等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种提高对基板的等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(11)包括：将用于载置基板(G)的载置台(21)收容在内部的腔室(20)；配置在腔室(20)的内部的隔板部(22)；配置在隔板部(22)的上表面的高频天线(50)；和配置在隔板部(22)的下表面的气体导入单元，利用由高频天线(50)形成的电场将处理气体等离子体化来对基板(G)进行等离子体处理。气体导入单元具有如下构成：将具有以长条状向与基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(25b)的第1喷淋板(24a～24d)和具有以长条状向与基板载置面大致平行的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(55b)的第2喷淋板(54a～54d)配置成长边方向为辐射状延伸的方向的结构。

Plasma processing device

The present invention provides a plasma processing device that improves the uniformity of plasma treatment of substrates. A plasma processing apparatus (11) comprises: (G) is used for carrying the substrate placing table (21) contained in the inner chamber (20); the configuration in the chamber (20) inside a partition part (22); (22) configuration in a partition part of the upper surface of the high frequency antenna (50); and the configuration in a partition part (22) of the lower surface of the gas into the unit, by using high frequency antenna (50) will deal with the electric field of a gas plasma to the substrate (G) plasma treatment. The gas into the unit has the following structure: with a plurality of gas blowing gas blowing hole and to the substrate surface substantially orthogonal to the direction of the strip (25B) first spray plate (24a ~ 24D) and has a plurality of gas blowing gas blowing hole and to the substrate surface a direction substantially parallel to strip (55B) second spray plate (54a ~ 54d) structure growth side direction configuration for the radial direction of extension of the.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及感应耦合型等离子体处理装置等的等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示器等的平板显示器(FPD)的制造工序中，对FPD用玻璃基板通过例如等离子体蚀刻、等离子体灰化、等离子体成膜等的进行电路形成，作为进行这样的等离子体处理的装置能够使用感应耦合型等离子体处理装置(ICP处理装置)。ICP处理装置包括对FPD用玻璃基板进行等离子体处理的腔室、高频天线和向腔室内供给处理气体的气体供给部件。在腔室内的下部配置载置FPD用玻璃基板的载置台，在腔室内的上部以与载置台的基板载置面相对的方式配置由电介质体材料形成的多个平板部件。高频天线配置在上述的平板部件的上表面，气体供给部件埋入上述平板部件的处理空间侧。在腔室内载置台的基板载置面和平板部件之间的空间成为用于生成等离子体的处理空间(例如参照专利文献1)。在如上所述构成ICP处理装置中，在从气体供给部件向处理空间供给处理气体的同时，通过对高频天线施加高频电力，在处理空间产生感应电场。由此，从导入到处理空间的处理气体生成等离子体，利用生成的等离子体对FPD用玻璃基板进行蚀刻等的等离子体处理。在此，在上述专利文献1中作为气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：载置台，其具有用于载置基板的基板载置面；腔室，将所述载置台收容在其内部；隔板部，其在所述腔室的内部与所述基板载置面相对配置；高频天线，其被配置在所述隔板部的上表面，通过施加高频电力而在所述基板载置面和所述隔板部之间的处理空间生成等离子体；和气体导入单元，其被配置在所述隔板部的下表面，向所述处理空间导入处理气体，所述等离子体处理装置对载置在所述载置台的基板实施利用所述等离子体进行的处理，所述气体导入单元包括：多个第1喷淋板，其具有长条状的形状，具有向与所述基板载置面大致正交的方向吹出所述处理气体的多个气体吹出孔；和多个第2喷淋板，其具有长条状的形状，具有向...

【技术特征摘要】
2016.01.18 JP 2016-0070301.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：载置台，其具有用于载置基板的基板载置面；腔室，将所述载置台收容在其内部；隔板部，其在所述腔室的内部与所述基板载置面相对配置；高频天线，其被配置在所述隔板部的上表面，通过施加高频电力而在所述基板载置面和所述隔板部之间的处理空间生成等离子体；和气体导入单元，其被配置在所述隔板部的下表面，向所述处理空间导入处理气体，所述等离子体处理装置对载置在所述载置台的基板实施利用所述等离子体进行的处理，所述气体导入单元包括：多个第1喷淋板，其具有长条状的形状，具有向与所述基板载置面大致正交的方向吹出所述处理气体的多个气体吹出孔；和多个第2喷淋板，其具有长条状的形状，具有向与所述基板载置面大致平行的方向吹出所述处理气体的多个气体吹出孔，多个所述第1喷淋板和所述第2喷淋板配置成，在从所述隔板部观看载置在所述载置台的基板时，所述第1喷淋板和所述第2喷淋板的长边方向为呈辐射状延伸的方向。2.如权利要求1所述的等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中诚治，三枝直也，里吉务，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP