提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO2层(49)，排出多余的HF气体，朝向吸附有HF气体的分子的角部SiO2层(49)供给NH3气体，使角部Si...

本文公开的技术提供了一种用于减小间距(增加间距/特征密度)以用于创建高分辨率特征并且还用于对亚分辨率特征的间距进行切割的方法。技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口。使用一系列材料或材料线的重复图案...

本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸...

本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置...

本发明涉及基板处理装置、温度控制方法以及存储介质。载置台设置有用于载置基板和以包围该基板的方式配置的环构件的一方或两方的载置面，并在载置面分割得到的各分割区域分别设置有能够调整温度的加热器。计算部使用预测模型计算对载置面上的基板进行规定...

能使装到基板保持器具的基板效率良好冷却的基板处理装置和基板的冷却方法。基板处理装置有：处理容器，其底面开口；基板保持器具，其水平保持多张基板并有预定间隔且能在铅垂方向上装载；升降机构，其使基板保持器具升降，能从开口使基板保持器具自处理容...

提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。本发明防止由于基板的上表面的清洗中所使用的处理液而基板的下表面被污染。本发明在一边利用基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处...

提供一种一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗的基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质。基板处理方法包括以下工序：在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以基板的转速在第一转...

本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(...

本发明提供使用简易的装置恰当地测定处理气体的浓度。本发明的疏水化处理装置(41)使用含有离子的处理气体对晶片(W)进行处理，其包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(300)；对处理容器(300)的内部供给HMDS气体的气体供给部(320)...

本发明的目的是提供一种使等离子体处理的均匀性提高的等离子体处理装置。该等离子体处理装置利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形...

本发明涉及基板处理装置。在一边使载置于旋转台的一面侧的作为基板的晶圆公转一边进行成膜处理时，沿晶圆的周向实施均匀的处理。设为利用旋转台(2)使在旋转台的一面侧载置晶圆的载置台(3)公转。另外，在载置台的自转轴(32)设有从动齿轮(4)，...

本发明提供一种能够在短时间内收敛于规定温度的热处理装置和温度控制方法。一个实施方式的热处理装置具备：处理容器，其收纳基板；炉主体，其具有对收纳于所述处理容器中的所述基板进行加热的加热器，所述炉主体设置于所述处理容器的周围；鼓风机，其向所...

等离子电极(30)具备中间电极板(60)、接地板(40)以及被配置在中间电极板(60)与接地板(40)之间的中间绝缘板(50)。中间电极板(60)的凸部(61)被配置于接地板(40)的贯通孔(42)以及中间绝缘板(50)的贯通孔(52)...

基板处理装置具备：基板保持部(31)，其保持基板(W)；外喷嘴(45)，其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液；以及致动器(46、90)，其能够变...

本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清...

本发明的实施方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1器件、第2供给通路、第2器件、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基板。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1器件用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第...

本文公开的技术提供了用于继续对具有亚分辨率特征的衬底进行图案化的方法。技术包括使用新的沉积和去除技术。这产生具有其中光致抗蚀剂位于给定衬底上的结构之间的交叉指型光致抗蚀剂的衬底。结合使用极紫外光刻曝光，本文的图案化技术可以在衬底上的指定...

本文公开的技术提供了一种用于减小间距以用于创建高分辨率特征并且还用于对亚分辨率特征的间距进行切割的方法和制造结构。技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口或块。在下层上形成交替材料的图案。将刻蚀掩模安...

本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载...