本发明提供能够抑制磁阻效应元件的磁特性的劣化的蚀刻方法。蚀刻方法包括如下工序：蚀刻包含磁隧道结的第1多层膜的工序；为了在等离子体处理装置的腔室内蚀刻包含钉扎层的第2多层膜而在腔室内生成包含烃气和稀有气体的第1气体的等离子体的工序；以及(...

本发明提供一种蚀刻方法和基板处理系统。该蚀刻方法能够防止从基板制造的器件受到损伤。对在表层形成有氧化硅膜(32)的晶圆(W)实施去除该氧化硅膜(32)的第1突破处理，在第1突破处理之后实施对多晶硅层(31)进行蚀刻的第1主蚀刻处理，在第...

本发明在对作为处理对象的基片供给规定的气体的处理中，适当地检测异常处理。疏水化处理单元(U5)包括：收纳作为处理对象的晶片(W)的处理容器(21)；对处理容器(21)供给空气(第1空气)的开闭部(60)(第1供给部)；对处理容器(21)...

本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作...

本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体...

成膜装置以及成膜方法。在对沿垂直方向多层地配置的状态的多个基板进行成膜处理时，使膜厚的面内均匀性和覆盖性能良好。成膜装置具有：基板保持构件，其以规定间隔沿垂直方向多层地保持多个被处理基板；处理容器，其收容保持有被处理基板的基板保持构件；...

本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中...

本发明提供一种在利用多个发光区块形成带状的照射区域来对基片进行光处理时，能够将照射区域的长度方向的照度分布模式容易地高精度地调节到目标照度分布模式的技术。按每个发光区块(42)事先取得将照射区域的长度方向的位置与驱动电流的变化量引起的照...

本发明提供一种能够抑制由等离子体导致的金属窗的溅射削落并且能够进行等离子体的强度的分布调整的感应耦合型的等离子体处理装置。该对基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(100)包括：在等离子体生成区域内产生感应耦合等离子体的高频天线...

本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶...

本发明提供一种载置台，其削减妨碍从聚焦环向基座导热的孔以改善聚焦环的温度不均。载置台包括：用于载置被处理体的基座；以包围载置被处理体的区域的方式设置于基座上的聚焦环；形成有贯通孔的连结部件，其被插入在基座上的与聚焦环的下部对应的区域形成...

本发明提供一种在具有后混合结构的等离子体处理装置中能够得到良好的蚀刻形状的等离子体处理装置和等离子体处理方法。通过具有如下特征的等离子体处理装置来解决上述课题，该等离子体处理装置包括：处理容器；设置于所述处理容器内的保持基片的载置台；能...

本发明提供控制在作为基片的晶片面内的膜厚分布的技术。在将供给原料气体和作为反应气体的O2气体来形成单分子层的循环反复进行多次，在晶片(W)形成规定膜厚的SiO2膜时，从形成有在晶片(W)的径向上同心圆状地划分成多个而得的、能够彼此独立地...

本发明提供一种超临界流体制造装置和基板处理装置。超临界流体制造装置能够吸收在超临界流体制造装置内流动的处理流体的压力变动或脉动，并且能够防止缓冲罐中滞留微粒的不良情况。超临界流体制造装置(70)具备气体供给线(71a)、冷却器(72)、...

提供一种基板处理装置的清洗方法和基板处理装置的清洗系统。在使用超临界流体来使晶圆干燥的情况下，抑制大量微粒附着于晶圆。实施方式所涉及的基板处理装置的清洗方法是使由于液体而表面湿润的状态的基板与超临界流体接触来进行使基板干燥的干燥处理的基...

提供一种减少对基板的处理的不均的基板液处理装置和基板液处理方法。实施方式所涉及的基板液处理装置具备载置部、液处理部、搬送部以及旋转部。载置部载置从外部搬入的基板。液处理部通过使基板以基板的板面与水平方向正交的姿势浸在处理液中来对基板进行...

本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置...

本发明提供一种有效地抑制处理进行的程度由于基片上的位置不同而产生偏差的装置。涂敷、显影装置(2)包括旋转保持部(30)、显影液供给部(40)和控制器(100)。控制器执行：在晶片(W)的表面(Wa)上形成冲洗液的积液之后，使显影液供给部...

本发明提供一种能够缩短清洁时间并进行均匀性高的清洁的清洁方法。一个实施方式的清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，在处理室内在使上表面能够载置基板的旋转台在第一清洁位置旋转的状态下，从所述旋转台的基板载置面的上方供给清洁气体；以及第二清洁...

本发明提供一种能够进行准确的检查的晶片检查装置。晶片检查装置(10)包括：具有向晶片(W)突出的多个接触式探针(25)的探针卡(19)；载置晶片(W)且向探针卡(19)移动的卡盘上端部件(29)；和调整卡盘上端部件(29)相对于探针卡(...