本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所...

本发明可提供一种蚀刻方法。其目的在于一边对掩模膜的正面开口的形状进行调整一边进行蚀刻。一种蚀刻方法，其是如下方法：利用等离子体生成用的高频电力从含有含氢气体以及含氟气体的气体生成等离子体，利用所生成的等离子体对氧化硅膜进行蚀刻，其中，所...

本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53...

本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台。一实施方式的载置台包括冷却台、供电体、静电吸盘、第一弹性部件和紧固部件。供电体是铝或者铝合金制，为了传送来自高频电源的高频电力而与冷却台连接。静电吸盘的基座具有导电性。吸附部是陶瓷制，内置有吸附...

本发明提供基板交接位置的示教方法和基板处理系统。在输送装置的臂与处理装置的销之间交接基板之际效率良好地示教铅垂方向上的交接位置。使输送臂从基准位置向铅垂方向上方移动预定距离(工序A2)。使输送臂沿着水平方向移动(工序A3)。使输送臂向铅...

本发明提供一种能够将附着到杯状件的周壁部的上表面的异物去除的基板处理装置和基板处理方法。实施方式的一技术方案的基板处理装置包括保持部、处理液供给部、杯状件以及清洗液供给部。保持部保持基板。处理液供给部向基板供给处理液。杯状件具有底部、从...

本发明提供一种基板载置台，即使在第1部件与第2部件间存在微小间隙，也不会导致维护性的恶化和装置成本的增加，而能够确保从第1部件向第2部件的良好且均匀的热传递。在处理容器内对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板的基板载置台包括：作为...

本发明提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的...

本发明提供一种以简单的结构、不使生产率降低就能够将残留的氟去除的基板处理方法、基板处理装置以及基板处理系统。在工艺模块(13)中被实施了COR处理和PHT处理的晶圆(W)在冷藏部(20)的处理室(28)的内部暴露于湿度被调整成所含有的水...

本发明提供一种能够提供背面无污斑的基板的基板处理方法和基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理方法包括第一面清洗工序、第二面清洗工序、水分去除工序、防水化工序以及干燥工序。第一面清洗工序对基板的第一面供给包含水分的第一清洗液。第二面清洗工...

本发明提供提高显影处理后的面内的线宽度的均匀性的显影处理方法和显影处理装置。对晶片(W)上供给显影液，使将规定的图案曝光了的晶片(W)上的抗蚀剂膜(R)显影时，将纯水(P)供给到晶片(W)的中央部而形成纯水积液，接着一边使稀释用的显影液...

一种基板处理装置，其设置在处理容器内，一边于在旋转台的一个面侧载置有基板的状态下使其旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体而进行处理，其中，该基板处理装置包括：载置台，用于载置所述基板；以及磁力齿轮机构，其具有经由在沿着所述旋转台的...

本发明提供一种立式热处理装置，该立式热处理装置包括：基板保持器具，其具有：支柱；基板保持部，其沿着所述支柱设有多个，用于分别保持基板；气流引导部，其针对每个基板设于所述支柱，以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成；升降台，其用于支...

本发明提供一种基板液处理装置和基板液处理方法。基板液处理装置能够利用处理液对基板均匀地进行处理。在本发明中，基板液处理装置具有：处理槽，其用于将多个基板以排列的状态浸渍于处理液来进行处理；以及处理液供给喷嘴，其在所述处理槽的内部配置于所...

在一个实施方式的成膜装置中，旋转轴与旋转台连接。在该成膜装置中，多个晶片载置于相对于旋转轴的中心轴线在周向上排列的多个载置区域内，由旋转台保持。旋转台收纳于基座的内部空间。在该内部空间内，气体供给机构形成从旋转台的外侧沿与中心轴线正交的...

本文中的技术包括在用于产生硬掩模、特征、接触开口等的微加工期间用于图案化流程的间隔物处理的用途。本文中的技术包括使用侧壁间隔物以在待图案化的特征之间限定硬边界。这样的间隔物位于叠对的浮雕图案下方，使得间隔物的一部分被暴露并且保护下面的层...

本发明提供一种使工艺的生产率提高的基板处理装置。基板处理装置(10)包括腔室(1)、载置台(2)、底座(100)、排气口(83)以及沉积物捕集零件(20)。载置台(2)设于腔室(1)内，用于载置半导体晶圆(W)。底座(100)从下方支承...

本发明提供搬送被处理体的搬送装置，取得考虑了伴随随着时间经过发生的温度变化的搬送臂的热膨胀、收缩和变形这样的形状变化的位置信息，以比现有技术更高的精度将被处理体载置于正确的位置。其包括：转动驱动机构，使第一臂和第二臂被转动驱动，并使保持...

本发明的目的在于提供一种将在氧化硅膜与氮化硅膜之间的界面产生的台阶去除的等离子体蚀刻方法。该等离子体蚀刻方法包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，使用第1高频电源所输出的第1高频电力而从含有含氟气体的第1处理气体生成等离子体，利用所生...

本发明提供一种在等离子体处理装置中实施的等离子体处理方法。在一个实施方式的等离子体处理方法中，交替实施多个第一阶段和多个第二阶段。在第一阶段的每一个中，从气体供给系统向处理容器内供给第一气体，从第一高频电源供给第一高频。在第二阶段的每一...