基板处理方法、基板处理装置以及存储介质制造方法及图纸

基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，能够适当地保留存在于去除对象膜下的基底膜、例如包含SiO2的膜。

Substrate processing method, substrate processing device and storage medium

The substrate processing method includes the following process: the first processing procedure supplies the first processing liquid containing the hydrofluoric acid and nitric acid to the periphery portion of the rotating base plate to etch the membrane of the removal object, and the second processing procedure, after supplying the first processing liquid to the substrate, A second processing liquid is supplied to the circumferential part of the rotating base plate to etch the membrane of the removal object. In the second processing liquid, the second mixing ratio of the hydrofluoric acid is lower than the first solution and the ratio of nitric acid with a ratio of second is contained in the hydrofluoric acid and nitric acid. When removing the object membrane containing SiGe, amorphous silicon or polysilicon by wet etch from the periphery of the substrate, the basement membrane that exists under the membrane of the removal object, such as the membrane containing SiO2, can be properly retained.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
本专利技术涉及一种对在基板的周缘部分形成的膜进行湿蚀刻的技术。
技术介绍
在半导体器件的制造中，进行利用药液从半导体晶圆等基板的包含斜面部的周缘部分去除不需要的膜的斜面蚀刻这样的工序。在应去除的膜的下层经常存在应保留的膜。在该情况下，在应去除的膜相对于应保留的膜的蚀刻选择比不足够高的情况下，为了使应保留的膜的蚀刻量最小，需要将蚀刻率抑制得低。在专利文献1中公开了以下一种基板处理方法：在进行斜面蚀刻时，在想要提高蚀刻率时，从第一喷嘴向旋转的基板的周缘部分供给高浓度的药液例如氢氟酸，在想要抑制蚀刻率时，从第一喷嘴向旋转的基板的周缘部分供给高浓度的药液，并且从第二喷嘴向基板的周缘部分供给纯水(DIW)来稀释从第一喷嘴供给的药液。但是，通过氢氟酸与纯水的组合来控制蚀刻率的方法不能应用于去除对象膜包含SiGe、非晶硅、多晶硅的情况。专利文献1：日本特开2008-47629号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供如下一种技术：在通过湿蚀刻从基板的周缘部分去除包含SiGe、非晶硅或多晶硅的去除对象膜时，适当地保留存在于去除对象膜下的包含SiO2等的基底膜。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，对基板的周缘部分进行处理，所述基板处理方法的特征在于，包括以下工序：基板旋转工序，保持基板并使该基板旋转，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜；第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.16 JP 2015-1832531.一种基板处理方法，对基板的周缘部分进行处理，所述基板处理方法的特征在于，包括以下工序：基板旋转工序，保持基板并使该基板旋转，该基板形成有基底膜，在所述基底膜上形成有包含硅锗、非晶硅以及多晶硅中的任一物质的去除对象膜；第一处理工序，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给以第一混合比含有氢氟酸和硝酸的第一处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻；以及第二处理工序，在向所述基板供给所述第一处理液之后，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给第二处理液，来对所述去除对象膜进行蚀刻，在该第二处理液中，以相比于第一处理液而言氢氟酸的含有比低且硝酸的含有比高的第二混合比含有氢氟酸和硝酸。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，还具备预处理工序，该预处理工序在所述第一处理工序之前，向正在旋转的所述基板的周缘部分供给有机清洗剂。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述去除对象膜包含上层和下层，其中，该下层比所述上层靠下且比所述上层薄，以蚀刻所述上层的时间来执行所述第一处理工序，以蚀刻所述下层的时间来执行所述第二处理工序。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，还具有冲洗工序，该冲洗工序在所述第一处理工序结束后且所述第二处理工序开始前，使用纯水来进行所述基板的冲洗。5.根据权利要求1所述的基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：难波宏光，植木达博，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP