接合装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制微粒的产生的接合装置。实施方式的一技术方案的接合装置具备上侧保持部、下侧保持部、推压部、以及吸附保持部。上侧保持部从作为非接合面的上表面侧保持第1基板。下侧保持部设置于上侧保持部的下方，使第2基板与第1基板相对而从下表面侧保持第2基板。推压部从上方按压第1基板的中心部而使第1基板的中心部与第2基板接触。吸附保持部设置成相对于上侧保持部升降自如，利用吸附来保持由上侧保持部保持之前的第1基板的上表面的一部分。

Joint device

The invention provides a joint device that can inhibit the production of particles. The joint device of a technical scheme in the implementation mode has the upper side holding section, the lower side holding section, the push and pressure section, and the adsorption and retention section. The upper side holding section keeps the first substrate from the upper surface side of the non joint surface. The lower side holding section is set below the upper side holding section so that the second substrate is opposed to the first substrate and the second substrate is maintained from the lower surface side. The push pressure section presses the central part of the first substrate from above and contacts the central part of the first substrate with the second substrate. The adsorption and retention part is set to be lifted freely relative to the upper side holding part, and a part of the upper surface of the first substrate is maintained by the adsorption part by the adsorption.

【技术实现步骤摘要】
接合装置
本专利技术涉及接合装置。
技术介绍
以往，为了满足半导体器件的高集成化的要求，提出了使用将半导体器件3维地层叠的3维集成技术。作为使用了该3维集成技术的系统，公知有将例如半导体晶圆(以下称为“晶圆”)等基板彼此接合的接合系统(参照例如专利文献1)。在该接合系统中，在对第1基板、第2基板的要接合的表面进行了改性之后使该表面亲水化，之后，在接合装置中，利用范德华力和氢键(分子间力)接合第1基板、第2基板。不过，在上述的接合装置中，例如上侧保持部从第1基板的作为非接合面的上表面侧在整个面上吸附保持该第1基板。因此，对于向接合装置输送第1基板的输送装置，保持第1基板的作为接合面的下表面侧的周边而向上侧保持部交接。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-18919号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述的接合装置中，是以第1基板的接合面被输送装置保持着的状态进行交接的结构，因此，例如微粒有可能附着于例如第1基板。因而，上述的接合装置在抑制微粒这一点存在进一步改善的余地。实施方式的一技术方案的目的在于提供一种能够抑制微粒的产生的接合装置。用于解决问题的方案实施方式的一技术方案的接合装置具备上侧保持部、下侧保持部、推压部、以及吸附保持部。上侧保持部从作为非接合面的上表面侧保持第1基板。下侧保持部设置于所述上侧保持部的下方，使第2基板与所述第1基板相对而从下表面侧保持第2基板。推压部从上方按压所述第1基板的中心部而使所述第1基板的中心部与所述第2基板接触。吸附保持部被设置成相对于所述上侧保持部升降自如，利用吸附来保持由所述上侧保持部保持之前的所述第1基板中的上表面的一部分。专利技术的效果根据实施方式的一技术方案，在接合装置中，能够抑制微粒的产生。附图说明图1是表示实施方式的接合系统的结构的示意俯视图。图2是表示实施方式的接合系统的结构的示意侧视图。图3是第1基板和第2基板的示意侧视图。图4是表示位置调节装置的结构的示意侧视图。图5A是表示翻转用传送部的结构的示意俯视图。图5B是表示翻转用传送部的结构的示意侧视图。图6A是表示输送装置的结构的示意俯视图。图6B是表示输送装置的结构的示意侧视图。图7是表示基板调温装置的结构的示意侧视图。图8是表示接合装置的结构的示意俯视图。图9是表示接合装置的结构的示意侧视图。图10是表示接合装置的内部结构的示意侧视图。图11是表示上卡盘和下卡盘的结构的示意侧视图。图12是从下方观察上卡盘的情况的示意仰视图。图13是从上方观察下卡盘的情况的示意俯视图。图14是放大地表示吸附保持部和推压构件附近的放大示意侧视图。图15A接合装置中的上晶圆的交接动作的说明图。图15B是接合装置中的上晶圆的交接动作的说明图。图15C是接合装置中的上晶圆的交接动作的说明图。图15D是接合装置中的上晶圆的交接动作的说明图。图15E是接合装置中的上晶圆的交接动作的说明图。图15F是接合装置中的上晶圆的交接动作的说明图。图16是表示上晶圆向吸附构件交接时的情形的示意放大图。图17A是接合装置的动作说明图。图17B是接合装置的动作说明图。图17C是接合装置的动作说明图。图17D是接合装置的动作说明图。图17E是接合装置的动作说明图。图17F是接合装置的动作说明图。图17G是接合装置的动作说明图。图17H是接合装置的动作说明图。图18是表示接合系统所执行的处理的处理顺序的一部分的流程图。附图标记说明1、接合系统；2、输入输出站；3、处理站；31、加载互锁室；32、输送室；33、表面改性装置；34、表面亲水化装置；41、接合装置；42、基板调温装置；61、输送装置；62a、第1保持部；62b、第2保持部；100、控制装置；230、上卡盘；231、下卡盘；251、推压销；300、吸附保持部。具体实施方式以下，参照附图详细地说明本申请所公开的接合装置的实施方式。此外，本专利技术并不被以下所示的实施方式限定。＜1.接合系统的结构>首先，参照图1和图2对实施方式的接合系统的结构进行说明。图1是表示实施方式的接合系统的结构的示意俯视图，图2是表示第1实施方式的接合系统的结构的示意侧视图。另外，图3是第1基板和第2基板的示意侧视图。此外，以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，将Z轴正方向设为铅垂向上方向。另外，在包括图1～3在内的各附图中，存在仅示出需要说明的构成要素、省略一般的构成要素的记载的情况。图1所示的本实施方式的接合系统1通过将第1基板W1和第2基板W2接合而形成重叠基板T(参照图3)。第1基板W1是例如在硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板形成有多个电子电路的基板。另外，第2基板W2是例如没有形成电子电路的裸晶圆。第1基板W1和第2基板W2具有大致相同直径。此外，也可以在第2基板W2形成电子电路。另外，作为上述的化合物半导体晶圆，能够使用含有例如砷化镓、碳化硅、氮化镓以及磷化铟等的晶圆，但并不限定于此。以下，存在将第1基板W1记载为“上晶圆W1”、将第2基板W2记载为“下晶圆W2”、将重叠基板T记载为“重叠晶圆T”的情况。另外，以下，如图3所示，将上晶圆W1的板面中的、要与下晶圆W2接合的一侧的板面记载为“接合面W1j”、将与接合面W1j相反的一侧的板面记载为“非接合面W1n”。另外，将下晶圆W2的板面中的、要与上晶圆W1接合的侧的板面记载为“接合面W2j”，将与接合面W2j相反的一侧的板面记载为“非接合面W2n”。如图1所示，接合系统1具备输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3沿着X轴正方向以输入输出站2以及处理站3这样的顺序排列配置。另外，输入输出站2和处理站3一体地连接。输入输出站2具备载置台10和输送区域20。载置台10具备多个载置板11。在各载置板11分别载置以水平状态收容多张(例如25张)基板的盒C1、C2、C3。盒C1是收容上晶圆W1的盒，盒C2是收容下晶圆W2的盒，盒C3是收容重叠晶圆T的盒。此外，在盒C1、C2中，上晶圆W1和下晶圆W2分别以将接合面W1j、W2j作为上表面的状态被朝向一致地收容。输送区域20与载置台10相邻地配置于载置台10的X轴正方向侧。在该输送区域20设置有沿着Y轴方向延伸的输送路径21和能够沿着该输送路径21移动的输送装置22。输送装置22也能够沿着X轴方向移动且能够绕Z轴回转，在载置到载置板11的盒C1～C3与后述的处理站3的第3处理块G3之间进行上晶圆W1、下晶圆W2以及重叠晶圆T的输送。此外，载置于载置板11的盒C1～C3的个数并不限定于图示的个数。另外，除了盒C1、C2、C3以外，也可以在载置板11载置用于对产生了不良情况的基板进行回收的盒等。在处理站3设置有具备各种装置的多个例如3个处理块G1、G2、G3。在例如处理站3的背面侧(图1的Y轴正方向侧)设置有第1处理块G1，在处理站3的正面侧(图1的Y轴负方向侧)设置有第2处理块G2。另外，在处理站3的输入输出站2侧(图1的X轴负方向侧)设置有第3处理块G3。另外，在由第1处理块G1～第3处理块G3包围的区域形成有输送区域60。在输送区域60配置有输送装置61。输送装置61具有沿着例如铅垂方向、水平方向以及绕铅垂轴线移动自如的输送臂。此外，使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接合装置，其特征在于，该接合装置具备：上侧保持部，其从作为非接合面的上表面侧保持第1基板；下侧保持部，其设置于所述上侧保持部的下方，使第2基板与所述第1基板相对而从下表面侧保持该第2基板；推压部，其从上方按压所述第1基板的中心部而使所述第1基板的中心部与所述第2基板接触；以及吸附保持部，其设置成相对于所述上侧保持部升降自如，利用吸附来保持由所述上侧保持部保持之前的所述第1基板的上表面的一部分。

【技术特征摘要】
2016.07.12 JP 2016-1376361.一种接合装置，其特征在于，该接合装置具备：上侧保持部，其从作为非接合面的上表面侧保持第1基板；下侧保持部，其设置于所述上侧保持部的下方，使第2基板与所述第1基板相对而从下表面侧保持该第2基板；推压部，其从上方按压所述第1基板的中心部而使所述第1基板的中心部与所述第2基板接触；以及吸附保持部，其设置成相对于所述上侧保持部升降自如，利用吸附来保持由所述上侧保持部保持之前的所述第1基板的上表面的一部分。2.根据权利要求1所述的接合装置，其特征在于，所述吸附保持部具备供所述推压部贯穿的贯穿孔。3.根据权利要求1或2所述的接合装置，其特征在于，所述吸附保持部具备：基部，其相对于所述上侧保持部升降自如；吸气流路，其形成于所述基部，供吸附所述第1基板的吸气流通；以及吸附构件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻益寿史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP