本发明提供了一种在曝光基片的整个表面的曝光装置中，能够高精度地控制基片的面内的各部的曝光量的技术。曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射...

本发明提供一种曝光装置、曝光装置的调整方法以及存储介质。在对基板的表面整体曝光的曝光装置中，能够对基板面内的各部以适当的曝光量进行曝光。曝光装置具备：载置部，其用于载置基板；多个光照射部，所述多个光照射部分别独立地向所述基板的表面的左右...

本发明涉及气体喷射器和立式热处理装置。该气体喷射器设置于立式热处理装置，用于向立式的反应容器内供给在基板上成膜用的成膜气体，将基板保持器具向在周围配置有加热部的反应容器内输入来对多个基板进行热处理，该基板保持器具沿上下方向将多个基板排列...

本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(...

本发明提供一种将温度的不同的两种热交换介质交替供给到载置台的供给装置。供给装置具有一个以上的阀装置。一个以上的阀装置各自具有筒状的外壳和轴体。外壳提供第一～第二入口和第一～第二出口。第一～第二入口分别与第一～第二介质温度调节器连接。第一...

本实用新型提供一种能够与装置内的各部分的位置关系、配管、设置条件等无关地利用过滤器适当地去除处理液内的微粒的处理液供给装置。在以往的处理液供给装置中，有时处理液经过过滤器时的液压由于缓冲罐与过滤器的位置关系、两者之间的配管等而不成为期望...

本文中的技术提供了用于鳍片和纳米线的精确切割，而不需要伪栅极对来补偿上覆未对准。本文的技术包括使用蚀刻掩模来去除栅极结构的指定部分以限定具有鳍片结构、纳米线等的沟槽或敞开空间。未被覆盖的鳍片结构被蚀刻掉或以其他方式从沟槽区段去除。限定沟...

在接口装置(50)中，对基座部件(55)施加负载，当将连接器部(51)推至外部连接器(41)时，弹簧(59)缩短，基座部件(55)与保持件(57)的间隔靠近。连结部件(61)的倾斜面(65a1)从保持件(57)的倾斜面(57b)分离，由...

一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，包括：向放入了在抗蚀剂膜上形成有规定的图案的被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合...

基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二...

在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上...

防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。防止处于图案的凹部内的液体在被置换为超临界状态的处理流体之前蒸发。包括以下工序：升压工序，将表面附着有液体的基板容纳于处理容器后向处理容器供给被加压后的处理流体，来使处理容器内的压力...

本发明提供一种等离子体处理装置的阻抗匹配方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置的第一高频电源和第二高频电源分别输出连续波、调制波和双重调制波。在一个实施方式的方法中，对于确定第一高频电源的负载侧的阻抗的第一平均值和确定第二高频电源的负...

本实用新型提供一种在层叠处理单元的同时也抑制装置的高度的基板处理装置。实施方式的基板处理装置具备多个处理部、处理流体供给管线以及框架构造体。多个处理部沿着水平方向排列配置，并使用处理流体来处理基板。处理流体供给管线具有水平地配置于多个处...

一种基板处理装置。向被支承成可旋转的基板供给第1处理液或第2处理液，对基板进行处理，即使是该基板处理装置用于使基板低速旋转的工序的情况下，也按照类别回收来自基板的处理液。在显影处理装置中，在正型显影处理之际，使分配部上升，将来自晶圆的正...

本实用新型提供一种液处理装置。在喷嘴载置区域与多个基板载置区域上的各处理位置之间进行喷嘴的输送的液处理装置抑制对与喷嘴连接的配管的损伤并且抑制生产率的下降。将装置构成为具备设置在基板载置区域的列的后方，用于载置喷嘴的喷嘴载置区域以及用于...

本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气...

本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有：第一绝缘膜形成工序，在该工序中，在具有由栅极覆盖呈鳍状隆起的源极和漏极的构造的晶体管上形成第一绝缘膜；牺牲膜形成工序，在该工序中，形成牺牲膜；硬掩模图案形成工序，在该工序中...

本发明描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第...