对磁性层进行蚀刻的方法技术

一实施方式的方法包括将具有磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对磁性层蚀刻的工序，该工序在处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。一实施方式中，处理容器内的空间压力设定为1.333Pa以下的压力，静电夹具温度设定为－15度以下的温度，异丙醇的分压设定为该异丙醇的饱和蒸气压以下的分压。

Method for etching a magnetic layer

One embodiment of the method includes having a magnetic layer is placed on the body in the process of plasma treatment electrostatic clamp is arranged within the container handling device; and the process of magnetic layer etching process, the generation of plasma processing gas including isopropanol and carbon dioxide in the in a processing container. In one embodiment, the processing space inside the pressure vessel is set under 1.333Pa pressure, the electrostatic chuck is set to a temperature of 15 degrees below the temperature, isopropanol partial pressure set for the isopropanol vapor pressure under pressure.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对磁性层进行蚀刻的方法
本专利技术涉及一种对磁性层进行蚀刻的方法。
技术介绍
在电子元件的制造中，为了对被处理体的被蚀刻层进行垂直异向性蚀刻，一般使用等离子体蚀刻。等离子体蚀刻还用于蚀刻由磁随机存取存储器(MagneticRandomAccessMemory：MRAM)所包含的磁性层，即磁性材料所构成的层。磁性材料是难蚀刻的材料，关于其等离子体蚀刻用的处理气体，进行了各种研究。例如，日本特开2005-42143号公报中记载有关于使用含醇的处理气体的磁性层的等离子体蚀刻。具体而言，日本特开2005-42143号公报中记载有使用含有异丙醇的处理气体的磁性层的等离子体蚀刻。在使用含有异丙醇的处理气体的磁性层的等离子体蚀刻中，含有来自异丙醇的含碳沉积物会过多地附着于被处理体表面，而阻碍蚀刻磁性层的垂直异向性。因此，为了去除该沉积物，日本特开2005-42143号公报中记载有在处理气体中添加氧气、H2O的含氧原子的气体的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开2005-42143号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题为了去除附着于被处理体表面的沉积物，而在处理气体中添加氧气，则虽然本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对磁性层进行蚀刻的方法，包括：将具有所述磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对所述磁性层进行蚀刻的工序，该工序中在所述处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.12 JP 2015-0490221.一种对磁性层进行蚀刻的方法，包括：将具有所述磁性层的被处理体载置于在等离子体处理装置的处理容器内设置的静电夹具上的工序；以及对所述磁性层进行蚀刻的工序，该工序中在所述处理容器内生成包括异丙醇及二氧化碳在内的处理气体的等离子体。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在对所述磁性层进行蚀刻的所述工序中，所述处理容器内的空间压力设定为1.333帕斯卡以下的压力，所述静电夹具的温度设定为－15℃以下的温度，所述处理气体中的所述异丙醇的分压设定为在所述静电夹具的温度下的该异丙醇的饱和蒸气压以下的分压。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在对所述磁性层进行蚀刻的所述工序中，所述异丙醇的分压设定为该异丙醇的饱和蒸气压以下且该饱和蒸气压的2％以上的分压。4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，在对所述磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员：田原慈，西村荣一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP