通过旋转、平移及可变处理条件的曝光剂量均匀化制造技术

基板可以设置在整片曝光处理系统中的基板支承件上。可以选择整片曝光剂量分布。基板可以曝光于来自源的整片辐照，并且当实现所选的曝光剂量分布时，可以终止整片辐照。将基板曝光于整片辐照可以包括控制基板旋转速率、源扫描速率、基板扫描速率、源功率设置、从源到基板的距离、源孔设置、基板上的整片辐照的入射角和源焦点位置中的至少一个以实现所选的整片曝光剂量分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过旋转、平移及可变处理条件的曝光剂量均匀化相关申请的交叉引用本公开内容要求于2015年3月31日提交的题为“HighPowerUVFloodExposureDoseHomogenizationbyCombinationofRotation,TranslationandVariableProcessingConditions”的美国临时申请第62/141,003号和2015年7月16日提交的题为“Exposuredosehomogenizationthroughrotation,translation,andvariableprocessingconditions”的美国非临时专利申请第14/801,703号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术介绍
基板处理通常涉及将基板晶片曝光于辐射。例如，基板可以曝光于紫外(UV)光，包括高功率UV辐射。基板可以例如在光刻工艺和/或其他制造工艺期间曝光于高功率光(例如UV光)。将整个基板曝光于强度基本均匀的光源可以确保整个基板在所有位置处被类似地处理，例如以确保在整个基板上的光刻操作的一致性。然而，宽带和/或窄带高功率UV整片(flood)源选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理基板的方法，包括：将所述基板设置在整片曝光处理系统中的基板支承件上；选择整片曝光剂量分布；以及将所述基板曝光于来自源的整片辐照，并且当实现所选的整片曝光剂量分布时终止所述整片辐照，其中，将所述基板曝光于整片辐照包括控制基板旋转速率、源扫描速率、基板扫描速率、源功率设置、从所述源到所述基板的距离、源孔设置、所述基板上的整片辐照的入射角和源焦点位置中的至少一个以实现所选的整片曝光剂量分布。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.31 US 62/141,033;2015.07.16 US 14/801,7031.一种处理基板的方法，包括：将所述基板设置在整片曝光处理系统中的基板支承件上；选择整片曝光剂量分布；以及将所述基板曝光于来自源的整片辐照，并且当实现所选的整片曝光剂量分布时终止所述整片辐照，其中，将所述基板曝光于整片辐照包括控制基板旋转速率、源扫描速率、基板扫描速率、源功率设置、从所述源到所述基板的距离、源孔设置、所述基板上的整片辐照的入射角和源焦点位置中的至少一个以实现所选的整片曝光剂量分布。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述基板曝光于整片辐照包括控制选自由所述基板旋转速率、所述源扫描速率、所述基板扫描速率、所述源功率设置、从所述源到所述基板的距离、所述源孔设置、所述基板上的整片辐照的入射角和所述源焦点位置组成的组中的至少两个参数。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述整片曝光分布包括基本均匀的剂量分布。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述整片曝光分布具有小于约2％的不均匀度。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述整片曝光分布包括：不均匀剂量分布，其被选择成补偿前面的基板处理步骤或后面的基板处理步骤或两者中的不均匀度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源包括单个光源。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源包括多个光源。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述源包括紫外(UV)源。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述UV源包括微波UV灯、UV发光二极管(LED)、UVLED阵列或UV激光器。10.根据权利要求1所述的方法，其中，控制选自由所述基板旋转速率、所述源扫描速率、所述基板扫描速率、所述源功率设置、从所述源到所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克·L·沙滕伯格，鲁道夫·H·亨德尔，迈克尔·卡尔卡西，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP