本发明在将包含收容于原料容器内的固体或液体原料气化后的气体的原料气体供给至成膜处理部时，能够以较高的精度对原料容器内的原料的剩余量进行测定。在用于向原料容器供给载气的载气供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。在用于向...

本发明提供一种提高对基板的等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(11)包括：将用于载置基板(G)的载置台(21)收容在内部的腔室(20)；配置在腔室(20)的内部的隔板部(22)；配置在隔板部(22)的上表面的高频天...

本发明提供一种处理装置，抑制多个升降销相对于处理装置的载置台的相对移动所引起的颗粒的产生，且提高被加工物向载置台上的搬送精度。一实施方式的处理装置中，在处理容器内设置有载置台。在载置台形成有多个升降销用的多个贯通孔。多个升降销经由支承体...

本发明提供在对基板上的有机材料膜进行干燥处理时尽量地降低混入到处理容器内的水分的影响的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置（100）包括能够抽成真空的处理容器（1）和用于在处理容器（1）内支承基板（S）的作为基板支承部的基板支承部（3），在...

本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触...

本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体...

本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的异物去除的基板处理装置和基板处理装置的清洗方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、第1杯状件、第2杯状件以及清洗液供给部。保持部用于保持基板。处理液供给部用于向基板供给...

本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两...

本发明的目的在于提供一种提高在对不同种类的蚀刻对象膜进行蚀刻之际的基板的温度控制性和蚀刻的均匀性的蚀刻方法。一种蚀刻方法，其具有如下工序：第1工序，在该第1工序中，在晶圆的温度是－35℃以下的极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电...

本发明根据高频电源的负载侧的阻抗的变动适当且高速地调整高频电力的频率。在一实施方式的方法中，由等离子体处理装置的高频电源开始与第一期间中的功率相比，与该第一期间交替反复的第二期间中的功率设定得小的调制高频电力的输出。接着，取得过去的第一...

本发明提供一种检查装置、减压干燥装置和减压干燥装置的控制方法，能够在早期检测基板中涂敷有有机材料的涂敷区域的干燥状态。一种实施方式的检查装置包括拍摄部和干燥状态检测部。拍摄部对基板中涂敷有有机材料的涂敷区域进行拍摄。干燥状态检测部基于由...

本发明提供一种在图案曝光时能够防止基板被曝光的位置从正常的位置偏移的技术。本发明的基板处理方法对图案曝光前的基板的背面进行研磨来对该背面进行表面粗化处理，上述基板为半导体晶片。并且，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。通过该表面粗化...

本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼...

本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置在真空容器内使旋转台旋转，而使旋转台上的多个基板依次通过处理气体的供给区域，由此在基板上成膜，其包括：凹部，其在所述旋转台的一面侧沿着周向设有多个，形成为分别收纳所述基板；载置部，其用于在所述凹部内支承...

本文中的技术包括提供将光空间上控制地或基于像素地投影到基板上以调整各种基板属性的系统和方法。投影到基板表面的给定的基于像素的图像可以基于基板标识。基板标识可以在空间上表示跨基板的表面的非均匀性。这种非均匀性可以包括能量、热、关键尺寸、光...

本发明提供基板清洗装置以及基板清洗方法。在抑制图案塌陷、基底膜的侵蚀的同时将附着于基板的微粒去除。实施方式的基板清洗装置包括第1液供给部和第2液供给部。第1液供给部用于向基板供给处理液，该处理液含有挥发成分，用于在基板上形成膜。第2液供...

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第...

蚀刻方法包括以下工序：将具有硅和硅锗的被处理基板配置在腔室内；将由H

一种基板液体处理方法，进行以下工序：液体处理工序，利用处理液对基板进行液体处理；冲洗处理工序，利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理；以及疏水处理工序，利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理，接着，进行以下工序：置...