基板处理系统和温度控制方法技术方案

本发明专利技术提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统和温度控制方法。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。

【技术实现步骤摘要】
基板处理系统和温度控制方法
本专利技术的各方面和实施方式涉及一种基板处理系统和温度控制方法。
技术介绍
在半导体的制造工艺中，作为被处理基板的半导体晶圆的温度是影响半导体的特性的重要的要素之一。因此，在制造工艺中，要求高精度地控制半导体晶圆的温度。为了实现该要求，例如考虑将用于载置半导体晶圆的载置台分割为多个区域，在分割所得到的各个区域中设置能够独立控制的加热器。但是，即使在载置台上的分割所得到的各个区域中设置能够独立控制的加热器，也无法获知各个区域的温度是否已被控制为所期望的温度。因此，考虑在各个区域中除了设置加热器以外还设置温度传感器。由此，能够高精度地控制载置台上的各个区域的温度。专利文献1：日本特开2006-283173号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另外，对于半导体晶圆的温度控制的精度的要求随着工艺的细微化而日益增高。因此，需要对半导体晶圆的温度也按更细小的区域来进行控制，从而载置台上的区域的分割数增加。当载置台上的区域的分割数增加时，设置在载置台的内部的加热器和温度传感器的个数增加，从而难以实现载置台的小型化。另外，当设置在载置台的内部的加热器和温度传感器的个数增加时，载置台的构造复杂化，设计的自由度也下降。用于解决问题的方案本专利技术的一个方面中的基板处理系统具备基板处理装置以及对基板处理装置进行控制的控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示被嵌入到载置台的内部的加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定被嵌入到载置台的内部的加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，对向加热器供给的电力进行控制，以使得所估计出的温度变为目标温度。专利技术的效果根据本专利技术的各种方面和实施方式，能够实现载置台的小型化和构造的简化。附图说明图1是表示基板处理系统的一例的系统结构图。图2是表示实施例1中的基板处理装置的结构的一例的剖视图。图3是表示静电卡盘的上表面的一例的图。图4是表示控制装置的结构的一例的框图。图5是表示向各加热器供给的交流电压和交流电流的波形的一例的图。图6是说明测定各加热器的电阻值的定时的一例的图。图7是表示转换表的一例的图。图8是表示实施例1中的控制装置的动作的一例的流程图。图9是表示实施例2中的基板处理装置的结构的一例的剖视图。图10是表示实施例2中的控制装置的动作的一例的流程图。图11是用于说明利用温度传感器进行的校正的效果的图。图12是表示制作转换表时的基板处理装置的结构的一例的剖视图。图13是表示实施例3中的控制装置的动作的一例的流程图。图14是表示实现控制装置的功能的计算机的一例的图。附图标记说明W：半导体晶圆；10：基板处理系统；100：基板处理装置；1：腔室；2a：基材；5：聚流环；6：静电卡盘；6a：电极；6b：绝缘体；6c：加热器；7：温度传感器；16：喷头；200：控制装置；20：电力供给部；21：SW；22：电流计；23：电压计；24：测定部；25：控制部；26：保持部；260：转换表；27：电源；50：校准单元；51：IR摄像机；52：罩构件；60：分割区域。具体实施方式在一个实施方式中，所公开的基板处理系统具备基板处理装置以及对基板处理装置进行控制的控制装置。基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有：保持部，其按每个分割区域保持表示被嵌入到载置台的内部的加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个分割区域测定被嵌入到载置台的内部的加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个分割区域，参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度，对向加热器供给的电力进行控制，以使得所估计出的温度变为目标温度。另外，在所公开的基板处理系统的一个实施方式中，也可以是，对各个加热器供给交流电压和交流电流，测定部基于向各个加热器供给的交流电压的瞬时值变为0V的相邻的零交叉点的中间的定时处的交流电压和交流电流的瞬时值，来测定各个加热器的电阻值。另外，在所公开的基板处理系统的一个实施方式中，也可以是，在载置台的内部的与至少一个分割区域对应的位置设置有温度传感器，也可以是，在由温度传感器测定出的分割区域的温度与基于设置于该分割区域的加热器的电阻值估计出的温度之间产生了规定值以上的差的情况下，控制部基于该差来校正针对所有分割区域估计出的温度。另外，在一个实施方式中，所公开的温度控制方法是针对基板处理装置的温度控制方法，该基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到载置台的内部的各个分割区域，该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。在该温度控制方法中，执行以下步骤：测定步骤，针对每个分割区域测定被嵌入到载置台的内部的加热器的电阻值；估计步骤，针对每个分割区域，参照表示被嵌入到载置台的内部的加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表，来估计与所测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度；以及控制步骤，对向加热器供给的电力进行控制，以使得所估计出的温度变为目标温度。另外，在所公开的温度控制方法的一个实施方式中，也可以是，对各个加热器供给交流电压和交流电流，在测定步骤中，基于向各个加热器供给的交流电压的瞬时值变为0V的相邻的零交叉点的中间的定时处的交流电压和交流电流的瞬时值，来测定各个加热器的电阻值。另外，在所公开的温度控制方法的一个实施方式中，也可以是，在载置台的内部的与至少一个分割区域对应的位置设置有温度传感器，也可以是，在控制步骤中，在由温度传感器测定出的分割区域的温度与基于设置于该分割区域的加热器的电阻值估计出的温度之间产生了规定值以上的差的情况下，基于该差来校正针对所有分割区域估计出的温度。另外，在所公开的温度控制方法的一个实施方式中，也可以是，控制装置还执行制作上述表的制作步骤。也可以是，制作步骤中包括以下步骤：按每个设定温度，基于由温度传感器测定出的温度，来对向设置有该温度传感器的分割区域中设置的加热器供给的电力进行控制，以使得该分割区域的温度变为设定温度；按每个设定温度，使用摄像机测定从各个分割区域放射出的规定波长的光的放射量；按每个设定温度，对向设置于各个分割区域的加热器供给的电力进行控制，以使得从没有设置温度传感器的其它的分割区域放射的规定波长的光的放射量与从设置有温度传感器的分割区域放射的规定波长的光的放射量之差为规定值以内；按每个设定温度，测定设置于各个分割区域的加热器的电阻值；以及以将设定温度与设置于各个分割区域的加热器的电阻值相关联的方式制作表。以下，基于附图来详细地说明所公开的基板处理系统及温度控制方法的实施例。此外，所公开的专利技术并不限定于以下的实施例。另外，能够将各实施例在处理内容不矛盾的范围内适当地进行组合。【实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理系统，具备基板处理装置以及对所述基板处理装置进行控制的控制装置，该基板处理系统的特征在于，所述基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在所述腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到所述载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将所述载置台的上表面分割为多个区域而得到的，所述控制装置具有：保持部，其按每个所述分割区域保持表示被嵌入到所述载置台的内部的加热器的电阻值与所述分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个所述分割区域测定被嵌入到所述载置台的内部的加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个所述分割区域，参照所述表来估计与由所述测定部测定出的加热器的电阻值对应的所述分割区域的温度，对向所述加热器供给的电力进行控制，以使得所估计出的温度变为目标温度。

【技术特征摘要】
2016.06.24 JP 2016-1257911.一种基板处理系统，具备基板处理装置以及对所述基板处理装置进行控制的控制装置，该基板处理系统的特征在于，所述基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在所述腔室内，用于载置被处理基板；以及加热器，其被嵌入到所述载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将所述载置台的上表面分割为多个区域而得到的，所述控制装置具有：保持部，其按每个所述分割区域保持表示被嵌入到所述载置台的内部的加热器的电阻值与所述分割区域的温度之间的关系的表；测定部，其针对每个所述分割区域测定被嵌入到所述载置台的内部的加热器的电阻值；以及控制部，其针对每个所述分割区域，参照所述表来估计与由所述测定部测定出的加热器的电阻值对应的所述分割区域的温度，对向所述加热器供给的电力进行控制，以使得所估计出的温度变为目标温度。2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，对各个所述加热器供给交流电压和交流电流，所述测定部基于向各个所述加热器供给的交流电压的瞬时值变为0V的相邻的零交叉点的中间的定时处的交流电压和交流电流的瞬时值，来测定各个所述加热器的电阻值。3.根据权利要求1或2所述的基板处理系统，其特征在于，在所述载置台的内部的与至少一个所述分割区域对应的位置设置有温度传感器，在由所述温度传感器测定出的所述分割区域的温度与基于设置于该分割区域的加热器的电阻值估计出的温度之间产生了规定值以上的差的情况下，所述控制部基于所述差来校正针对所有所述分割区域估计出的温度。4.一种温度控制方法，是针对基板处理装置的温度控制方法，所述基板处理装置具有：腔室；载置台，其设置在所述腔室内，用于载置被处理基板；加热器，其被嵌入到所述载置台的内部的与各个分割区域对应的位置，该各个分割区域是将所述载置台的上表面分割为多个区域而得到的，所述温度控制方法用于控制所述载置台的表面的温度，该温度控制方法的特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田建一郎，照内怜，中村健一郎，山本能吏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP