本发明提供一种叠层密封膜形成方法和形成装置，其在抑制生产性降低和异物附着的同时能够形成膜厚度薄且具有高密封性能的叠层密封膜。在叠层密封膜形成方法中，在多个作为发光层的有机EL层(102)形成于衬底(101)上而得到的有机EL元件(S)上...

[课题]本发明提供能够利用电子装置结构的楔形部的膜提高覆盖率的使用等离子体的成膜方法。[解决手段]TFT(30)中，利用由包含四氟化硅气体、四氯化硅气体、氮气及氩气的处理气体生成的电感耦合等离子体形成由氮化硅膜构成的钝化层(37)。

本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及基板载置台。能够形成均匀的膜，且能够仅在基板上形成膜。成膜装置具有基板载置台、对基板实施成膜处理的处理室和处理气体供给机构。基板载置台包括：其上表面成为载置基板的载置面的载置部；以包围载置部的外周的方...

本发明提供一种能够在短时间内测定形成于基板的有机膜的膜厚分布的膜厚测定装置和膜厚测定方法。实施方式的膜厚测定装置包括照射部、拍摄部和控制部。照射部将紫外光照射到形成有有机膜的基板上的照射区域。拍摄部对受到紫外光的照射的照射区域进行拍摄。...

本发明提供一种被处理体的处理方法。本发明可在含钨膜中形成具有高垂直性的开口。一个实施方式的方法包括：(i)在等离子体处理装置的处理容器内准备被处理体的工序；(ii)在处理容器内生成含有氯的第1处理气体的等离子体的第1等离子体处理工序；(...

本发明提供一种能够对形成于基板的表面的覆膜良好地进行蚀刻的基板液处理装置以及基板液处理方法。本发明包括：利用蚀刻液对形成于基板(8)的表面的覆膜进行液处理的液处理部(38)；向所述液处理部(38)供给蚀刻液的蚀刻液供给部(39)；控制所...

本发明提供在包括多个流体供给路径的基板处理装置中，当检测流过各供给路径的流体所包含的异物时能够防止装置的大型化和制造成本上升的技术。该基板处理装置包括：测定用的流路部，其为要供给到基板的流体的多个供给路径各自的一部分，构成流体中的异物的...

本发明提供一种不必基于感觉或经验设定处理条件就能够避免窗部件的损坏的等离子体处理装置，其控制装置(100)接收衬底(G)的等离子体处理的处理方案的输入，基于按该处理方案反复执行等离子体处理而使窗部件(22)的温度成为平衡状态时的在窗部件...

本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。在处理容器内将多张晶圆(W1～W5)载置于旋转台(14)上，一边使旋转台(14)以轴线(P)为中心旋转一边对晶圆(W1～W5)进行成膜处理。在载置于旋转台(14)上的晶圆(W1～W5)之间的间...

本发明在等离子体处理装置内提高载置台的温度控制性。提供在等离子体处理装置内载置基板的载置台的温度控制方法，在等离子体处理装置内设置包括冷却载置台的冷却机构和加热载置台的第一加热机构的温度调整机构，通过测定来求取表示向等离子体处理装置内施...

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。在使用通过将化学溶液和气体混合而生成的化学溶液的液滴将附着于基板的聚合物去除时，获得充分的去除性能。基板处理装置具有：第1喷嘴(41)，其用于将通过将由气体供给机构(71B)供给来的气体和由加...

提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制...

本发明提供一种加热器供电机构，用多个加热器将载置基板的载置台分为多个区域，能够对每个区域进行温度控制，该加热器供电机构包括：与上述多个加热器连接的多个加热器用端子；与上述多个加热器用端子连接的多个加热器配线；和使上述多个加热器配线偏移的...

本发明公开了一种减压干燥装置，其对利用喷墨打印装置形成于基板上的有机材料膜进行减压干燥处理，该减压干燥装置具有：耐压容器，其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换；冷却板，其对容纳于上述耐压容器的内部的上述基板进行冷却；以及多个可动销...

本发明提供蚀刻方法。该方法是对第一区域和第二区域进行蚀刻的方法。所述第一区域具有：第一电介质膜与为氮化硅膜的第二电介质膜交替层叠而构成的多层膜。所述第二区域具有单层的氧化硅膜。[解决手段]一个实施方式的方法包括：第一等离子体处理工序：在...

本发明提供一种金属膜的成膜方法。在使用氯化物原料在具有复杂形状部分和平坦形状部分的被处理基板上形成金属膜的情况下，能够在任何部分都形成膜。在该金属膜的成膜方法中，隔着被保持在减压气氛下的腔室内的吹扫，在按顺序向腔室内供给作为原料气体的金...

本发明提供一种蚀刻方法。该蚀刻方法对具有多层膜的第一区域和具有单层的氧化硅膜的第二区域进行蚀刻，该多层膜是通过将氧化硅膜和氮化硅膜交替地层叠而构成的。一个实施方式的方法包括以下工序：第一等离子体处理工序，在等离子体处理装置的处理容器内生...

在将包含使固体或液体原料气化得到的气体的原料气体供给成膜处理部时正确调节原料气体所含原料的气化流量。将载气供给收纳有原料的原料容器(3)，将包含已气化原料的原料气体与稀释气体一起间断供给原料的成膜处理部(2)。用质量流量测定仪(7)测定...

本发明通过检测等离子体处理中的异常放电的发生，快速地检测基板的剥离。本发明在将具有载置基板(G)的基板载置面的载置台(21)配置于腔室(20)的内部的等离子体处理装置(11)中，在基板载置面上载置有基板(G)的状态下，在基板(G)所覆盖...

本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(...