东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 等离子体处理方法
    本发明提供一种等离子体处理方法,执行多次各自包括第一阶段和第二阶段的循环,第一阶段生成含有第一气体的第一处理气体的等离子体,第二阶段生成含有第一气体和第二气体的第二处理气体的等离子体,依照方案自动决定进行第二阶段的期间的开始时刻与来自气...
  • 对磁性层进行蚀刻的方法
    一实施方式的方法包括将具有磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序;以及对磁性层蚀刻的工序,该工序在处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。一实施方式中,处理容器内的空间压力设定为1...
  • 湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质
    湿蚀刻方法具备以下步骤:使基板(W)旋转;向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液;以及在向基板供给药液的期间中,向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第...
  • 压力测定装置、排气系统以及基板处理装置
    本发明提供一种压力测定装置、排气系统以及基板处理装置。压力测定装置具有:第一压力计,其与能够对处理对象进行处理的处理室连接并能够测定正在对所述处理对象进行处理时的所述处理室内的压力;第二压力计,其与所述处理室连接;以及切换阀,在所述处理...
  • 捕集装置和使用该捕集装置的排气系统、基板处理装置
    本发明的目的在于提供一种能够无需相对于排气系统进行装卸且延长用于恰当地保持装置运转环境的清洁周期的捕集装置和使用该捕集装置的排气系统、基板处理装置。一种捕集装置(50),其具有捕集部(10),该捕集部(10)设置于配管(60)内的流路(...
  • 辅助曝光装置
    本发明提供一种能够提高曝光解像度的辅助曝光装置。本实施方式的辅助曝光装置配置在对被处理基板进行曝光处理的曝光装置的前级侧或者后级侧,对被处理基板进行局部曝光处理,包括搬送部和光源单元。搬送部将被处理基板在扫描方向上搬送。光源单元对在扫描...
  • 基板处理系统和基板搬送方法
    本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站(3)和交接站(5)的涂敷显影处理系统中,交接站(5)具有:在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元(141)、至少对清洗后的晶片的背面,在搬入到曝光装置之前检查能否进...
  • 用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法
    本申请涉及用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法。用于加工基底的装置和方法。该方法包括将基底设置在基底加工系统的加工室内。所述基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的层。该方法还包括在基底加工系统的蒸气处理区中接收过氧化氢蒸气,通过在蒸...
  • 液滴检查装置和液滴检查方法
    本发明提供一种适当检查被排出到被排出体的液滴的液滴检查装置。液滴检查装置(1)包括:将紫外线照射到存在液滴(21)的检查片(20)上的照射区域(22)的照射部(10);对液滴(21)(或检查片(20))发光的照射区域(22)进行拍摄的拍...
  • 液处理方法、基板处理装置以及存储介质
    本发明提供一种液处理方法、基板处理装置以及存储介质。提供一种通过可靠地实施处理容器内的湿度管理能够抑制基板的表面的图案倒塌并实施干燥的液处理方法等。在对被配置在处理容器(20)内的基板(W)进行液处理之后,在使该基板(W)干燥时向基板(...
  • 基板处理装置和基板处理方法
    本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。防止向基板处理容器内输入的晶圆上的液体干燥。基板处理装置(3)包括基板处理容器主体(31A)以及保持构件(42),所述保持构件(42)从该基板处理容器主体(31A)外方将晶圆(W)向基板处理容器...
  • 基板处理装置
    提供一种基板处理装置。本发明的目的是抑制自由基的失活、实现蚀刻的均匀性。本发明提供一种基板处理装置,其通过高频的能量从气体生成等离子体,通过所生成的等离子体中的自由基在处理容器的内部对基板进行蚀刻处理,所述基板处理装置具有:高频电源,其...
  • 金属污染防止方法及金属污染防止装置、以及使用了它们的基板处理方法及基板处理装置
    本申请涉及金属污染防止方法及金属污染防止装置、以及使用了它们的基板处理方法及基板处理装置。一种金属污染防止方法,其为在使用表面被由氧化铬形成的钝化膜覆盖的金属部件之前进行的金属污染防止方法,该方法具备如下工序:对覆盖前述金属部件的表面的...
  • 气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置
    本发明提供气化原料供给装置和采用该供给装置的基板处理装置。该气化原料供给装置包括:1个气化原料生成部件,其用于使固体或液体的原料气化而生成气化原料;多个分支配管,其连接于该气化原料生成部件,用于使生成的所述气化原料分支到多个系统;以及多...
  • 多系统混合气体供给设备和采用该设备的基板处理装置
    本发明提供多系统混合气体供给设备和采用该设备的基板处理装置。该多系统混合气体供给设备包括:分流器,其连接于共用的混合气体供给路径,将混合气体分支到多个供给系统,并且能够调整该多个供给系统的流量比率;以及喷射器,其针对处理容器内的多个区域...
  • 基板处理装置
    本发明在进行PEALD处理的基板处理装置中,大幅地降低入射到晶片的离子的能量,抑制由离子的注入导致的对沉积膜的损伤,实施表面性状良好的成膜处理。一种基板处理装置,其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理,上述基板处理装置包...
  • 石英管保持构造和使用了石英管保持构造的热处理装置
    本发明的目的在于提供一种能够以简单的构造来可靠地固定石英管而没有摇晃、倾斜、脱离、破损等、还可设置许多石英管的石英管保持构造和使用该石英管保持构造的热处理装置。一种石英管保持构造具有:纵长的处理容器(10);石英管(110),其沿着该处...
  • 基板液处理装置
    实施方式的一形态的基板液处理装置具备输送部、处理部、贮存部、以及供液机构。输送部配置有输送基板的输送装置。处理部沿着水平方向与输送部相邻,配置有使用处理液来对基板进行处理的液处理单元。贮存部贮存处理液。供液机构将贮存到贮存部的处理液向液...
  • 使用接枝聚合物材料图案化基底
    与使用常规自对准多重图案化和顺序光蚀刻沉积图案化方法相比的用于在较小尺寸下产生子分辨率沟槽、接触开口、线和其他结构的图案化方法。本文中的技术包括使用已经被改性以提供几乎没有或没有蚀刻抗性(快速蚀刻)的接枝聚合物材料的图案化。接枝聚合物材...
  • 使用嵌段共聚物的定向自组装的自对准图案化
    本文的技术提供了自对准蚀刻方法,所述方法使用现有特征进行图案化或对齐图案,而不损坏现有特征。使用现有基底结构来产生实现嵌段共聚物(BCP)的定向自组装(DSA)的表面,而无需单独的光刻图案化层。本文的方法包括使基底上的至少一种现有材料或...