本发明提供一种用于降低有机膜的蚀刻所使用的掩模的除去对有机膜的侧壁形状造成的影响的技术。一个实施方式的处理被处理体的方法，其中，被处理体包括被蚀刻层、设置在被蚀刻层上的有机膜和设置在有机膜上的掩模，有机膜由第1层和第2层构成，掩模设置在...

本发明提供了一种用于分配流体的装置。本文中的技术方案包括使用长形囊状部的基于囊状部的分配系统，该长形囊状部扩张以及收缩以辅助分配动作。该分配系统对通常与微型品制造的流体过滤相伴随的过滤器滞后进行补偿。该分配系统还提供了高纯度且高精度的分...

本发明提供了一种高纯度分配单元。本文的技术包括一种基于囊状部的分配系统，该分配系统使用了构造成选择性地扩张及收缩以帮助进行分配动作的长形囊状部。该分配系统对通常伴随着用于微型品制造的流体过滤而出现的过滤器滞后进行补偿。该分配系统还提供了...

本发明提供一种在通过等离子体CVD成膜时，调整基板外周部的膜厚能够获得所期望的膜厚面内均匀性的技术。成膜装置(100)包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(1)；在处理容器(1)内载置晶片的基座(2)；与载置在基座(2)的晶片W相对配置，...

在包含由金属磁性材料形成的层的多层膜的蚀刻中抑制多层膜的剥离和/或开裂。在一个实施方式中，在将等离子体处理装置的处理容器的内部的压力设定为比较高的压力即第1压力的状态下，对包含由金属磁性材料形成的层的多层膜进行蚀刻。接着，在将处理容器内...

描述了用于SOC平坦化的系统和方法。在实施例中，用于SOC平坦化的设备包括被配置成支承微电子衬底的衬底保持器。另外，该设备可以包括被配置成朝向微电子衬底的表面发射紫外(UV)光的光源。在实施例中，该设备还可以包括布置在光源和微电子衬底之...

本发明提供一种检查气体供给系统的阀泄漏的方法。本发明的阀设置于与多个气体源连接的多个配管上。在本发明的一实施方式的方法中，设置于与气体源连接的第1配管上的第1阀被关闭，在该第1阀的下游设置于第1配管上的第2阀被打开。然后，在第1配管的下...

提供一种能够去除存在于基板的图案内的纯水来快速置换为溶剂的液处理方法、基板处理装置以及存储介质等。该液处理方法在对被水平保持并在表面形成有图案的基板供给纯水之后，对基板进行干燥，该液处理方法包括：纯水供给工序，向基板的表面供给纯水；加热...

本发明提供一种抑制接合后的基板的应变的接合装置和接合系统。本实施方式所涉及的接合装置具备第一保持部、第二保持部以及撞击器。第一保持部从上方吸附保持第一基板。第二保持部配置在第一保持部的下方，从下方吸附保持第二基板。撞击器从上方按压第一基...

提供了一种利用刻面化和钝化层在衬底上创建结构轮廓的方法。执行第一等离子体蚀刻工艺，该第一等离子体蚀刻工艺产生刻面化侧壁和期望拐点；使用氧等离子体、氮等离子体或组合的氧等离子体和氮等离子体的来执行第二等离子体蚀刻工艺，从而产生钝化层；以及...

本发明提供一种能够抑制在将基板载置到载置台时基板偏移的基板载置方法和基板载置装置。在载置台(12)向由各升降销(13)支承的晶片(W)上升的基板处理装置(10)中，在晶片(W)的边缘部抵接到载置台(12)的载置面后，停止载置台(12)的...

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有...

本发明的目的在于提供一种能够防止副生成物的附着本身的盖体和使用了该盖体的基板处理装置。该盖体具有：金属板；石英板，其设置于该金属板上；螺纹孔，其贯穿所述石英板，该螺纹孔设置到所述金属板的预定深度；螺钉，其插入该螺纹孔，该螺钉用于将所述石...

本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时，提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括：分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61)；与原料气体流路和反应气体流路分别...

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质，在对半导体晶圆例如交替地供给原料气体和反应气体并将反应生成物依次层叠来进行成膜处理时提高生产率的技术。在处理容器(5)内的旋转台(1)上沿周向等间隔地配置能够进行自转的载置台(2)。利用沿周向等...

基板处理装置以及基板处理方法，在将以棚架状地保持有多个基板的基板保持件搬入立式的处理容器内来进行等离子体处理时，在各基板的面内进行均匀性高的处理。基板处理装置具有：凸部(41)，其以处理容器(11)的侧周壁向外侧鼓出的方式形成与用于容纳...

本发明提供一种液处理装置和液处理方法。能够减少对向基板供给的液体的流量进行调整时的流量调整机构的动作次数。液处理装置具备：基板处理部，其对基板供给流体；供给线，其向基板处理部供给流体；流量计，其测量在供给线中流动的流体的流量；流量调整机...

技术包括提供选择性的或差异的平坦化，使得衬底的不同区域可以具有不同的材料去除量。通常，本文中的方法使用光反应生成剂化合物来生成溶解度变化剂。将特定的光图案投射到含有这种光反应生成剂化合物的衬底上，以在跨越衬底的特定位置处产生不同浓度的溶...

本发明提供一种基板处理装置和喷嘴，能够在停止了处理液的喷出之后确认喷嘴内的液面位置。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和喷嘴。基板保持部保持基板。喷嘴向基板供给处理液。另外，喷嘴具备配管部和观察窗。配管部具有水平部分和从水平部分下垂的...

本发明提供具有设置了多个排出功能液的喷头的滑架的功能液排出装置，其能够提高功能液的排出位置的精度。功能液排出装置(1)扫描工件(W)并将功能液排出到该工件(W)上进行描绘，其包括：设置有多个对工件(W)排出功能液的喷头(24)并具有使该...