【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对形成有抗蚀膜的基板进行显影处理而在基板上形成规定的图案的显影处理方法和显影处理装置。
技术介绍
在例如半导体器件的制造工艺中的光刻工序中,通过在例如作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”。)上依次进行涂敷抗蚀液而形成抗蚀膜的抗蚀剂涂敷处理、将该抗蚀膜曝光成规定的图案的曝光处理、在曝光后促进抗蚀膜内的化学反应的加热处理(曝光后烘烤)、使曝光后的抗蚀膜显影的显影处理等,从而在晶圆上形成规定的抗蚀图案。另外,作为显影处理的方式,公知有一边自具有与晶圆的直径相同程度的长度的纵长喷嘴供给显影液一边使该喷嘴自晶圆的一端部朝向另一端部平行地移动的方式(专利文献1)、向以高速旋转的晶圆上供给显影液并使显影液扩散的方式(专利文献2)等。专利文献1:日本特许第3614769号公报专利文献2:日本特许第4893799号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,在利用专利文献1所示那样的纵长喷嘴进行显影处理的情况下,在晶圆的一端部和另一端部,与显影液相接触的时间产生差异。另外,如专利文献2所示,在向旋转中的晶圆的中心供给了显影液的情况下,在晶圆的中心部和晶圆的外周部,与显影液相接触的时间也产生差异。其结果,在晶圆面内,显影处理后的抗蚀图案的线宽产生偏差,随着因近年的半导体器件的高集成化而产生的抗蚀图案的精细化,逐渐不能容许显影时间的差异所引起的线宽的偏差。因此,为了对晶 ...
【技术保护点】
一种显影处理方法,在该显影处理方法中,向基板上供给显影液而对基板上的曝光成规定的图案后的抗蚀膜进行显影,其特征在于,该显影处理方法包括以下工序:积液形成工序,在该积液形成工序中,在基板的中心部形成经纯水稀释后的稀释显影液的积液;之后的液膜形成工序,在该液膜形成工序中,使基板的旋转加速而使所述稀释显影液的积液扩散到基板的整个面,在该基板的表面上形成所述稀释显影液的液膜;以及之后的显影液供给工序,在该显影液供给工序中,在具有液体接触面的显影液供给喷嘴与所述基板之间确保规定间隔的间隙的状态下,自所述显影液供给喷嘴供给显影液,在所述基板与该显影液供给喷嘴的液体接触面之间形成显影液的积液,并使该显影液供给喷嘴沿通过基板中心的径向移动且向基板上供给显影液。
【技术特征摘要】
2014.12.01 JP 2014-243139;2015.10.29 JP 2015-212831.一种显影处理方法,在该显影处理方法中,向基板上供给显影液而对
基板上的曝光成规定的图案后的抗蚀膜进行显影,其特征在于,
该显影处理方法包括以下工序:
积液形成工序,在该积液形成工序中,在基板的中心部形成经纯水稀释
后的稀释显影液的积液;
之后的液膜形成工序,在该液膜形成工序中,使基板的旋转加速而使所
述稀释显影液的积液扩散到基板的整个面,在该基板的表面上形成所述稀释
显影液的液膜;以及
之后的显影液供给工序,在该显影液供给工序中,在具有液体接触面的
显影液供给喷嘴与所述基板之间确保规定间隔的间隙的状态下,自所述显影
液供给喷嘴供给显影液,在所述基板与该显影液供给喷嘴的液体接触面之间
形成显影液的积液,并使该显影液供给喷嘴沿通过基板中心的径向移动且向
基板上供给显影液。
2.根据权利要求1所述的显影处理方法,其特征在于,
所述显影液供给工序中的所述显影液供给喷嘴的移动的开始地点位于
所述基板的中心部,所述显影液供给喷嘴的移动的结束地点位于所述基板的
外周部。
3.根据权利要求1所述的显影处理方法,其特征在于,
所述显影液供给工序中的所述显影液供给喷嘴的移动的开始地点位于
所述基板的外周部,所述显影液供给喷嘴的移动的结束地点位于所述基板的
中心部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显影处理方法,其特征在于,
所述积液形成工序中的稀释显影液的积液是通过如下方式形成的:向静
止的基板的中心部供给纯水而形成纯水的积液,接着,向所述纯水的积液上
供给显影液。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的显影处理方法,其特征在于,
所述积液形成工序中的稀释显影液的积液是通过向静止的基板的中心
部供给预先经纯水稀释后的稀释显影液而形成的。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显影处理方法,其特征在于,
所述显影液供给工序中的所述显影液供给喷嘴的移动是在使所述显影
液供给喷嘴的下表面沿与所述基板的旋...
【专利技术属性】
技术研发人员:牟田行志,京田秀治,久保田稔,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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