本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统和温度控制方法。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域...

本发明提供一种在处理容器内对被处理体进行真空处理的真空处理装置和真空处理方法。对处理容器(10)连接第一排气路径(41)和第二排气路径(42)，并且在第一排气路径(41)设置作为自动调整阀的第一阀(51)，在第二排气路径(42)设置能够...

本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构...

等离子体处理装置包括：处理容器；载波组生成部，其生成由分别具有彼此不同的频率的多个载波构成的载波组，其中上述频率属于以规定的中心频率为中心的规定的频带；和使用载波组在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部。

提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金...

本发明提供在使进行抗蚀剂涂覆的基板处理装置与进行显影处理的基板处理装置为独立的装置时，能够稳定地进行抗蚀剂图案的形成处理的技术。将在第一基板处理装置1涂覆抗蚀剂之后被加热处理过的晶片W在第二基板处理装置2中在曝光前也进行加热处理。因此，...

具有对基板实施规定处理的多个处理装置的基板处理系统的基板的检查方法，拍摄用处理装置处理前的基板的表面来取得第一基板图像，从该第一基板图像抽取规定的特征量，从存储有与各自不同的范围的特征量对应地设定的多个检查方案的存储部，选择与从第一基板...

本发明提供一种基板处理装置、基板处理装置的清洗方法和存储介质。其中，对液体承接杯的杯体的突出部均匀地进行清洗。使第1杯体(51)和第2杯体(52)中任一者升降而使两者设为接近的状态。此时，在第1突出部(5102)的下表面形成的间隙形成部...

本发明在具有能够相对于基板的载置台突出和没入的、用于进行基板的交接的多个升降销的基板处理装置中，快速进行升降销的高度位置的检测。准备在底部与基板相同大小地形成的容器(71)内设置有点灯电路的器具(7)。容器的底部由电路板(72)构成，为...

提供一种半导体装置的制造方法和半导体制造装置。在向表面形成有凹部的被处理体供给含有硅的成膜气体来用硅填充凹部内以形成硅层时，能够防止硅层中含有空隙或形成接缝。向被处理体(晶圆W)供给成膜气体，来在被处理体的表面的凹部(42)内形成硅膜(...

本发明提供一种对矩形的被处理基板的外周侧的区域在周向上进行更加均匀的等离子体处理的技术。本发明的等离子体处理装置(1)利用形成于阴极电极(13)与矩形的阳极电极部(3)之间的处理气体的电容耦合等离子体(P)对矩形的被处理基板(G)实施等...

本发明提供一种能够谋求所期望的轻量化的加强构造体、具有那样的加强构造体的真空腔室和等离子体处理装置。一种加强构造体(4)，其为了加强用于对基板实施预定的处理的真空腔室的盖体而设置于盖体的上表面，通过组合多个梁构件而成，其中，加强构造体(...

本发明提供一种在对多种气体进行混合时使气体均匀地混合的气体混合装置和基板处理装置。在上表面被封闭的圆筒部的底面中央部设置有气体流出路，沿着气体流出路的开口缘以隔着间隔的方式配置相对于圆筒部的中心呈旋转对称的多个气体流导向壁。另外，使气体...

本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处...

提供一种即使是通过低温下的CVD形成的氮化硅膜也能够使其改质成为所期望的特性的氮化硅膜的处理方法以及氮化硅膜的形成方法。一种在基板上通过等离子体CVD形成的氮化硅膜的处理方法，对氮化硅膜照射微波氢等离子体，利用微波等离子体中的原子氢将氮...

本发明提供一种半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质。提供一种当在形成于基板的凹部形成由硅构成的导电路时形成导电性优异的硅膜的技术。在形成于表面的凹部的下层形成单晶硅层，通过各向异性蚀刻使单晶硅层相对于晶圆露出，该晶圆在凹部的底面...

本发明提供一种基板输送装置和基板输送方法。抑制从基板的周缘部产生灰尘，并且防止对处理后的基板带来处理前的基板的不良影响。实施方式所涉及的基板输送装置具备第一支承部和第二支承部以及升降机构。第一支承部和第二支承部从基板的下方支承基板。升降...

本发明提供一种液处理装置、液处理方法以及存储介质。在喷嘴载置区域与多个基板载置区域上的各处理位置之间进行喷嘴的输送的液处理装置抑制对与喷嘴连接的配管的损伤并且抑制生产率的下降。将装置构成为具备设置在基板载置区域的列的后方，用于载置喷嘴的...

本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。不改变磷酸水溶液的浓度地将磷酸水溶液的沸腾状态保持固定，实现蚀刻均匀性。基板液处理装置(1)具有液处理部(39)、处理液循环线(42)以及调整设置于液处理部(39)的处理槽(34...

本发明提供一种抑制处理液中混入异物的技术。在供给抗蚀剂液的喷嘴(5)、连接抗蚀剂液供给源(4)和喷嘴(5)的处理液供给线路(2)中，从抗蚀剂液供给源侧设置缓冲罐(41)、第一泵(31)、第一三通阀(36)、过滤部(32)、第二三通阀(3...