由此能够将晶片W控制在规定的温度。载置台3经第一匹配器33与供给等离子体生成用的高频电力HF的第一高频电源32连接。另外，载置台3经第二匹配器35与供给偏置电压产生用的高频电力LF的第二高频电源34连接。等离子体生成用的高频电力HF的频率例如可以为40MHz。另外，偏置电压产生用的高频电力LF的频率可以比等离子体生成用的高频电力HF的频率低，例如可以为13.56MHz。本实施方式中，高频电力HF虽然被施加到载置台3，但也可以被施加到气体喷淋头20。第一匹配器33具有在处理容器2内生成等离子体时使第一高频电源32的内部阻抗与负载阻抗大致一致的功能。第二匹配器35具有在处理容器2内生成等离子体时使第二高频电源34的内部阻抗与负载阻抗大致一致的功能。气体喷淋头20具有主体部20a和顶板20b，设置在处理容器2的顶壁部分。气体喷淋头20隔着绝缘性部件21由处理容器2支承。主体部20a由导线性材料例如表面经阳极氧化处理过的铝构成，能够在其下部可拆卸地支承顶板20b。顶板20b例如由硅形成。主体部20a与顶板20b之间通过粘接剂粘接。气体喷淋头20与可变直流电源26连接，从可变直流电源26输出负的直流电压(DC)。气体喷淋头20可以由硅形成。气体喷淋头20也作为与载置台3(下部电极)相对的相对电极(上部电极)发挥功能。在气体喷淋头20形成有导入气体的气体导入口22。在气体喷淋头20的内部设置有从气体导入口22分支的中央侧的扩散室24a和边缘侧的扩散室24b。从气体供给源23输出的气体经气体导入口22供给到扩散室24a、24b，在扩散室24a、24b扩散而从多个气体供给孔25向载置台3导入。在处理容器2的底面形成有排气口18，通过与排气口18连接的排气装置38将处理容器2内排气。由此，能够将处理容器2内维持在规定的真空度。在处理容器2的侧壁设置有闸阀17。闸阀17在将晶片W向处理容器2内输送或从处理容器2送出时打开和关闭。在等离子体处理装置1设置有控制装置整体的动作的控制装置10本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其特征在于，包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，所述等离子体生成部和所述喷嘴具有共同的轴心；在所述等离子体生成部使用50kW以下的功率从所述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用所述等离子体使喷射出的所述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。
【技术特征摘要】
2017.07.13 JP 2017-1373231.一种等离子体处理装置用部件的喷镀方法，其特征在于，包括：将粒径为15μm以下的喷镀材料的粉末与等离子体生成用气体一起从喷嘴的前端部喷射到等离子体生成部的步骤，其中，所述等离子体生成部和所述喷嘴具有共同的轴心；在所述等离子体生成部使用50kW以下的功率从所述等离子体生成用气体生成等离子体的步骤；和使用所述等离子体使喷射出的所述喷镀材料的粉末成为液状，并隔着掩模以覆盖树脂层的表面的方式进行喷镀的步骤。2.如权利要求1所述的喷镀方法，其特征在于：在所述喷镀的步骤中，将所述液状的喷镀材料形成为100μm～1000μm的宽度的膜。3.如权利要求1或2所述的喷镀方法，其特征在于：在所述喷镀的步骤中，将所述液状的喷镀材料形成为5μm～20μm的厚度...
【专利技术属性】
技术研发人员：小林义之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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