微粒去除方法和基板处理方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。

Particle removal and substrate treatment

The aim of the present invention is to provide a particle removal method and a substrate treatment method capable of reducing particles remaining on the surface of the etched film after etching. A particle removal method is used to remove particles on the etched membrane using a fluorine gas. The particle removal method includes the following process: a mixture of hydrogen added to the activated oxygen gas is provided on the etched membrane.

【技术实现步骤摘要】
微粒去除方法和基板处理方法
本专利技术涉及一种微粒去除方法和基板处理方法。
技术介绍
以往以来，公知一种能够使用旋转台式的ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积法)成膜装置来进行蚀刻的基板处理装置(例如参照专利文献1)。专利文献1所记载的基板处理装置具备：旋转台，其以能够旋转的方式设置于真空容器内，且能够载置基板；第一反应气体供给部，其能够向旋转台的表面供给第一反应气体；第二反应气体供给部，其以相对于第一反应气体供给部在旋转台的周向上分离的方式设置，能够向旋转台的表面供给与第一反应气体发生反应的第二反应气体；以及活化气体供给部，其以相对于第一反应气体供给部及第二反应气体供给部在所述旋转台的周向上分离的方式设置，包括能够向旋转台的表面供给被活化后的含氟气体的喷出部。而且，活化气体供给部构成为包括配管和一个或多个含氢气体供给部，其中，该配管设置于比喷出部靠上游侧的位置且能够向喷出部供给含氟气体，该一个或多个含氢气体供给部设置于配管且能够向配管的内部供给含氢气体。在具有上述的结构的基板处理装置中，在进行成膜时，一边从第一反应气体供给部供给含Si气体等原料气体并从第二反应气体供给部供给臭氧等反应气体，一边使旋转台旋转，由此能够进行SiO2等的成膜。而且，在对所形成的SiO2等的膜进行蚀刻的情况下，停止从第一反应气体供给部和第二反应气体供给部供给气体，在活化气体供给部中使含氟气体活化，在中途的配管中添加含氢气体，从喷出部添加含氢气体，供给被活化后的含氟气体，由此能够对形成于基板上的膜进行蚀刻。专利文献1：日本特开2016-162930号公报专利
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，使用以ALD成膜装置为基础的基板处理装置来在一个真空容器内进行成膜和蚀刻并不容易。特别是，还存在以下情况：由于原本是成膜装置，因此在进行了蚀刻处理时，蚀刻后的膜的质量欠佳。例如，还存在以下情况：在使用含氟气体进行了蚀刻时，在表面残留有氟，在蚀刻后的膜上产生微粒，使得蚀刻后的膜的表面变得粗糙。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。用于解决问题的方案为了实现上述目的，本专利技术的一个方式所涉及的微粒去除方法去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向进行所述蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。专利技术的效果根据本专利技术，能够抑制蚀刻后的膜上的微粒。附图说明图1是基板处理装置的概要截面图。图2是基板处理装置的概要俯视图。图3是用于说明基板处理装置中的分离区域的局部截面图。图4是表示基板处理装置的其它截面的局部截面图。图5是用于说明基板处理装置中的第三处理区域P3的局部截面图。图6是用于说明喷头部的底面的气体喷出孔的配置的一例的图。图7是用于说明基板处理装置的氢气供给部的第一方式的概要立体图。图8是用于说明基板处理装置的氢气供给部的第二方式的概要立体图。图9是表示实施本专利技术的实施例所涉及的微粒去除方法所得到的实施结果的图。附图标记说明1：真空容器；2：旋转台；24：凹部；31、32：反应气体喷嘴；90：活化气体供给部；93：喷头部；193、193a～193d：气体喷出孔；94：配管；96：氢气供给部；100：控制部；W：晶圆。具体实施方式下面，参照附图来说明用于实施本专利技术的方式。此外，在本说明书和附图中，对于实质上具有相同的功能结构的构成要素，通过标注相同的标记来省略重复的说明。[基板处理装置的结构]首先，对本专利技术的一个实施方式所涉及的微粒去除方法和基板处理方法中优选使用的基板处理装置进行说明。图1是基板处理装置的概要截面图。图2是基板处理装置的概要俯视图。图3是用于说明基板处理装置中的分离区域的局部截面图。图4是表示基板处理装置的其它截面的局部截面图。如图1和图2所示，基板处理装置具备：扁平的真空容器1，其具有大致圆形的平面形状；以及旋转台2，其设置于该真空容器1内，在真空容器1的中心处具有旋转中心。真空容器1是用于收纳基板并进行基板处理的处理室。真空容器1具有：容器主体12，其具有有底的圆筒形状；以及顶板11，其经由例如O型环等密封构件13以能够相对于容器主体12的上表面进行装卸的方式气密地配置。旋转台2通过中心部而固定于圆筒形状的芯部21，该芯部21被固定于沿铅垂方向延伸的旋转轴22的上端。旋转轴22贯穿真空容器1的底部14，该旋转轴22的下端安装于使旋转轴22绕铅垂轴旋转的驱动部23。旋转轴22和驱动部23被收纳于上表面开口的筒状的壳体20内。该壳体20的设置于其上表面的凸缘部分气密地安装于真空容器1的底部14的下表面，从而维持壳体20的内部气氛与外部气氛之间的气密状态。如图2所示，在旋转台2的表面上，沿旋转方向(周向)设置有能够载置多个(在图示的例子中为五个)作为基板的半导体晶圆(以下称为“晶圆W”。)的圆形状的凹部24。此外，在图2中，为了方便，只在一个凹部24中示出晶圆W。该凹部24具有比晶圆W的直径(例如300mm)稍大(例如大4mm)的内径以及与晶圆W的厚度大致相等的深度。因而，当将晶圆W载置于凹部24时，晶圆W的表面与旋转台2的表面(不载置晶圆W的区域)的高度相同。在凹部24的底面形成有供用于支撑晶圆W的背面来使晶圆W升降的例如三根升降销贯穿的贯穿孔(均未图示)。如图2所示，在旋转台2的上方配置有反应气体喷嘴31、32、分离气体喷嘴41、42以及活化气体供给部90。在图示的例子中，在真空容器1的周向上，从搬送口15(后述)起沿顺时针方向(旋转台2的旋转方向)隔开间隔地依次排列有活化气体供给部90、分离气体喷嘴41、反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴42以及反应气体喷嘴32。此外，反应气体喷嘴31是第一反应气体供给部的一例，反应气体喷嘴32是第二反应气体供给部的一例。反应气体喷嘴31、32的各自的基端部的气体导入端口31a、32a被固定于容器主体12的外周壁，反应气体喷嘴31、32从真空容器1的外周壁导入到真空容器1内。而且，反应气体喷嘴31、32以沿着容器主体12的半径方向与旋转台2平行地延伸的方式安装。分离气体喷嘴41、42的各自的基端部的气体导入端口41a、42a被固定于容器主体12的外周壁，分离气体喷嘴41、42从真空容器1的外周壁导入到真空容器1内。而且，分离气体喷嘴41、42以沿着容器主体12的半径方向与旋转台2平行地延伸的方式安装。在后面记述活化气体供给部90。反应气体喷嘴31例如由石英构成，经由未图示的配管和流量调整器等而与作为第一反应气体的含Si(硅)气体的供给源(未图示)相连接。反应气体喷嘴32例如由石英构成，经由未图示的配管和流量调整器等而与作为第二反应气体的氧化气体的供给源(未图示)相连接。分离气体喷嘴41、42均经由未图示的配管和流量调整阀等而与分离气体的供给源(未图示)相连接。作为含Si气体，例如能够使用有机氨基硅烷气体，作为氧化气体，例如能够使用O3(臭氧)气体、O2(氧)气体。作为分离气体，例如能够使用N2(氮)气体、Ar(氩)气体。在反应气体喷嘴31、32上，沿着反应气体喷嘴31、32的长度方向以例如10mm的间隔排列有朝向旋转台2开口的多个气体喷出孔33(参照图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。

【技术特征摘要】
2016.12.20 JP 2016-2469251.一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。2.根据权利要求1所述的微粒去除方法，其特征在于，所述含氧气体还包含氩。3.根据权利要求1或2所述的微粒去除方法，其特征在于，所述含氟气体是还含碳的碳氟化合物系的气体。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的微粒去除方法，其特征在于，所述进行蚀刻后的膜是形成于基板上的膜，该基板被收纳在处理室内，在该处理室内设置能够进行气体供给的气体喷出单元，在该处理室外设置等离子体发生室，并且该气体喷出单元与该等离子体发生室通过配管连接，当向所述气体喷出单元供给在所述等离子体发生室中被活化后的所述含氧气体时，将所述氢供给到所述配管内。5.根据权利要求4所述的微粒去除方法，其特征在于，所述基板在设置于所述处理室内的旋转台的表面上沿周向配置，所述气体喷出单元设置于沿所述旋转台上的周向的规定位置，每当使所述旋转台旋转而所述基板经过所述气体喷出单元的下方时，所述混合气体被供给到所述进行蚀刻后的膜上。6.根据权利要求4或5所述的微粒去除方法，其特征在于，所述气体喷出单元是喷头，所述混合气体经由设置于该喷头的底面的气体喷出孔从所述进行蚀刻后的膜的上方供给到该膜上。7.一种基板处理方法，包括以下工序：向形成于基板上的膜上供给含氟气体来进行蚀刻；以及向进行所述蚀刻后的所述膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体来去除所述膜上的微粒。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板被收纳在处理室内，在该处理室内设置能够进行气体供给的气体喷出单元，在该处理室外设置等离子体发生室，并且该气体喷出单元与该等离子体发生室通过配管连接，在进行所述蚀刻的工序中，所述含氟气体在所述等离子体发生室中被...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤润，米泽雅人，千叶贵司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP