本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备：处理槽(34)，其收纳基板(8)；以及多个气体供给管(81、82、83、84)，所述多个...

本发明公开了衬底的背面摩擦减小。处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成向衬底的正面表面施加光敏膜的第一沉积模块以及被配置成向衬底的背面表面施加膜层的第二沉积模块。衬底的正面表面与背面表面相反。...

本发明涉及半导体装置的制造方法、真空处理装置及基板处理装置。在对用于蚀刻形成于基板的被蚀刻膜的掩模进行了该蚀刻后，以简易的方法以抑制被蚀刻膜的损伤的方式去除。实施如下工序：向形成有被蚀刻膜(20)的基板(晶圆W)的表面供给聚合用的原料，...

基板的检查方法、计算机存储介质以及基板检查装置。关于对通过多种不同的处理装置沿规定的搬送路径被反复处理的基板进行检查的方法，对由任一个处理装置处理过的基板的表面进行摄像来获取第一基板图像，对成为过第一基板图像的摄像对象且在由一个处理装置...

本发明提供一种向工件排出液滴的液滴排出装置，其无需每一种功能液都进行调节，能够基于滴注到检查用介质上的功能液滴的拍摄结果，适当地调节排出状态。液滴排出装置(1)包括：向工件排出功能液的液滴的喷头(24)；由检查膜(52)的具有憎液性的表...

本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子...

本发明提供一种能够使生产率提高的聚焦环更换方法。该聚焦环更换方法在能够对被载置于在处理室的内部设置的载置台的基板进行等离子体处理的等离子体处理装置中使用，更换以包围所述基板的周围的方式载置于所述载置台的聚焦环，该聚焦环更换方法的特征在于...

处理系统具备1个以上的处理单元(20)。各处理单元(20)具有多个处理腔室(22)和公用模块(30)。各处理腔室(22)使用所供给的处理气体来对被处理体进行处理。公用模块(30)包括对向多个处理腔室(22)分别供给的处理气体的流量进行控...

本发明提供一种能够缩短将第1基板、第2基板向接合装置输送的处理时间的接合系统。实施方式的一形态的接合系统具备向接合第1基板和第2基板的接合装置输送第1基板和第2基板的基板输送装置。另外，接合系统具备：第1保持板，从上表面侧保持第1基板；...

本发明提供一种能够缩短接合装置中的基板的接合处理时间的基板输送装置和接合系统。实施方式的一形态的基板输送装置向用于将第1基板和第2基板接合的接合装置输送第1基板和第2基板。另外，基板输送装置具备第1保持部和第2保持部。第1保持部从上表面...

本发明提供一种能够谋求基板的处理时间的缩短的接合系统。实施方式的一形态的接合系统具备基板输送装置、表面改性装置、加载互锁室、表面亲水化装置以及接合装置。基板输送装置在常压气氛下输送第1基板以及第2基板。表面改性装置在减压气氛下对第1基板...

本发明提供一种能够抑制微粒的产生的接合装置。实施方式的一技术方案的接合装置具备上侧保持部、下侧保持部、推压部、以及吸附保持部。上侧保持部从作为非接合面的上表面侧保持第1基板。下侧保持部设置于上侧保持部的下方，使第2基板与第1基板相对而从...

本发明提供一种气体供给系统、基板处理系统及气体供给方法，为了控制多个气体并执行工艺而进行了改进。向基板处理装置的腔室供给气体的气体供给系统，具备：第1流路，连接第1气体的第1气源与腔室；第2流路，连接第2气体的第2气源与第1流路；控制阀...

本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板...

本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。本发明根据使用完毕的磷酸水溶液中的硅浓度来使用再生单元。基板液处理装置(1)具有控制部(7)和通过处理液对基板(8)进行处理的液处理部(39)。所述控制部(7)根据在所述液处理部...

公开了一种用于蚀刻在基片上的抗反射涂层(604)的方法。基片(600)包括有机层(606)、设置在有机层(606)上方的抗反射涂层(604)以及设置在抗反射涂层(604)上方的光致抗蚀剂层(602)。该方法包括：将光致抗蚀剂层(602)...

基板可以设置在整片曝光处理系统中的基板支承件上。可以选择整片曝光剂量分布。基板可以曝光于来自源的整片辐照，并且当实现所选的曝光剂量分布时，可以终止整片辐照。将基板曝光于整片辐照可以包括控制基板旋转速率、源扫描速率、基板扫描速率、源功率设...

本发明能够自动对检査基板的缺陷时所使用的参数值进行调整，在检査基板的缺陷时实现减少疑似缺陷的检测。对于所选择的虚拟检査用的基板的各像素值，使用供调整后使用的基准像素数据，在各像素值偏离与其位置对应的允许范围时，将偏离量和调整前的灵敏度参...

本发明提供即使在基板载置台的主体产生了变形时也能将升降销的高度位置控制在所期望的位置的基板升降机构、基板载置台和基板处理装置。在等离子体处理装置的处理容器内，设置在基板载置台(3)的载置台主体(5)的多个使基板升降的基板升降机构(8)包...

本发明提供在混合多个气体而向基板供给来进行处理时、能够可靠性较高地进行该混合的气体处理装置、气体处理方法和存储介质。以如下方式构成装置：具备：第1气体流路，向其上游侧供给第1气体，其下游侧分支而构成多个第1分支路径；第2气体流路，向其上...