东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质
    一种基板处理方法,进行以下工序:液体处理工序,利用处理液对基板进行液体处理;冲洗处理工序,利用冲洗液对进行液体处理后的所述基板进行冲洗处理;以及疏水处理工序,利用疏水化液对进行冲洗处理后的所述基板进行疏水处理,接着,进行清洗处理工序,利...
  • 薄膜形成方法及薄膜形成装置
    本发明提供薄膜形成方法及薄膜形成装置。该薄膜形成方法用于在收容于反应室内的被处理体上形成薄膜,包括:第1工序,将第1原料气体和第2原料气体供给到上述反应室内;以及第2工序,停止供给上述第1原料气体,将上述第2原料气体供给到上述反应室内,...
  • 等离子体处理装置和等离子体处理方法
    本发明提供能够不使用整流壁或自由基消耗量多的牺牲件,而使被处理基板的周边部的反应性降低以进行均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置具备:用于收容基板(G)、对该基板(G)实施等离子体处理的处理容器(2);在处理容...
  • 搬送装置和搬送方法
    本发明提供一种搬送装置和搬送方法,在利用电机的旋转驱动力使装载有被搬送部件的被驱动单元移动从而搬送被搬送部件时,能够检测搬送时发生的异常。该搬送装置将被搬送部件装载于被驱动单元进行搬送,该搬送装置的特征在于,包括:驱动单元,利用电机的旋...
  • 负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物及使用方法
    本文的组合物和方法包括负性显影剂相容性的光致抗蚀剂组合物和使用这样的组合物的方法。这包括可使用负性显影剂显影的正性光致抗蚀剂,因为所述正性光致抗蚀剂的未曝光部分可被一种或更多种负性显影剂溶剂溶解。一个实施方案包括几乎没有或者没有蚀刻抗性...
  • 器件的检查方法、探针卡、中继板以及检查装置
    信号输入输出电路(33)具备输入线路(41)、共同输出线路(51)、多个个别输出线路(52)、继电器开关部(53)以及电阻元件(54)。在比较器(32)上连接有将来自多个DUT(10)的响应信号进行合成后传输的共同输出线路(51)。比较...
  • 气体供给装置和阀装置
    本发明提供一种在交替多次向基板供给TiCl
  • 基板处理装置、基板处理方法以及基板保持构件
    本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板保持构件。基板处理装置具有:处理室;旋转台,其设于该处理室内,沿着周向在表面设有多个能够保持基板的凹坑状的基板保持区域。通过形成凹凸图案而使所述表面的表面积相比于平坦面的表面积增加的表面积...
  • 相对于等离子体保护腔室的内部的构件,防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中,利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体,在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中,在含硅膜形...
  • 本发明提供一种实现了在处理液供给路径上安装有新的过滤器部时为了从过滤器部除去气泡而消耗的处理液的削减和启动时间的缩短的技术。实施如下工序:将处理液充满在新的过滤器部内的工序;接着,为了从上述过滤器部除去气泡而使该过滤器部内成为作为负压气...
  • 一个实施方式的气体供给系统包括第一~第三机构。第一机构的多个整合部构成为对来自一个以上的气源的气体进行选择并输出所选择的气体。第二机构构成为对来自多个整合部的多个气体进行分配,对所分配的气体的流量进行调节并将其输出。第三机构构成为将气体...
  • 一种使用自组装图案形成存储电容器结构的方法。本发明描述了电容器结构及在衬底上形成所述电容器结构的方法。所述电容器结构包括具有形成在绝缘保持材料内的多个电容器电极的衬底,以及与所述多个电容器电极接触的项圈层结构,其中所述项圈层结构与多个电...
  • 本发明提供检查用压力设定值决定方法,在使探针卡与晶片加压接触而进行的晶片检查中决定利用真空吸引力保持所需的过驱量的最佳的负压的压力设定值。在该实施方式的探测器中,通过第三真空机构(92)的抽真空在围绕空间(82)内对探针卡(36)与晶片...
  • (课题)不全部更换蚀刻液,而将蚀刻液中的从晶圆溶出的溶出成分浓度保持在确定的恒定的范围,精度良好地对晶圆实施蚀刻处理。(技术手段)蚀刻方法具有多个蚀刻工序和各蚀刻工序间的间隔工序。各蚀刻工序包括第1部分更换模式,在该第1部分更换模式中,...
  • 本发明提供等离子体处理装置,目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体,使该环形的等离子体在广阔的...
  • 在本文中所公开的技术包括用于利用连续气体脉冲工艺蚀刻深硅特征的方法,该连续气体脉冲工艺对具有相对平滑的轮廓的高的纵横比特征进行蚀刻。这样的方法提供了比分时复用蚀刻沉积工艺的蚀刻速率大的蚀刻速率。技术包括利用包括交替化学物质的循环气体脉冲...
  • 本发明提供能确保显影处理的面内均匀性并提高显影处理的生产率的显影处理方法和显影处理装置。在显影处理方法中,在晶圆的中心部形成经纯水稀释后的稀释显影液的积液(时间t1),之后,将晶圆加速到第1转速而使所述稀释显影液的积液扩散到晶圆的整个面...
  • 本发明提供一种能够在不使用机械式靶的情况下利用光学部件在短时间内对一对照相机进行对位的探测装置和探测方法。在探测装置(100)的下部拍摄单元(35)的投影光学部(67)中,通过使自投影用光源(81)照射出的光通过靶(65),从而生成光学...
  • 本发明提供基板输送系统和采用该基板输送系统的热处理装置。该基板输送系统包括:基板输送部件,其能够在保持着基板的状态下输送该基板;升降机构,其具有沿着上下方向延伸的支承轴,能够使所述基板输送部件沿着该支承轴在预定范围内移动;第1排气口,其...
  • 基板处理装置和基板处理方法
    本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置用于一边利用旋转台使基板公转一边对该基板供给处理气体来进行处理,其中,其以包括如下构件的方式构成装置:旋转台,其设于处理容器内;旋转机构,其用于使所述旋转台旋转;支承部,其在所述旋...