成膜方法技术

本发明专利技术提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出，该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤。

Film forming method

The present invention provides a technology of anisotropic etching capable of performing stereoscopic pattern formation. In one embodiment, an etching method for the processed body is provided. The processed body includes a supporting base and a treated layer. The treated layer is arranged on the main surface of the supporting base and includes a plurality of convex regions, which extend above the main surface respectively. The respective end faces of the plurality of convex regions are exposed when viewed from the main surface. The method includes the first step of forming a film on each end of a plurality of convex regions and the second step of selectively exposing one or more ends by anisotropic etching of the film formed by the first step.

【技术实现步骤摘要】
成膜方法
本专利技术的实施方式涉及对被处理体成膜的方法。
技术介绍
在半导体的制造中，伴随半导体元件的精细化要求高精细的配线图案的形成。在该情况下，薄膜的厚度的控制是必须的，在专利文献1中公开有关于使用了ALD(AtomicLayerDeposition)、CVD(ChemicalVaporDeposition)的薄膜的形成技术。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利申请公开第2016/0163556号说明书专利文献2：美国专利第7344996号说明书
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题在具有各自高度不同的多个端面(成为蚀刻对象的面)的复杂的立体图案的形成中进行成膜时，堆积物被形成在图案的槽中纵横比比较高的区域中，对应于图案的疏密会产生图案的槽具有不均匀的宽度地形成等的各种问题，所以立体图案的形成可能变得困难。因此，期望有关于能够良好地进行立体图案的形成的成膜的技术。用于解决课题的技术手段在一个实施方式中，提供一种对被处理体成膜的方法。被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出。成膜方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤，膜包括第一膜和第二膜，第一步骤包括：保形地形成第一膜的第三步骤；和在第一膜上形成第二膜的第四步骤，在第四步骤中，以越离开主面膜厚越增加的方式形成第二膜。在上述方法中，对各个具有端面的多个凸区域，首先通过第一步骤在各端面形成膜，通过第二步骤有选择地仅将特定的一个或多个端面上的膜除去。特别是在第一步骤中，能够保形地形成第一膜，在第一膜上以越离开主面膜厚越增加的方式形成第二膜。因此，通过第一步骤形成的膜的膜厚根据距离支承基体的主面的距离而不同，所以设置有膜厚比较薄的膜的端面通过第二步骤被有选择地露出。在一个实施方式中，在第三步骤中，反复地执行第一流程来保形地形成第一膜，其中，第一流程包括：对配置被处理体的空间供给第一气体的第五步骤；在执行第五步骤之后对配置被处理体的空间进行吹扫的第六步骤；在执行第六步骤之后在配置被处理体的空间中生成第二气体的等离子体的第七步骤；和在执行第七步骤之后对配置配处理体的空间进行吹扫的第八步骤，其中，在第五步骤中不生成第一气体的等离子体。在一个实施方式中，在被处理层的多个凸区域的各端面，均能够保形地形成均匀的膜厚的膜。在一个实施方式中，第一气体包含含有有机基团的氨基硅烷类气体，第二气体包含氧原子。在一个实施方式中，第一气体包含单氨基硅烷。在一个实施方式中，第一气体中含有的氨基硅烷类气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。在一个实施方式中，第一气体中含有的氨基硅烷类气体包含具有1～3个氨基的氨基硅烷。使用含有单氨基硅烷的第一气体在一个实施方式的第五步骤中进行硅的反应前体的形成。在一个实施方式中，对于在第一气体中含有的氨基硅烷类气体能够使用具有1～3个硅原子的氨基硅烷。此外，在一个实施方式中，对于在第一气体中含有的氨基硅烷类气体，能够使用具有1～3个氨基的氨基硅烷。在一个实施方式中，在第四步骤中在配置被处理体的空间中生成第三气体的等离子体。在一个实施方式中第三气体含有硅原子且含有氯原子或者氢原子。在一个实施方式中，第三气体含有SiCl4气体或者SiH4气体。在一个实施方式中能够实现，利用含有硅原子且含有氯原子或氢原子的第三气体，例如含有SiCl4或者SiH4气体的第三气体的等离子体，在第四步骤前的第三步骤中，对保形地形成的硅氧化膜的第一膜上进一步成膜硅氧化膜的第二膜。在一个实施方式中，在第四步骤中，反复地执行第二流程来形成第二膜，其中，第二流程包括：对配置被处理体的空间供给第四气体的第九步骤；在执行第九步骤之后对配置被处理体的空间进行吹扫的第十步骤；在执行第十步骤之后在配置被处理体的空间中生成第五气体的等离子体的第十一步骤；和在执行第十一步骤之后对配置被处理体的空间进行吹扫的第十二步骤，其中，在第九步骤中不生成第四气体的等离子体。在一个实施方式中，第四气体包含硅原子和氯原子，第五气体包含氧原子。在一个实施方式中，第四气体包含含有SiCl4气体和Ar气体的混合气体。在一个实施方式中能够实现，通过反复执行第二流程，该第二流程包括：使用含有硅原子和氯原子的第四气体、例如含有SiCl4气体和Ar气体的混合气体的第四气体的第九步骤；和使用含有氧原子的第五气体的等离子体的第十一步骤，对于在第四步骤前的第三步骤中保形地形成的氧化硅膜的第1膜上能够进一步成膜氧化硅膜的第二膜。在一个实施方式中，在第二步骤中，在配置被处理体的空间中生成第六气体的等离子体，并对该第六气体的等离子体施加偏置电力。在一个实施方式中，第六气体包含氟碳类气体。在一个实施方式中，通过使用了氟碳类气体的等离子体的各向异性蚀刻，能够有选择地使设置有膜厚比较薄的膜的端面露出。在一个实施方式中，包括在执行第二步骤之后对被处理层进行蚀刻的第十三步骤。在一个实施方式中能够实现，通过第十三步骤，对尤其是在第二步骤中露出的端面能够进行适当的蚀刻。在一个实施方式中，被处理层包含硅氮化物，膜包含硅氧化物。专利技术效果如以上所说明，本专利技术提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。附图说明图1是表示一个实施方式的方法的流程图。图2是表示等离子体处理装置的一例的图。图3是示意性地表示在图1所示的方法的执行之前的晶片的表面的主要部分的状态的截面图。图4是示意性地表示在图1所示的方法的执行中的晶片的表面的主要部分的状态的截面图。图5是示意性地表示在图1所示的方法的执行中的晶片的表面的主要部分的状态的截面图。图6是示意性地表示在图1所示的方法的执行中的晶片的表面的主要部分的状态的截面图。图7是示意性地表示在图1所示的方法的执行中的晶片的表面的主要部分的状态的截面图。图8是示意性地表示在图1所示的方法的执行中的晶片的表面的主要部分的状态的截面图。图9是更加详细地表示图1所示的方法的一部分的步骤的流程图。图10包括(a)部分和(b)部分，图10的(a)部分和图10的(b)部分都是更加详细地表示图1所示的方法的一部分的步骤的流程图。图11是更加详细地表示图1所示的方法的一部分的步骤的流程图。图12包括(a)部分、(b)部分和(c)部分，图12的(a)部分图12的(b)部分和图12的(c)部分都是示意性地表示图1所示的方法中进行的成膜的原理的图。图13包括(a)部分、(b)部分和(c)部分，图13的(a)部分图13的(b)部分和图13的(c)部分都是示意性地表示图1所示的方法中进行的蚀刻的原理的图。附图标记说明10…等离子体处理装置、12…处理容器、12e…排气口、12g…送入送出口、14…支承部、18a…第一板、18b…第二板、22…直流电源、23…开关、24…致冷剂流路、26a…配管、26b…配管、28…气体供给通路、30…上部电极、32…绝缘性遮挡部件、34…电极板、34a…气体排出孔、36…电极支承体、36a…气体扩散室、36b…气体流通孔、36c…气体导入口、38…气体供给管、40…气体源组、42…阀门组、44…流量控制器组、4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对被处理体成膜的方法，所述被处理体包括支承基体和被处理层，所述被处理层设置在所述支承基体的主面并包括多个凸区域，所述多个凸区域分别延伸到所述主面的上方，所述多个凸区域各自的端面在从所述主面上看时露出，所述成膜方法的特征在于，包括：在所述多个凸区域各自的所述端面形成膜的第一步骤；和对通过所述第一步骤形成的所述膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个所述端面露出的第二步骤，所述膜包括第一膜和第二膜，所述第一步骤包括：保形地形成所述第一膜的第三步骤；和在所述第一膜上形成第二膜的第四步骤，在所述第四步骤中，以越离开所述主面膜厚越增加的方式形成所述第二膜。

【技术特征摘要】
2017.04.14 JP 2017-0808001.一种对被处理体成膜的方法，所述被处理体包括支承基体和被处理层，所述被处理层设置在所述支承基体的主面并包括多个凸区域，所述多个凸区域分别延伸到所述主面的上方，所述多个凸区域各自的端面在从所述主面上看时露出，所述成膜方法的特征在于，包括：在所述多个凸区域各自的所述端面形成膜的第一步骤；和对通过所述第一步骤形成的所述膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个所述端面露出的第二步骤，所述膜包括第一膜和第二膜，所述第一步骤包括：保形地形成所述第一膜的第三步骤；和在所述第一膜上形成第二膜的第四步骤，在所述第四步骤中，以越离开所述主面膜厚越增加的方式形成所述第二膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述第三步骤中，反复地执行第一流程来保形地形成所述第一膜，其中，所述第一流程包括：对配置所述被处理体的空间供给第一气体的第五步骤；在执行所述第五步骤之后对配置所述被处理体的空间进行吹扫的第六步骤；在执行所述第六步骤之后在配置所述被处理体的空间中生成第二气体的等离子体的第七步骤；和在执行所述第七步骤之后对配置所述配处理体的空间进行吹扫的第八步骤，其中，在所述第五步骤中不生成所述第一气体的等离子体。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一气体包含含有有机基团的氨基硅烷类气体，所述第二气体包含氧原子。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第一气体包含单氨基硅烷。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第一气体中含有的氨基硅烷类气体包含具有1～3个硅原子的氨基硅烷。6.如权利要求3或5所述的方法，其特征在于：所述第一气体中含有...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊仓翔，田端雅弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP