【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及形成抗蚀图案的方法、制造半导体装置的方法、基板处理装置和存储介质。
技术介绍
1、为了形成具有20nm尺寸的微细的抗蚀图案，在现有技术中应用使用了化学增幅型抗蚀材料的极紫外线(euv)光刻的技术(专利文献1)。在化学增幅型抗蚀材料时，通常通过由图案曝光产生的酸催化剂的作用，进行用于形成抗蚀图案的反应。为了通过euv光刻形成微细的抗蚀图案，还提出了应用非化学增幅型抗蚀材料的方案(专利文献2和非专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2020-101593号公报
5、专利文献2：美国专利申请公开第2020/0064733号
6、非专利文献
7、非专利文献1：j.micro/nanolith.mems moems16(2),023510(apr-jun 2017)
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术问题
2、在形成微细的抗蚀图案时，希望抗蚀图案的粗糙度进一步降低。
3、用于解决技术问题的技术手段
4、本专利技术的一个专利技术涉及形成抗蚀图案的方法，其依次包括：对含有抗蚀材料的抗蚀膜的一部分照射第一射线的步骤；对上述抗蚀膜进行烘烤的步骤；对上述抗蚀膜中包括照射了上述第一射线的部分以及此外的部分的全部区域整体照射第二射线的步骤；和通过显影将上述抗蚀膜的一部分除去来形成抗蚀图案的步骤。上述第一射线为电离射线或非电离射线，上述第二射线为非电
5、专利技术效果
6、根据本专利技术的方法，能够降低通过极紫外线(euv)光刻等形成的微细的抗蚀图案的粗糙度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种形成抗蚀图案的方法，其特征在于，依次包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，
5.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，
6.一种制造具有已图案化的膜的半导体装置的方法，其特征在于，该方法包括：
7.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
8.一种计算机能够读取的存储介质，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种形成抗蚀图案的方法，其特征在于，依次包括：
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，
5.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：永原诚司，C·丁恩，村松诚，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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